绝缘膜相关论文
基于电化学发光的生物标记物检测已得到了飞速的发展,然而绝大多数的检测需固定识别基团,这依赖于电极表面的层层化学修饰,不但难......
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随着智能制造和精密加工的高速发展,对加工刀具的温度测量提出了更高的要求。目前的温度传感器大多是分立式器件,不具备防护功能,......
本文开发出一种于Fe-Cr-Al电热合金表面原位生成耐高温绝缘膜的特种技术——负压气相反应原位生成耐高温绝缘膜.着重对绝缘膜进行......
通过分析加入不同交联剂质量分数的PVP绝缘膜MIS结构的电学特性，研究了交联剂质量对PVP薄膜电学特性的影响。交联剂PMF和PVP均溶于P......
ＣＶＤ成膜技术（东芝）茨木伸树森一成１ＴＦＴ制备的关键工艺作为有源矩阵液晶显示的开关元件，从工作原理来看，薄膜晶体管（ＴＦＴ）是最好的。用来形成ＴＦＴ沟道的半......
Al栅可明显降低AM－LCD中a－SiTFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细介绍了Al栅的......
聚酰亚胺Langmuir-Blodgett(LB)膜因具有超薄、有序、可控、任意组装等特点而在微电子等现代科学技术中有着极大的应用前景.它们可......
据美国 Physics Today 1995年10月号报道,德国马克斯·普朗克生物化学研究所的弗洛姆赫兹(P.Fromherz)和斯蒂特(A.Stett)研制出能......
通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.......
在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出......
本专利提供一种具有高集成密度的热释电器件,这种热释电器件有一块可以非均质刻蚀并可以用作膜片支座的衬底(MT),衬底中安置了一......
本文介绍了平板显示器制造过程中真空设备的应用，其中介绍了液晶制造过程中所应用的溅射成膜工艺和设备，以及低温多晶硅ＴＦＴ的成膜技术。......
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单......
研究了ＭＩＭ器件的电导机制，详细介绍了新提出的ＭＩＭ器件的ｐ－ｎ－－ｎ能带模型，同时利用这一能带模型解释并验证了上电极材料的选择、下电极材料掺Ｎ以及用......
研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有......
用电子束研制不同介质膜作绝缘层的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜器件，用Ｘ射线衍射技术测量薄膜表面结构，发现薄膜多晶的沉积有择优取向......
磁控溅射法制备ＳｉＯ２ 膜传统上采用射频溅射工艺，但它成本较高，效率较低，无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来，反应磁控溅射在解......
松下电器产业公司研制了一种新的硅量子元件.这种元件是面向超低工作电压、超低电能消耗存储器件而开发的,以绝缘膜中的隧道现象作......
日本工业技术院和电子技术综合研究所,成功地研制出对于微型机械可进行立体加工的微电子枪。 利用量子力学的隧道效应开发微发射......
台湾 UMC 决定在新加坡建设300mm 圆片工厂,该工厂将作为 UMC 在新加坡的子公司。德国的 Infin-eon Technologies 公司作为股东参......
最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μｍＳＯＩ工艺技术。通过这种技术 ,由ＣＭＯＳ器件实现 2 5Ｇｂ/ｓ的超高速通信用ＩＣ。而且 ,业已证......
绝缘膜正带电现象在集成电路芯片低能电子束检测方面具有可以利用的前景。采用简化的表面电位分布模型 ,通过数值方法计算了二次电......
目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术......
《亚太电子商情》2003年10月报道:IBM日前发布了两项可提高半导体元件性能、降低耗电量的半导体制造技术。一项是可直接将应变硅......
过去,在制造薄膜固定电阻器时,先在陶瓷骨体表面用氟化氢等药品人工处理成凹凸面,然后将电阻膜置于槽内,以提高电阻膜的固定强度......
面向存在低耗电要求的数字家电SoC(系统芯片),东芝日前试产了栅长10nm的晶体管。在2004年6月15日于美国檀香山开幕的半导体制造技......
根据日本经济新闻报导,NEC Electronics日前发表电路线宽55纳米的半导体制造技术,名为“UX7LS”。预计2007年10~12月左右可导入用......
本文合成了六甲基环三硅氧烷的等离子体聚合膜,并用作气体分离膜、耐热膜、疏水膜和绝缘膜。结果表明,选择适当的聚合条件可以合成......
日本瑞萨科技为计划在2008年投入量产的45nm工艺SoC(系统级芯片)开发出了低成本CMOS技术。通过采用在pMOS中使用金属栅、在nMOS中......
根据中国真空学会薄膜专业委员会一九七八年工作计划的安排,将于第三季度召开全国第二届化学气相沉积(CVD)学术交流会。薄膜专业......
用振动针-盘试验装置研究了金基合金(ASTM B541)和钯基合金(ASTM B540)偶的摩擦与接触电阻。测量分别在控制气氛为1大气压的干燥氦......
本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物,特别涉及一种有机硅酸盐聚合体,所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备:......
采用拉普拉斯变换交流阻抗测量方法,测量了铝在 NaCl 溶液中阳极极化后的瞬时阻抗。极化刚开始的瞬间,表面膜尚未受破坏,此时界面......
一、序言金属铝具有很大的电离作用,所以非常容易腐蚀。另外,铝很软容易划伤,为了使铝表面不易被腐蚀并变硬,从很早以前便采用了......
四、溅射镀膜的应用 以薄膜的功能而论,薄膜可大致分为电气的、磁学的、光学的、机械的、化学的和装饰的等几大类。表2是各种薄膜......
据《电子材料》2008年第9期报道,日本松下电器产业开发了准毫米波频段GaN集成电路,实现了业界最高的增益系数22dB。1枚芯片信号增......
美国应用材料(Applied Materials,AMAT)与美国诺发系统(Novellus Systems)在3维封装用TSV(硅贯通过孔)技术上的开发竞争日益激烈。......
HDI板用新型层间绝缘膜日本Ajinomoto Fine-techno公司在1998年推出了ABF(Ajinomoto Build-Up Film)绝缘膜,用于HDI板。为了适应PC......
美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)宣布,开发出了特性几乎不会劣化的有机FET。可在大气且低温的环境中制造,有......
一、前言在生产现场,人们对被加工零件的表面粗糙度极为重视。这是因为表面粗糙度对装配质量和制件可靠性影响很大。目前粗糙度测......
