磷化铟相关论文
对场助光电阴极的发展进行回顾，介绍了场助光电阴极的工作原理，系统总结了三种具有代表性的阴极结构，分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InG......
量子点发光二极管（quantum dot light-emitting diode,QLED）由于其色纯度高、发光峰可调、可溶液加工等优点被认为是下一代理想的显......
本文介绍了一种用于磷化铟（InP）器件金属剥离工艺的多靶共焦式磁控溅射设备。通过正交实验摸索不同靶基距、靶角度对薄膜均匀性的影......
随着信息技术的发展,模数转换器（ADC）的应用日益广泛。而在诸如雷达、超宽带通信系统、高性能数字示波器等产品中,模数转换器的速度......
基于NEDI0.7μmInP HBT工艺,设计了一种宽带非线性传输线梳谱发生器MMIC,输出频率范围覆盖DC-100GHz,最大倍频次数高达60.梳谱发生......
离子注入作为一种独特的材料改性技术手段被广泛应用于当今的工业生产和科学研究领域,根据各种不同目的所进行的元素掺杂和注入处......
磷化铟（InP）是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,具有很多的优越特性,是制备半导体器件的衬底材料,在光源、光纤通信、高速大型计算机等领域得......
为了消除InP/InGaAs DHBT BC之间的导带势垒尖峰,抑制电流阻挡效应,我们设计了一种含InGaAsP复合式集电区结构的InP DHBT。利用传......
利用电学测试、正电子寿命谱和X-射线衍射研究了原生和退火处理后半绝缘InP单晶的空位、填隙缺陷.原生掺铁半绝缘InP单晶含有空位......
会议
基于目前对大尺寸InP单晶片的应用和需求,介绍了正在使用的封闭式热场结构,阐述了利用LEC(液封直拉)法在InP体材料生长过程中影响......
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计......
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,......
采用InP基的PHEMT材料,对现有的GaAs工艺进行调整,进行毫米波器件的研制.通过采用台面隔离、快速合金欧姆接触、介质填充及电子束......
采用了一种新的质谱方法--辉光放电质谱(GDMS)测试对LEC-InP体材料进行了杂质含量的测试分析.比较了国际主要InP体材料供应商用同......
本文研究了用MOCVD方法在(100)InP衬底上外延InP,其p掺杂在不同浓度下的扩散问题,发现了扩散长度随浓度的变化关系,还研究了P-InP......
InP具有高电光转换效率、强抗辐射能力、易于制成半绝缘材料、作为太阳能电池材料的转换效率高等优点.这些特性决定InP材料在固态......
目的：研究非镉量子点InP/ZnS 在小鼠体内的生物分布及其急性毒性.方法：将不同表面基团修饰的InP/ZnS QDs(COOH、NH2 和OH)溶液雾化后......
在550℃的低温下，利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）方法在半绝缘InP衬底上生长出InP/InGaAs异质结双极晶体管（HBT）材料结构。通过......
在光电显示领域中,量子点发光二极管(quantum dots light-emitting diode,QLED)因其宽的光谱可调性、窄的半峰全宽、高的色纯度等......
磷化铟具有高电子传输速度、低接触电阻和大异质结偏移等优势,被作为下一代高频高功率电子器件的新型半导体材料。随着电子设备的......
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研......
提出以单缺陷双边带非线性载流子输运方程描述InP∶Fe中光折变动态光栅的写入过程,通过微扰法将非线性方程线性化,从而求得小调制......
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温......
利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具......
磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60......
量子点是一种由Ⅱ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的,三维尺度均在1～10nm的荧光半导体纳米晶体.本研究旨在观察InP/ZnS量子点对巨噬细胞活力......
磷化铟(InP)具备电子迁移率高、禁带宽度大、耐高温、耐辐射等特性,是制备空间辐射环境下电子器件的重要材料.随着电子器件小型化,......
中国科学院上海冶金所高性能半导体材料研究获重要成果由中国科学院上海冶金所女科学家李爱珍研究员主持完成的国家“八五”重大应......
文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝......
１９９８年１０月在日本奈良举行的第１６届ＩＥＥＥ国际半导体激光会议吸引了来自世界各地的３００多各科学家和研究人员，其内容覆盖了二极管激光器的各个研究领域......
对于光传感应用而言，波长达到或超过２μｍ的光电探测器是有益的。目前以砷化铟镓（ＩｎＧａＡｓ）为基础的探测器呈现很大暗电流，不适合雪崩光电二极管之......
我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2......
１概述第１０届磷化铟及相关材料国际研讨会（ＴｅｎｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＩｎｄｉｕｍＰｈｏｓｐｈｉｄｅａｎｄＲｅｌａｔｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎＰＲＭ＇９８）于１９９８年５月１１日至１６日在日本科学城筑波召开。这次会议由...
1 Overview The Tenth International Co......
本文介绍了可从0.7～4.0μm(1.77～0.31eV)进行波长扫描的光电流测试系统及其技术特点,测量了GaAs和InP样品的深能级,这些数据同有关文......
洛杉矶加州大学开发的薄片发光二极管(ＬＥＤ)由薄膜的中心无图案区域产生自发辐射,伴有由排列在边缘周围的光子晶体光栅相干散射所分离......
对新的宽带通信应用和设备有着很多期望。要达到这些预期,制造商必须开发新的集成电路工艺,继续将电路性能推向更高,并使每千兆位......
日本京都大学和日本国际贸工部的科学家利用光刻技术制造出了一种在1.2μm波长上具有全光子带隙的光子晶体。这种光子晶体是用砷......
<正> 目前市场应用的最主要的半导体材料是单晶硅,约占IC电路的95％。但据理论分析硅集成电路线宽的极限尺寸是0.035-0.05rum,无法满......
第十四届国际磷化铟及相关会议（IPRM）于2002年5月12～16日在瑞典斯德哥尔摩召开。出席会议人数为历届之首，与会各国专家学者达440人之多......
利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化......
利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显......
对液封直拉 (L EC)非掺磷化铟 (In P)进行 930℃ 80 h的退火可重复制备直径为 5 0和 75 mm的半绝缘 (SI)衬底 .退火是在密封的石英......
在3月23～28日亚特兰大光纤通信会议上,来自英格兰Bookham技术学院和剑桥大学的研究者描述了直接调制分布反馈激光器的开发情况,这......
