垂直腔面发射激光器相关论文
垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有高可靠性,低成本,寿命长,体积小,性能高等优点,具有广泛的应用市场,受到了学术界和产业界的共同关注......
为了研制出表面微透镜集成外腔的垂直腔面发射激光器（VCSEL），实现窄线宽无磁激光输出，满足原子磁强计等量子传感器应用要求，本文设计并......
作为GaN基发光器件最常用的有源区结构,InGaN/GaN多量子阱结构一直以来都倍受科研工作者们的关注。为了提高InGaN/GaN多量子阱发光......
随着时代的发展和技术的变迁,人们对于高效,快速及准确的信息处理方式有极大的需求。光子储备池计算（Reservoir computing,RC）是一种......
随着通信技术的更迭和传输速率的增长,保障通信系统中信息的安全传输成为了当前研究热点之一。合法用户间的安全密钥分发作为保密......
对自主研发的940 nm大功率三结垂直腔面发射激光器(VCSEL)单点器件的高温高电流老化失效后的器件进行了失效分析研究.首先,通过热......
垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点.氮化镓......
随着智能社会的发展,人们对信息安全、信号的存储与计算等领域提出了更高的要求,但受限于带宽、功耗等电子瓶颈,传统的电器件难以......
近年来,随着科学技术的飞速发展,足不出户就可以拥抱世界、精彩生活。比如,获取全世界正在发生的事、居家远程学习和办公、可以看......
随着3D传感和人脸识别技术在手机上的广泛应用,940 nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）作为技术的核心光源,其有低阈值电流、高频调制、二......
随着当代信息网络技术的飞速发展,人们对高速信息处理、高速信息传输能力、传输容量等方面的需求标准也在不断地提升。可调谐垂直......
研究了一种940 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅反射镜(HCG),采用GaAs/AlOx光栅结构,讨论了TE偏振时光栅结构中各参数对......
随着信息技术的快速发展,可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)逐渐成为密集波分复用通信技术(DWDM)中的重要光源.通过利用液晶(LC)的......
基于共振耦合腔理论,提出并设计了基于亚波长光栅耦合腔的795 nm垂直腔面发射激光器((vertical cavity surface emitting laser,VC......
本文应用垂直腔面发射激光器的自混合效应对激光多普勒测速方法进行了研究，提出了一种结构简单、紧凑的激光多普勒测速装置.用安装......
与传统的GaN基边发射激光器相比,GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)拥有许多优越的性能,不仅可以实现高密度二维集成和更高功率输出,......
本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器和光子晶体谐振腔增强型探测器的研制方法和主要制备工艺,如光谱测试,氧化工艺和光子晶体制......
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备......
详细研究了温度和Al组分与AlGaAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的......
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具......
本文针对87Rb芯片原子钟对激励光源的要求，开展了高温工作的795 nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的研究。采用压应变InAlGaAs/AlGaAs......
与传统边发射激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有单纵模工作、低阈值、圆形对称光斑、与光纤耦合效率高以及制作成本低等优......
本文通过建立电阻和二极管复合网络模型，计算研究了含限流层的980nm大孔径底发射VCSEL激光器注入电流输运分布规律及其调控，以改进器......
实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验......
本文通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器结构优化以及制作工艺的研究,研制出了满足实用要求的高性能的氧化限制型850nm VCSE......
采用发射波长为980nm的InGaAs/GaAs应变量子阱，在垂直腔面发射结构中共设计生长3组、每组3个量子阱，形成9个量子阱的周期性增益结构，......
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上......
本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的......
采用分子束外延方法制备了多层量子点作为垂直腔面发射激光器的有源区,对多层量子点样品用光荧光(PL)测试表明,在低温15K时,多层量......
在垂直腔面发射激光器结构中掩埋AlAs层采用选择性湿氮氧化工艺形成电流限制波导的基础上,针对可见光波段的要求,对掩埋的选择性氧......
论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GS......
通过计算InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构获得峰值增益与载流子浓度的关系，结合垂直腔面发射激光器的阈值条件，理论计算了器件输出光......
采用大直径台面，通过改进钝化、侧向氧化、散热等关键工艺技术，研制出具有高功率输出的垂直腔面发射激光器。直径 700 微米器件连续......
垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)限制电流流入的方式有许多种, 其中氧化孔径(电流注入孔径)限制法制备工艺简单, 成为普遍选用的......
设计了一种用于850 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅（HCG），整体结构采用GaAs材料体系，包含光栅层及为缓解其应力问题而设计......
研究了一种VCSEL（垂直腔表面发射激光器）侧面抽运的全固态激光器, 报道了一种可以稳定工作的紧凑型Nd∶YAG激光器。该激光器采用VCSE......
High-power vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are processed using a wet thermal-selective oxidation techni......
与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有线宽窄、光束质量好、可靠性高和制造成本低等优点。随着808 nm V......
相比传统边发射激光器,垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束质量高、可靠性高,在激光雷达测距(LiDAR)领域有广泛的应用前景。主要研究直......
湿法氧化工艺是垂直腔面发射激光器(VCSEL) 制备过程中极为关键的技术,但目前氧化工艺的稳定性和可控性仍有待完善。针对氧化过程......
提出并设计了一种基于无机硒化镉(CdSe)量子点(QD)材料作为增益介质的垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该方案结合量子点发光二极管(QL......
A tunable slow light of 2.5-Gb/s pseudo-random binary sequence signal using a 1550-nm vertical-cavity surface-emitting l......
基于非对称氧化技术, 引入氧化孔径横向光场损耗各向异性, 使得TE/TM偏振光功率差进一步增加, TM偏振得到有效抑制, 从而实现795nm......
研究了大功率底发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）单管器件光束质量，分析了电流、出光孔径、衬底厚度等因素对M2因子、远场发散角、近场......
针对半实物仿真系统的需求，基于系统级封装技术提出了一款由垂直腔面发射激光器（VCSEL）激光器阵列、激光器驱动芯片、电源芯片等组成......
