半绝缘相关论文
全绝缘管型母线具有载流量大,集肤效应低、散热条件好、允许应力大、机械强度高等优点,但在实际运用过程中暴露出的问题较多,特别......
近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道,该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业......
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达1......
利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究。结果表明:中......
在Ｍｇ注入形成的ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触，用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０－５Ω·ｃｍ２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。......
介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术......
采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200......
文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝......
带调制器的半导体激光器日本三菱电机公司研制成功带调制器的半导体激光器，波长１．５５μｍ，传输速度每秒２．５Ｇ位，不使用中继器其传输距离为１５０ｋｍ。为了降......
在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以......
报道用一块砷化镓基片兼作激光腔镜、光导开关和储能电容，制作千伏级纳秒脉冲发生器的实验结果。对所介绍的三功能元件的光学和电子......
提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为......
对在线工艺过程中实际使用的薄片（厚度为０．５ｍｍ左右）ＧａＡｓ试样中Ｃ浓度和ＥＬ２浓度的测量方法进行了研究，解决了常规方法难以测量薄片ＧａＡｓ中杂质含量的问题。......
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光电导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从......
从理论上重点分析和研究了器件行波电极的微波特性，在半绝缘ＧａＡｓ衬底上设计了具有ｎ＋重掺杂外延层和共平面电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型行波调制器。......
采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了......
用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ（ｘ＝０．４７６～０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光（ＰＬ）测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ￣２／Ｖ．ｓ（浓度为１．４×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３））。载流子浓度随生长温度升......
采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率......
利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触．研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００～５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率......
在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技......
报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以......
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长......
本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加......
文章介绍了磷化铟中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点、原理和退火过程，并简要介绍了国外的研究情况和取得的研究结果。
The article introduces t......
据《ＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ》１９９９年第１期报道，Ｉｌｌｉｎｏｉｓ大学、ＮｏｔｒｅＤａｍｅ大学、Ｂｅｌｌ通信研究公司分别报道ＩｎＰ基高性能的Ｅ－ＨＥＭＴ。器件在半绝缘ＩｎＰ衬底上用ＭＯＶＰＥ生长Ｅ－ＨＥＭＴ材料，其结构是：缓冲层为Ｉｎ
According to ......
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与......
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行......
研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝......
１概述第１０届磷化铟及相关材料国际研讨会（ＴｅｎｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＩｎｄｉｕｍＰｈｏｓｐｈｉｄｅａｎｄＲｅｌａｔｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎＰＲＭ＇９８）于１９９８年５月１１日至１６日在日本科学城筑波召开。这次会议由...
1 Overview The Tenth International Co......
本文详细研究了扫描光荧光谱(PL Mapping)在半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料与器件性能关系中的应用,实验结果表明SI-GaAs单晶的 PL Map......
本文介绍了可从0.7～4.0μm(1.77～0.31eV)进行波长扫描的光电流测试系统及其技术特点,测量了GaAs和InP样品的深能级,这些数据同有关文......
AlGaN基HFET已显示出在高功率微波应用的巨大潜力。包括频率响应在内的问题已得到解决,频率响应被载流子迁移率和栅长所限制,做了......
实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后 ,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低......
研究了Si+ 和Si+ /As+ 注入到HorizontalBridgman (HB)和LiquidEncapsulatedCzochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率......
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,......
用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 ME......
报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘 Ga As光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝......
利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化......
利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显......
对液封直拉 (L EC)非掺磷化铟 (In P)进行 930℃ 80 h的退火可重复制备直径为 5 0和 75 mm的半绝缘 (SI)衬底 .退火是在密封的石英......
