GaAsAlGaAs相关论文
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上......
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运......
在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电......
研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(......
本文报道了在国内率先研制的64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面的最终结果,介绍了探测器的制备过程及基本特性.......
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
Optical and electronic properties of single modulation doped GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wire modi
Single GaAs/Al0.5Ga0.5As V-grooved quantum wire modified by selective ion-implantation and rapid thermally annealing was......
在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收......
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光......
将GaAs／AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管（FET）混合集成,构成FET-SEED灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自......
我们利用光调制反射光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近．通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中电子态影响发生变化，由于量子阱......
采用ＭＯＣＶＤ 方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ 结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５～８２５ ｎｍ ，阈值电流为１３０ ｍ Ａ。工作电流在４８０ ｍ Ａ 时，单面连续输出光功率......
4.混成焦平面列阵性能的比较对于焦平面列阵技术的比较工作来说,探测率和操作温度是关键的一级判别因子。图5所示为热探测率(300 ......
用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１０１１～１０１３／ｃｍ ２ 的质子和固定剂量为１×１０１１／ｃｍ ２，能量为３０～１００ｋｅＶ 的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的......
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地......
采用栅压比谱技术，在相对较低的磁场下，观察到ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气第零子能带的Ｎ＝１Ｌａｎｄａｕ能级与高达第五子能带的Ｎ＝０Ｌａｎｄａｕ能级的共振耦合现象，由此精确测......
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置......
结合薛定谔方程和泊松方程,模拟计算得到GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料能带图,并对该材料进行光致荧光谱(PL)测量。结合......
研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实......
利用瞬态光栅激光光谱技术测量了(110)方向生长的本征GaAs/AlGaAs多量子阱的双极扩散系数.室温下,光激发的载流子浓度nex=3.4×101......
基于分立漂移模型研究了磁场对载流子在弱耦合GaAs/AlAs超晶格中的动力学行为的影响。研究表明磁场较小时超晶格中载流子的集聚形......
在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25mm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区......
量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电......
