4H-SiC相关论文
阐述4H-SiC晶圆的Si面上通过CVD淀积与低温热氧化生长的双层栅氧化物结构，在高温氮气环境下可降低4H-SiC/SiO2界面的高密度界面缺陷......
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型。该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系......
硅基功率器件在过去几十年里快速发展,产品不断迭代,但是这些器件正在接近由硅的基本材料所限定的性能极限,所以迫切需要一种新型......
4H碳化硅（4H-SiC）作为一种宽禁带半导体材料,因具有高热导率、高电子饱和速率、高临界电场等优秀的物理和电气特性,使得4H-SiC成为高......
碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适......
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件.该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿......
随着轨道交通、电动汽车、脉冲功率和超高压直流输电等技术的不断进步,电力电子系统对大功率半导体开关器件的需求十分紧迫。依托......
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温......
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应......
更高阻断电压、更高功率密度、更高转化效率是电力电子器件技术发展持续追求的目标。相比于传统的硅（Si）材料,4H晶型碳化硅（4H-Si C）材......
3D-SiC和2D-MoS2的组合,结合了 2D-MoS2的高p型电导率、低开启电压以及SiC的宽带隙和高击穿电场,使异质结在光电探测器和光催化领......
在原子级的厚度下,石墨烯展现出优异的机械性能以及超润滑性质,这使其非常适合对涂层厚度以及性能有很高要求的纳米机电系统。基底......
本文采用单片热壁反应炉在偏4°斜切150mm 4H-SiC衬底上进行同质外延生长.首先,通过不引入基座旋转进行外延生长,分别测量出水平和......
随着电力电子以及信息和通信技术行业的发展,传统硅基功率器件的性能已经不能满足现今高功率密度的应用要求。近年来,碳化硅材料因......
电磁脉冲（EMP）与浪涌携带的高能量冲击会使整机或电子元器件损坏,瞬态电压抑制二极管（TVS）具有响应快、吸收功率高等优点,是常用的防护......
“十四五”规划提名集成电路,重点攻关碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体。相比于Si和Ga As,碳化硅（SiC）材料同时具有宽的禁带（3～3.3e V）、......
本文采用多种方法对不同颜色的合成碳硅石的宝石学特征进行了研究,并与钻石及其仿制品?无色蓝宝石和立方氧化锆进行了对比,总结了......
A novel 4H-SiC merged P-I-N Schottky (MPS) with floating back-to-back diode (FBD),named FBD-MPS,is pro-posed and investi......
衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战.使用不同型号的......
采用自蔓延法分别在竖直式反应腔室和水平滚筒式腔室中合成单晶生长用高纯SiC粉料,并使用所合成的高纯SiC粉料进行4H-SiC单晶生长.......
Understanding detailed avalanche mechanisms is critical for design optimization of avalanche photodiodes[APDs].In this w......
为了准确地表征4H-SiC MOSFET经过高温栅偏(HTGB)测试后的栅源电压漂移,优化氮退火工艺条件以改善MOSFET栅源电压的稳定性,在n型4H......
本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度......
本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层......
在4H-SiC样品上采用磁控溅射的方法分别沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触并进行了不同温度下的退火,通过I-V测试研究不同温度退......
会议
本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试......
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外......
化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)S......
10 × 100 mm 4H-SiC Epitaxial Growth by Warm-Wall Planetary Reactor for the Fabrication of Unipolar P
Wide-band gap 4H-SiC has been attracted much attention for high-power and high-temperature electronic devices due to its......
碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky 二极管(MPS)是一种理想的整流器件。本文利......
采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开展研究工作,分析激光能量密度、脉冲数......
Understanding detailed avalanche mechanisms is critical for design optimization of avalanche photodiodes (APDs). In this......
离子辐照会影响半导体器件的性能,进而使得器件在空间辐射等特定环境条件下的工作寿命和可靠性退化.研究了经过1 MeV Xe离子辐照后......
The current-voltage (I-V) characteristics of 4H-SiC metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetector with diffe......
MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成......
Lateral current spreading in the 4H-SiC Schottky barrier diode(SBD)chip is investigated.The 4H-SiC SBD chips with the sa......
4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件,凭借突出的材料优势具有耐压高导通电阻低散热好等优势。近年来随着器件的逐步商用,器件......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软贋势方法,模拟研究了4H-SiC 块体、表面及空位和反空位缺陷处在下4H-SiC 的电子......
4H-SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点,在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域......
传统Si基快恢复二极管(FRD)在应用时由于反向恢复电流大、漏电流高等问题限制了电力电子电路的性能提升。基于此,提出了一种4H-SiC......
Large-area 4H-SiC avalanche photodiodes with high gain and low dark current for visible-blind ultrav
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Ultraviolet(UV) detectors with large photosensitive areas are more advantageous in low-level UV detection applications. ......
Effects of proton radiation on field limiting ring edge terminations in 4H–SiC junction barrier Scho
In this study, the effects of high-energy proton radiation on the effectiveness of edge terminations using field limitin......
生长率，做的集中和表面形态学的先锋集中依赖在 4H-SiC (0001 ) 的取向附生的生长被调查了有用在经常的 C/Si 下面的各种各样的先锋......
