量子阱结构相关论文
通过向Ge中引入Sn形成Ge1-xSnx合金,可以使其能带结构向直接带隙转变,且与CMOS工艺兼容,是实现硅基光源最具有可行性的方案之一,具......
近来，随着第三代半导体材料氮化镓(GaN)的突破，InGaN基半导体己经吸引了人们的广泛注意，特别是在发光装置的应用上，例如高亮度的发光二......
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了......
我们从理论上研究了含两类特异材料的一维光子晶体输运特性。这两类特异材料包括负折射率材料（介电常数和磁导率同时为负，双负性材料......
非线性光学材料是激光技术中必不可少的功能材料,在高技术中,尤其是在光电子技术中有一系列的重要应用。这些应用包括:频率转移用......
利用传输矩阵法,研究了垒层周期不对称度对光量子阱透射谱的影响。结果表明:当垒层周期不对称度为零时,光量子阱透射峰随着垒层周......
通过传输矩阵方法,计算模拟了两种单负材料组成一维光子晶体双量子阱结构的透射谱.研究发现:由于双量子阱结构双阱之间的相互耦合......
近年来,基于层状复合金属氢氧化物(layered double hydroxides,简称LDHs)的主客体插层化学在功能材料的构筑和应用方面得到了学术......
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷......
第六次窄禁带半导体国际会议于1992年7月19日至23日在英国南安普敦大学召开,会议的论文题录如下:
The Sixth International Conf......
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体......
通过对描述半导体激光器基本光波导方程的数值求解，分析了ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓ分别限制量子阱激光器的光学限制特性，比较了不同缓变结构及多量子阱结构的......
八十年代后期,贝尔实验室首先提出了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)结构的红外探测器,并报道了器件性能。近几年来,广泛开展了对量子阱......
本文主要研究浅ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱在７７Ｋ温度下的光致发光．在不同激发密度下，讨论了该结构的发光机制，把７７Ｋ温度下的受激发射归结为是激子－激子散射所引......
带调制器的半导体激光器日本三菱电机公司研制成功带调制器的半导体激光器，波长１．５５μｍ，传输速度每秒２．５Ｇ位，不使用中继器其传输距离为１５０ｋｍ。为了降......
报道了常压金属有机化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）制备的Ｚｎ０．７Ｃｄ０．３Ｓｅ／ＺｎＳｅ单量子阱的光泵浦受激发射性质。在７７Ｋ下观测到了ｎ＝２的重空穴激子发光峰和ｎ＝１的重空穴激子吸收峰。在......
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件......
PtSi焦平面列阵的现状PtSi于1991年以1040×1040元的列阵率先实现了兆象元数的红外敏感器规格,从技术上来看,1024×1024依然是已......
介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图．为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算．其中，将超晶格的一......
对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子......
在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致......
利用高真空多源型有机分子沉积系统制备了由8-羟基唾琳铝（Alq3）和叔丁基联苯基呢二唑（PBD）交替生长的有机超晶格结构，小角X射线衍射分析......
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室......
提出了新型ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层Ｉｎ组分的变......
当半导体探测器趋于成熟时,热探测器,尤其是微测辐射热计,其敏感红外辐射的灵敏度也正在不断提高。
As semiconductor detectors ......
用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的......
利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“......
报道了用纳米制作技术，实现了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ环型微腔激光器．激光器的直径为３μｍ～２０μｍ，环的宽度为０．４μｍ～３μｍ，环的厚度为１９０ｎｍ．其激射峰值波长为１４０３ｎｍ．
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研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加，对实验......
通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点......
对ｎ型电子有效质量各向异性半导体量子阱，给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式．这种子带间的跃迁有束缚基态到束缚的激发态的......
采用低温光伏谱方法，研究了应变Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁，并与理论计算的结果进行比较，对光伏谱的谱峰跃迁能量随温度......
首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常......
首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系，得到了改进了的速率方程，分析了稳态和调制......
本文根据一维势阱和应变效应以及能带填充效应的简单理论，提供了一种既简单又较准确的计算压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的方法......
利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶Ｘ射线衍射和电化学电容－电压分布测......
本文对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析，提出了实现２０°～３０°垂直发散角的有效途径，并......
利用分子束外延技术研制出了高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激......
制造出了发光强度为12cd 的超高亮度 InGaN 单量子阱(SQW)结构绿光发光二极管(LED)。这些 InGaN SQW 绿光 LED(12cd)的发光强度大......
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器是基于量子阱导带内子能带间或子能带到扩展态间的光电子跃迁对红外辐射的吸收特性而研制成的新型......
