光电器件相关论文
激光光束的聚焦、准直以及偏转在精密激光打孔,自由空间光互联,激光雷达等方面有着重要的应用价值;无衍射贝塞尔光束、涡旋光束以......
针对MEMS器件和光电器件的薄膜结构在高温下产生的应力与应变会严重影响器件结构与功能的问题,本文采用Suhir异质生长薄膜热应力计......
WS2由于其优异的物理和光电性质引起了广泛关注。本研究基于第一性原理计算方法，探索了本征单层WS2及不同浓度W原子替位钇（Y）掺杂WS2......
钙钛矿因具有可调性结构、低缺陷密度、高载流子迁移率以及带隙可调等优异的物理化学特性而被广泛地应用于太阳能电池和光电探测器......
以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功......
光电器件,是一种将光信号转换为电信号的器件,做为光芯片的关键元件,它的制备工艺和性能将直接影响到光芯片的产出和质量。以不同......
自从“未来材料”石墨烯被发现和广泛研究之后,二维过渡金属硫族化合物（TMDs）材料凭借其自身原子级超薄厚度、高精度集成兼容和优异......
本文介绍了一种用于磷化铟（InP）器件金属剥离工艺的多靶共焦式磁控溅射设备。通过正交实验摸索不同靶基距、靶角度对薄膜均匀性的影......
二维Ⅳ族金属硫属化合物作为二维层状材料的重要组成部分,由于其晶格结构具有较低的对称性且与核心半导体工艺具有很好的兼容性,在......
二维半导体材料如石墨烯、黑磷、过渡族金属硫化物,因其尺寸小、易集成、光电性能优良等优点,是现阶段微型化光电器件的良好沟道材......
具有玻璃包层的半导体芯光纤已经成为新型光电应用领域的焦点,包括非线性光纤和红外功率传输等。半导体材料具有其独特优势,如近红......
对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS2)的材料特性以及基于MoS2薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS2场效......
硅基集成电路是现代信息社会的基石,在社会发展中发挥着极其重要的作用。快速迭代的硅基半导体产业前沿技术直接影响着国家经济发......
光电倍增管（PMT）和硅光电倍增管（Si PM）是目前在核物理及高能物理领域应用较为广泛的光电器件。随着光电器件的性能不断优化提升,对其......
新型半导体材料钙钛矿由于其具有直接带隙且带隙可调、吸光系数高、载流子迁移率高等特点,近年来一直是光电器件研究领域的研究热......
碳点(Carbon dots,CDs)因其合成方法简单、原料来源广泛、光致发光性能优异、生物相容性好等优点,在生物成像、荧光探针等方面引起......
期刊
中远红外激光和光电器件在军事和民用等领域都有广泛的应用.中远红外非线性光学晶体作为中远红外激光器的核心部件变得越来越重要,......
近年来,利用化学气相沉积（CVD）生长技术制备低维纳米材料的普适性已被越来越多的研究成果所证实,也正是由于通过CVD生长技术能够制备......
芴醇的傅克反应制备不同结构的复杂二芳基芴(complex diarylfluorenes,CDAFs)赋予空间位阻功能化半导体新的机遇.本文从芴醇基傅克......
Ⅵ族半导体材料——过渡金属硫化物（TMD）由于其突出的性能,吸引了大量光电子学和物理学研究者的兴趣。在TMD众多的优异性能中,直接带......
胶体半导体量子点材料被誉为下一代最有潜力的半导体材料,受到全球科学家的广泛关注,成为了新材料领域研究的热点之一。由于量子点......
硅基半导体材料与技术是现代微电子产业与信息社会发展的基础,是关系国计民生、国家核心竞争力的技术保障。2017年我国进口 2601亿......
混沌系统已经广泛应用于科学研究的各个领域。在工程中,使用模拟器件实现的连续状态混沌系统动力学行为丰富,但鲁棒性较低,难以实......
带隙渐变纳米线探测器在片上光谱仪等方面有潜在应用前景,如何提高探测器性能是实现其实际应用的关键.本文采用紧凑石墨烯-CdSxSe1......
全无机钙钛矿CsPbX3(X=Cl,Br,I)纳米晶作为一类新型的低成本直接带隙半导体材料,具有优异的光学性质,如吸收系数高、尺寸和发射波......
二维材料因其独特的力、热、光、电、磁性质,吸引了人们极大的研究兴趣。而这些优异的性能要归结于其独特的二维特征和新颖的层间......
突触是生物神经系统传递信息的基本结构,神经系统对外部信息的处理与储存也强烈依赖于突触的可塑性.例如短程可塑性(STP)使得突触......
太赫兹功能材料与器件研究是太赫兹光电技术与系统发展的前沿关键课题，近年来随着人工结构超材料的迅速发展，获得太赫兹波段天然材料......
采用水热法制备硅基纳米线,以TDS测试仪分析其在太赫兹频段内的发射增益性质,发现随着纳米线长度增加,其太赫兹发射强度逐渐增强.......
本着"快速、先进,经济、有效"的原则,选用高应力短时间的试验方案,尽量减少或取消不实用的试验项目以节约试验资源,提高对试验中......
本文较为详细的介绍了10GPIN/TIA光接收组件的主要技术难点和关键的分析设计方法;同时介绍了武汉电信器件公司在这方面所做的工作......
硅是重要的半导体材料，在光电器件的制造中一直占有较大的比重。由于对热阻、串联电阻有特殊要求，其芯片的厚度需要限定在某一厚度范......
一种新型的同轴单纤双向光电器件,接收、发射均工作于1310nm波段,采用分光技术使接收、发射光信号同时与单模光纤耦合.在短距离光......
对飞秒激光辐照下金属、光学及光电材料的损伤阈值结果进行了总结.借助损伤形貌显微观察分析了各种样品的损伤模式.实验表明,飞秒......
GaN材料是第三代半导体材料,具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质.本文介绍GaN材料的化学特性、结构、光学......
软物质特性是聚合物特有的性质，是指对外在刺激下产生不同的材料性能。作为最具应用潜力的第四代高分子材料，聚合物半导体的光电行为......
由于合成简便和多功能特性，聚芴半导体，成为了最具应用潜力的一类发光聚合物半导体材料。然而，聚芴半导体复杂的聚集行为及其诱导的多......
我们提出了一种基于通用光电子器件的表面等离子体共振图像传感系统.这套系统没有专门配件其主要的组成部分都能轻易的在实验室甚......
会议
二维层状半导体材料具有独特的电子结构和量子尺寸效应,在能源、微电子、光学以及光电子器件等领域受到广泛关注。其中,Ⅳ-Ⅵ族金......
二维原子晶体,包括石墨烯和过渡金属硫族化物(TMDs,例如MoS2、WS2和WSe2)等已经被证明具有独特优良的光电性能。最近几年,研究人员......
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体材料（简称纳晶）因其具有独特的尺寸调制的光电性质，和展现出的在光电器件和生物标记等领域内广泛的应用价值，而......
