扩散炉相关论文
本文分别介绍了东京电子扩散炉与TMX-9000扩散炉氢氧点火系统的组成及工作原理,并为故障的排查提供了分析方法.......
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实......
图中所示的生产线,是世界第一台高质量柔性渗碳炉,不久将它在瑞典Koking公司Vlvo传动分厂投产。这项革新的优点在于可在同一炉中......
美国Natcore Technology Inc.近日宣称在研发一种激光加工技术,以替代太阳能电池工艺中的高温扩散炉。该企业认为该计划有望削减与......
针对国内半导体行业的现状，确定以半导体生产企业的扩散炉温度控制系统为研究对象。根据传统的扩散炉温度控制多采用常规温度控制仪......
美国Accufiber公司最近研制成功了一种高温温度计。可测温度的范围是500℃～2000℃,而且精度比现有任何温度计都高。使用范围很广,......
同轴Ge(Li)二极管的被蒸发面是圆柱形样品的整个圆周面和一个端面。如果用单源蒸发,样品必须旋转。这样,样品固定困难,安全性差,......
天津服装厂是个力量薄弱的小厂,设备上只有一台破皮带床,两台台钳子,几把小锉。广大革命职工牢记毛主席关于“自力更生,艰苦奋斗......
深圳市捷佳创精密设备有限公司/深圳市捷佳创微电子设备有限公司是国内具有规模和实力的晶体硅太阳电池设备研发制造企业,产品包括......
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我厂生产的FCA-HT电热合金,是在有关科研单位支持下研制的新产品。该产品1989年通过了冶金工业部的科学技术成果鉴定[(89)冶科签......
中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹......
曝光机(包括涂胶、显影)离子注入机溅射装置蚀刻装置CVD扩散炉测试设备切片机封装设备焊线设备总投资额(日元)20 台 30 台 40 台 1......
提高成品率是集成电路生产和研制中十分重要的课题。本文从基础工艺出发,概述了影响集成电路成品率的基本因素,提出了提高成品率的......
在开管扩散炉中,氮气通常作为杂质的携带气体。在扩散温度下,氮气在硅片上流过,产生一个极薄的表面膜,这一表面膜起着强烈的扩散阻......
本文提出了用连续电子束对硼离子注入硅后进行退火的实验偿试,分析了连续电子束退火的一些优点,并指出了它在器件制造工艺中应用的......
理论计算给出了带盖砂磨石英箱内扩散源蒸汽的泄漏率和箱子容积、缝隙宽度,蒸汽分子在缝隙中运动的相互关系。实验证实了ZnP_2作为......
给出了高温自动控制设备的热传导的数学物理方程组;求出了非齐次边值、非齐次初值的数理方程组之解;提出了对自动控制设备的I、R、......
济南半导体研究所二车间的同志们,对过去传统用的P型杂质源,硼酸三甲脂进行了认真的总结,认为硼酸三甲脂作扩散源,在浓度要求不高......
在“工业学大庆”的群众运动中,我厂广大职工和革命师生遵循毛主席关于“中国应当对于人类有较大的贡献”的教导,发扬敢想敢干的......
据报导,最近采用的能在高达25个大气压下工作的高压低温水汽氧化系统可代替各种普通的扩散炉。不象较早的HiPOx氢氧氧化系统那样,......
一、概况由电子工业部芦锦荣等七人(含国家计委机械电子局一人)组成的半导体设备考察团,于1983年5月21日至6月14日赴美国参观了SE......
到目前为止,极大多数的分立元件和集成电路的制造都是采用液态三溴化硼或者汽态乙硼烷作为硅热扩散的 P 型扩散源。这两种方法都......
本文叙述的是我们在TTL数字集成电路的浓硼隔离扩散时,硅片上产生的一种“白雾”现象的实验结果,并对产生“白雾” 的成因机理进行......
近些年来,使用扩散炉由减压方式产生的化学汽相淀积技术(简称LPCVD技术),在一些技术发达的国家中已有很大的突破和进展,国内对这项......
半导体所使用的掺杂剂在固相、液相和气相等所有物相中是比较丰富的;所用的特殊的掺杂剂类型取决于设备、有利条件和安全系数。
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. . 工 作 报 告 . 期MQSj器件的窄沟道效应…………………………………………………………………(2)甩于ECL超高速电路的磕薄层外......
在今后的五年内,预计半导体制造设备工业要从其衰退景象进入良好的增长期。到下一年一月,设备费用将会超过这里所做的预测。1987......
本文叙述大面积电路CVD薄膜的发展过程.着重叙述扩散炉型等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氮化硅膜射频频率及硅烷的试验过程。最后......
七○○厂是我国电子工业中从事专用设备研制和生产的骨干企业。多年来,我们在北京市和机电部主管部门的领导下,坚持“引进、消化......
在去年(1988)的这个时候,设备制造业从低谷中走出,出现了好的增长势头,设备投资超过了去年1月份所预计的预算。在1987年几乎上升......
利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来......
据中国电子报1993年3月5日小民报道,美国布莱迪公司于1993年2月22日在北京举办研究会,介绍了美国诺顿公司使用高度净化的重结晶碳......
一、概述 厚膜铜导体在国外已研制成功,并且进入了实用阶段,部分规格品种已实现商品化。但是,目前还缺乏与导体相容的能在氮气中......
本文主要介绍用锂漂移方法制备单开端同轴锗(锂)[Ge(Li)]探测器的工艺及其主要性能的测试结果。试制成的探测器的灵敏体积为26—43......
本文叙述了在通用扩散炉上实现大面积超厚硅片电气参数一致性的有效方法,在使用本工艺之前,芯片径向电阻的非均匀性在20％左右。使用......
本文用多项式阵方程的求解方法,设计了扩散炉温度控制系统的补偿器,并简化了补偿器结构。实验结果表明效果有明显的改善。
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本文介绍用Z80单板机,ADC1210,十二位模数转换通道,模数转换电路,检测元件,执行元件可控硅等组成的微机控温系统,对高温扩散炉进行......
本文首先从系统模型结构着手,结合自校正控制和解耦控制在控制目标函数中引入对解耦控制的要求,提出了一种新的多变量自校正控制方......
本文以Clarke自校正控制器为基础,针对控制量维持值U_r的变化对自校正控制算法提出了改进,并提出了一种简单方法来克服P(K)阵的不......
