串联电阻相关论文
虚拟同步机发电机(VSG)在短路故障期间存在输出电流幅值骤升和无法支撑并网公共点(PCC)电压等问题,甚至在严重的三相短路故障中可......
柔性Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe)太阳能电池因其可以卷曲、可实现便携式穿戴功能等优点有望拓宽太阳能电池的应用[1-3].器件的填充因......
在太阳电池的生产、制造及研究过程中，填充因子是影响转换效率的重要因子之一。本文对生产中填充因子低的电池片进行串联电阻及并联......
蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm......
通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ=5~8......
用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2 隔离层，制备成SOI衬底，用快速化学汽相沉积（RTCVD）法在此衬底上制备硅薄膜，热扩散形成PN 结制备太......
铜铟镓硒太阳电池逐步进入商业化生产阶段,这对电池大面积均匀性提出了考验.由于串联电阻的增加常被认为可改善电池均匀性,因此本......
经过上述处理的电流-电压特性与实际测量的结果表现出很大的差别。在RA随温度的变化趋势上，不扣除串联电阻影响的情况下表现出在高......
阻变存储器具有存储单元结构简单、擦写速度快、功耗低、有利于大规模集成等优点,受到广泛关注.本文论述了RRAM的基本结构和工作原......
本文采用常规的工艺在40mm×40mm 的P 型单晶硅衬底上制备了太阳电池.由于我们的烧结炉的不稳定性而导致得到的填充因子参差不齐.......
单晶硅太阳电池板已广泛应用于光伏发电中,表征太阳电池板输出电路特性的参数包括光生电流Iph、反向饱和电流I0、串联电阻Rs、并联......
对太阳电池来说,串联电阻会严重影响电池的填充因子(FF),所以从电池的I-V数据中准确获得太阳电池的串联电阻对太阳电池的分析具有......
采用热蒸发法制备了n型晶体硅/氧化钨(WOx)异质结,并将其应用于背结太阳电池,研究了不同背电极对电池性能的影响及电池的变温性能......
一、提出问题,进行猜想教师出示两只10欧姆的电阻后,提出问题:现在我们要把两只电阻串联起来.那么,串联起来的两只电阻的总电阻比......
科学家在所研究的领域中，往往以自己熟知的事物为原型，通过研究它的性质和规律来解决一些陌生的或复杂的问题．在物理教学中我们也完全......
静电电压表价格昂贵,一般学校不易购置。在教学中,由于没有相应的测量方法,教师只能告知学生静电电压很高,所以教学效果较差。 验......
有不少电功率计算题,如果解法不当,不仅解题过程繁且易出错;若方法得当,则求解过程既迅速又准确。现举几例说明之。
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3.3IGBT的吸收电路与晶闸管和GTO类似，当IGBT突然断开时，储存在回路杂散电感中的能量消散在该器件上，导致瞬态电压过冲。这种瞬态电压......
本文对垂直模式冲击波压缩铁电陶瓷电响应的理论有所改进。我们不仅考虑铁电介质的电介弛豫和电导率弛豫,而且还计及冲击波阵面在......
解决初中物理题常用的方法是:分析法、综合法、图解法和推理法等.下面再介绍几种特殊的解法.一、整体法这种方法是把看上去彼此独......
我听了一节初三物理课,内容是“电阻的并联”.教师推导出分流原理公式I1/I2=R2/R1后提出问题:串联电阻有分压作用,并联电阻有分流......
现行初中物理课本第二册p.177例题2:有一个电铃,它的电阻是10欧,在正常工作时它两端的电压应该是6伏.但是我们手边现有的电源电压......
通过定向合成Cu(I)配合物,首次将其作为阴极缓冲层引入到有机太阳能电池(OSCs)中。实验分析发现,OSCs的光电能量转换效率(PCE)与Cu......
采用图1所示电路,就可用PC的打印机端口来设置倒相放大器的增益。该电路使用一只4:1模拟多路转换器IC_1来选择一对外接电阻器。多......
报道了在光照下具有高跨导值(高达64mS/mm)的1μm栅 Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET),解释了光照下器件跨导......
本文提出一种采用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺制造的平面微波变容管Ｃ－Ｖ特性解析模型，该模型着眼于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺，充分考虑了由其产生的栅下......
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室......
报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，......
利用Yih－FenyChyan等的PET大注入模型，并考虑了发射极串联电阻RTE和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τox对器件特性的影响，编制了程序。结......
提出用FET实现四种高性能的微波有源电感基本电路结构，通过分析各个电路的特性表明，这四个有源电感均是低损耗或无损耗的。另外还选......
报道了分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前......
垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺......
在许多研究工作着重于多孔硅(PS)的发光机制和提高电致发光效率的同时,多孔硅接触结构问题也受到人们的关注,认为多孔硅众多的表面......
激光二极管在激光通信实验室中起着重要作用,许多实验要用它作为光源,以便确定集成光波导、光纤电缆、微光设备、光学电路等的特......
引言目前以下面三个方向的发展决定了激光二极管线阵和列阵方面的进展：生长量子尺寸半导体多层膜异质结构的MOS-氢化物外延工艺，制造......
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受......
研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连......
报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退化的ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ的失效分析。结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小......
对集成化平面电感的串联电阻对电感 Q值的影响进行了计算机模拟分析 ,结果表明 ,微型电感中的串联电阻对电感 Q值的影响严重 ,在电......
本文对栅极驱动特性、栅极串联电阻及IGBT的驱动保护电路进行了探讨,提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。
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