静电放电相关论文
目的 调控空间电子器件有机介质聚四氟乙烯(PTFE)表面的二次电子发射系数(SEY)接近1,降低表面电荷沉积速率,减少静电放电(ESD)的发生。方法......
本文回首TFT-LCD产品开发认证情况,发现Borderless产品抗静电能力,同UV胶涂布状态存在明显相关性,结合产品认证过程中ESD NG原因解析,......
期刊
当带电物体靠近电子设备时,会产生静电放电(ESD)现象,对电子设备造成干扰。提出一种频域测量的新方法来估计系统级静电放电耦合的功率,......
介绍了一种通过因果图及DOE(试验设计)对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建......
为研究不同桥丝式火工品静电安全性的差异,采用静电放电模拟装置分别对两种典型的热桥丝式和爆炸桥丝式火工品进行了静电安全性试......
电动汽车在进行GB34660-2017标准要求的宽带发射试验时,车辆一般在半电波暗室(ALSE)内转毂上40km/h车速下进行试验。当轮胎扎钉时,金属......
静电放电(Electro-Static Discharge,ESD)是生活中非常常见的现象,但对于集成电路(Integrated Circuit,IC)而言,其所造成的影响与破坏......
静电放电(Electro Static Discharge)已经成为IC芯片领域最重要的可靠性问题之一,随着CMOS工艺尺寸的逐渐减小,尺寸等比例缩小带来的......
目前的IC行业中,尤其是较为先进工艺下的芯片产品,由静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)造成产品失效的隐患越来越高,ESD失效已......
集成电路从最初的小规模发展到现在的超大规模,芯片的性能不断增强的同时,芯片产品向智能化以及系统集成化发展的趋势也越发明显,......
传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险.文章提出了 一种嵌入分流路径的LVTSCR.基于0.18 μm ......
针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了 一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构.相比于常......
对于工作电压为5 V的集成电路,低压触发可控硅(LVTSCR)的触发电压已能满足ESD保护要求,但其较低的维持电压会导致严重的闩锁效应.......
横向双扩散MOSFET(LDMOS)由于其高击穿电压特性而被认为是适合在高压中应用的防止静电放电(ESD)现象的保护器件.在传统结构中,LDMO......
为了解自然环境下静电电磁脉冲辐射场诱发绝缘材料闪络的基本特性,进一步分析诱发闪络的特征规律,依据二次电子发射雪崩(SEEA)模型......
传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Filed Effect Transistor)在常温下有着60mV/dec的亚阈值......
针对电磁干扰易对汽车电子产品造成危害的问题,本文基于ESD人体模型,按照PSA B21 7110标准,在神龙公司研发阶段的某车型组合仪表上......
静电放电 (ESD) 防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数,但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险。......
针对非道路车辆智能网联终端易受静电放电影响且试验结果难以判定的问题,试验分析了不同配置条件下的实际试验结果并采集以太网端......
飞行器的安全运行是确保航天事业的发展和进步的基础。然而飞行器飞行过程中,由于与空气中的冰晶粒子碰撞,发动机燃料燃烧等原因,......
IEC62228-3:2019是国际电工委员会(IEC)制定的关于集成电路CAN(控制器局域网)收发器的电磁兼容评估标准.本文对标准中的静电放电试......
传统的静电放电能量检测方法多依赖于经验公式,方法简单,计算误差较大.根据电压电荷法计算静电放电能量的原理,设计并搭建了实验系......
ESD是指“静电释放”.静电是一种客观的自然现象,不均匀分布在芯片本身、人体和机器上以及芯片能够存在的环境及周围的事物上.这些......
为充分研究电子器件在电磁脉冲下的损伤效应,对比分析了浪涌脉冲、静电放电、方波、高斯脉冲等不同电磁波形的损伤效应,给出了损伤......
汽车零部件的静电放电敏感性,关系着整车的安全可靠性.如何消除和抑制汽车零部件的静电放电敏感性,关键在于对汽车零部件进行静电......
针对强电磁场诱发静电放电问题,研究金属电极结构静电放电延迟时间,进一步探索强电磁场作用下金属电极静电放电变化规律.从电磁场......
随着计算机电子技术的进步和发展,航空工业的产品大多采用小型集成电路.集成电路的应用具有线间连接距离短、集成度高、功耗低、电......
为开展典型桥丝式电火工品静电放电危害分析,对基于人体-火工品静电放电模型进行分析,通过数值计算方法探讨了电火工品脚-脚模式静......
随着科技的进步,通信对于日常生活越来越重要,RS-485标准由于其传输距离远、传输距离快、适用性强的特点,在工业、农业、军用等领......
本文主要介绍了便携式设备的ESD防护办法及ESD器件选取法则,ESD防护办法是从结构设计,PCB走线设计及ESD保护器件摆放三个角度,分别......
在小间隙静电放电中(Electrostatic Discharge,ESD),环境温度、空气湿度、气体压强和电极表面状况等因素,对静电放电相关电参数的......
静电放电信号是非平稳信号,其频率是时变的,为了更好地反映其时频特性,采用时频分析法:小波变换.本文基于Morlet小波,通过对实际静......
为了更好地研究静电放电对电子设备造成的影响,本文在电磁仿真软件CST上模拟了静电放电对电子设备的放电情况,研究了电子设备的表......
ANSI/ESD S20.20和IEC61340是目前中国的电子制造企业开展ESD防护工作时经常参考的行业标准.工程实践中大家对于标准有很多不同的......
作为一种常用的开关器件,晶闸管的导通特性备受关注,尤其是随着晶闸管器件在电磁脉冲作用下意外导通事故的频发,其在电磁环境中的......
随着技术的发展和产品复杂程度的提高,静电的危害也越来越被人们重视.火箭供配电系统作为箭上重要的电气组件,分析静电放电对其影......
静电放电(Electrostatic discharge,ESD)发生时,我们通过测量和分析静电放电结果的相关电参数,可以研究带电体与受电体之间空气间......
针对V-by-One高速接口芯片,传统的ESD防护方案已经不能满足此类高速信号传输接口对ESD防护等级与对防护器件寄生参数的要求,为解决......
为了研究静电放电(ESD)防护器件对快上升沿电磁脉冲的瞬态响应和限幅特性,通常采用基于50Ω传输线的人体金属模型(Human-Metal mod......
本团队利用自主研发的新型ESD测试系统,通过改变试验箱内的不同环境因素,测试在不同放电电压,不同气压和不同电极移动速度下的电流......
航天器A IT过程包含我国载人航天器系列、导航卫星系列、通信卫星系列、地球资源卫星系列、深空探测卫星系列等多平台多型号的航天......
本文通过搭建电缆静电放电试验平台,针对不同长度、不同负载的充电电缆进行了充放电试验,并对电缆放电的放电电流和放电电压波形进......
目前,针对静电屏蔽袋测试的国内外现行标准主要有GJB2605和ANSI/ESD STM11.31.这两个标准存在着一定的局限性:1)只规定了1kV放电电......
针对不同放电间隙状态用静电放电模拟器进行了实验,以研究电极以一定移动速度向靶碰撞放电对放电参数的影响。实验中测得三种放电波......
静电放电是电磁兼容测试中最为常见同时出现问题最多的测试项目之一,而17626.2作为一项通用标准,只能给出统一的施放准则.本文提出......
静电放电(ESD)是一种常见的自然现象,它对电子产品生产、装配的危害所造成的损失是不可估测的。电子制造厂承担着电子产品的装配任......
本文在分析了静电放电的破坏性基础上,介绍了中国人民解放军总装备部2009年5月批准和实施的国军标GJB3007-2009防静电工作区技术要......
本文研究了在CMOS工艺中1/O电路的ESD保护结构设计以及相关版图的要求,论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路,针对......