电力半导体器件相关论文
本文分析了我国电力电子待业与发达国家的差距,加入WTO对我国电力电子行业的影响,进而探讨了我国电力电子行业应采取的对策.......
5月18日,江苏宏微科技股份有限公司(以下简称\"宏微科技\")首发申请获上交所上市委员会通过,将于上交所科创板上市。据招股书......
铜一炭纤维复合材料是一种很有特色、很有发展前途的功能复合材料,在电力半导体器件基板应用中有较高的经济效益。我校材料系应美......
由株洲电力机车研究所研制的 KF600-25非对称晶闸管及 KP1000—30风冷晶闸管、ZP1600—34风冷整流管于1991年11月21日在株洲通过......
绝缘栅双极晶体管是近年来发展迅速的一种新型电力半导体器件,在电力变换技术中的应用日趋广泛。本文在科技文献调研基础上,阐述其......
对采用中子嬗变掺杂(NTD)技术生产硅单晶作了研究,给出了几种不同气氛下成晶的NTD硅单晶对器件性能影响的试验结果及数据分析.
Th......
对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的......
本文就大台面高电压、大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上闸述了钝化机理，系统介绍了台面造型、玻璃涂复、熔烧等工艺途径，并给出了......
本文报道了一种SM材料的制备、性能、钝化保护机理和试用结果．该材料具有优良的电性能、钝化保护性能、机械性能和化学稳定性，并经晶......
针对现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，开展了受主双质掺杂新技术的研究．经对比实验和工艺论证，首先研究成功开管铝镓一步扩散法．应用证明，该项......
采用粉末冶金技术，在精密合金中加入适量的铜，制成低膨胀高导热合金（ＤＧ合金），以替代钼作为器件的支承板。
The use of powder metallurgy......
从原材料的角度，研究了制作ＤＣＢ板所使用的铜箔和陶瓷材料对其性能的影响。
From the perspective of raw materials, the effect of c......
以器件的实验结果和二维模拟结果为依据，讨论了ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＣＲ和电力二极管在高于液氮温度（７７Ｋ）时的特性
Based on the experimental results and ......
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿......
就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地......
从ＧＴＯ的内部工作机理入手，结合外电路特性，研究了拖尾电流及其对关断性能的影响。给出了一种识别Ｊ３结反向雪崩击穿的新方法。
Starting f......
采用解析分析的方法．开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件．它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模......
给出了快速二极管软度Ｋ的新定义；推导出快速二极管反向过电压与软度Ｋ的关系，经试验证实了软度Ｋ与反向过电压的对应关系。
The new defi......
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实......
本文介绍了一种新的电力半导体功率模块的焊接，它有效地解决了功率模块焊接过程中产生的“孔洞”和“氧化”问题。
This article d......
采用边界元法对非穿通情况ＦＰＪＴＥ结构的特性进行了分析计算，发现击穿电压与注入剂量及界面电荷呈线性关系，场板对界面电荷敏感性有抑制作......
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、......
1 简介高频化、智能化、模块化是电力半导体器件发展的主要方向,IGBT即是MOS与BJT复合型功率模块,它既有MOSFET管易于驱动的特点,......
中国电工技术学会电力电子学会将于2002年11月12日在深圳召开第八届学术年会。中国电工技术学会电力电子学会成立于1980年9月,学......
一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观,促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来,经过40多年......
最近由于降低了导通和开关损耗,PT IGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所......
第一篇讲述了用于软件开关技术的1200V反向导通IGBT,第二篇为美籍科学家、著名电力电子专家、田纳西大学教授B.K.Bose博士/教授应......
最近几年里,由于IGCT具有较低的导通和开关损耗,它们已经成为中等电压电平用的电力半导体器件。两种损耗之间的折衷可以通过各种寿......
变频器是一种利用电力半导体器件的通/断作用,将工频交流电变换成频率、电压连续可调的交流电的电能控制装置。为了确保安全可靠的......
目前在工业现场,变频器主要应用于交流电机类设备,目的是为了提高该类设备的利用率,同时达到节能降耗的效果。变频器是一种利用电......
随着科技的不断发展和人们要求的不断提高,电力电子技术的应用越来越广泛。电力电子技术作为信息产业和传统产业之间的桥梁,它将在......
冶金部自动化研究院早在1958年就开始了硅整流管的研制,60年代初又进行了晶闸管的研制,是我国最早开发和研制电力半导体器件的两......
现代变频器,是在传统可控硅变频调速基础上,利用新一代大功率晶体管变频装置,融合电机、电力半导体器件、变换器电路、电子信号技......
本文主要研究不同结构工艺参数的电力半导体器件,其体内扩散电流、空间电荷区复合电流、势垒电容、扩散电容、渡越电容诸物理量对......
本文介绍了主要电力半导体器件的性能、制造技术及应用。全文共分七部分,首先介绍国际动态,接着分别介绍了功率整流二极管、晶闸管......
为适应电力电子行业各工矿企业以及高等院校有关专业的需要,中国电工技术学会电力电子学会特邀本行业的专家写成代表本学科当今水......
日本富士电机公司开发了利用Al和Ga离子注入法形成电力半导体器件所需的深掺杂p型杂质技术。为获得电力半导体器件的高耐压和大电......
一、认识标准重要性提高产品可靠性电子设备中元器件的热可靠性能与元器件的表面温度T有关,一般说来,温度越高,可靠性愈低。因此......
鉴于现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，提出了受主双质掺杂新技术的研究，经工艺论证和对比实险，首先成功的研制成开管铝镓扩散法，为电力半导体......
提出了利用测量平面型场限环结构硅半导体器件的环电位，并结合计算机数值模拟，定量计算各种保护材料的带电电性和电荷量值的新方法。......
