势垒高度相关论文
多重雷击会导致氧化锌避雷器老化速率加快,使用寿命及电气性能降低,甚至直接造成避雷器破裂损坏。为研究遭受多重雷击后氧化锌避雷......
ZnO压敏电阻是避雷器的核心部件，其性能的好坏直接影响着避雷器的电气性能。因此，该文致力于通过B2O3的掺杂以改善直流ZnO压敏电阻的......
二氧化钒（vanadium dioxide,VO2）是关联电子氧化物的典型代表之一,在340K附近发生可逆的金属—绝缘体转变（Metal—insulator transiti......
随机共振在放大微弱周期信号方面具有明显优势，尤其是双稳态随机共振模型，已经成为众多学者研究机械故障信号的典型模型.以双稳态随......
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别......
在ＭＢＥ和ＭＯＣＶＤ两种方法制备的ｎ－ＧａＮ材料上，通过热蒸发、离子束溅射和光快速退火等工艺，制作了Ａｕ－ＧａＮ肖特基结和Ｔｉ／Ａ１／Ｔｉ／Ａｕ－ＧａＮ欧姆接触，并在室温测定了肖特基结的Ｉ－Ｖ特性。分......
量子蒙特卡洛方法具有很高的并行效率，计算量随体系大小的标度较低，而且具有很高的计算精度，能用于较大体系的高精度计算。本文中，我们......
作为极具应用前景的电力设备绝缘状态现场评估新方法,频域介电谱在近年来受到了广泛关注.温度归一化是基于频域介电谱的绝缘评估流......
四环庚烷(QC)作为一种高密度燃料以及良好的自燃类液体推进剂而广受人们重视。目前关于四环庚烷裂解的实验已有很多，但却没有对......
在一个高速度的火车桥系统上调查风障碍的空气动力学的效果，部分模型测试在一条 closed-circuit-type 风隧道被进行。几个不同案例，......
选取了丁酸甲酯高温分解的十三个反应路径中较为重要的两个反应:CH3OCO=CH3+CO2(R1)和CH3OCO=CH3O+CO(R2).使用密度泛函理论方法在......
石墨烯、石墨烯衍生物以及类石墨烯材料通常具有致密的网状晶格结构,研宄表明这类材料对分子、原子和离子具有根强的阻挡性.然而对......
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长......
利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外......
本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极......
通过简化的三角势垒模型计算发现在第三代电致发光器件中，ＣｄＳ层确实对提供初电子有利．用计入非晶效应的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法进行模拟计算，证明非晶ＳｉＯ２层比ＺｎＳ层......
研究钛酸钡系ＰＴＣＲ与氢气的相互作用，实现了烧成后陶瓷ＰＴＣＲ样品的氢处理可控制降阻。通过测试降阻后样品电性能的变化以及阻值长期稳定性，确认......
成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时......
在新结构薄膜电致发光器件中,电极处的势垒的高度决定电子的注入数量.在电极界面处插入不同的薄膜材料,可以改变势垒的高度,并对电......
为改善ＴｉＯ２电容－压敏电阻器的非线性，文章通过添加少量Ｌａ２Ｏ３，使其非线性系数得到提高，并对其原因进行了分析．结果表明，Ｌａ２Ｏ３添加剂可提高材料晶界势垒高......
由描述功率肖特基二极管电学特性的基本方程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出......
首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｎｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减小了暗......
研究了一维不规则多重垒结构中电子共振隧穿的相对论效应．结果表明系统同时存在两类共振隧穿，一类由能量量子化和长度量子化同时决定......
研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．
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本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎＳｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式，重点推导了集电区穿通时的势垒区宽度的定量计算公式......
通过陶瓷与酸的相互作用，使钛酸钡基ＰＴＣＲ陶瓷材料烧成样品的阻值上升。酸处理工艺条件对阻值上升幅度有一定影响。酸处理后的样品的综合......
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压......
对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３和ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系分别进行了掺杂籽晶的试验研究，研究了籽晶加入对两系统各性能的影响规律，制备了性能优良、压敏电压低（１０Ｖ／ｍｍ）的压敏陶瓷）。
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研究了高温和大电流应力对 ＴｉＡｌ／ ＧａＡｓ和 ＴｉＰｔＡｕ／ ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管 Ⅰ～ Ⅴ特性及对 Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图 的影响．研究发现，随着应力时间的增加，在 Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图上，对ＴｉＡｌ／ ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管势垒高度快速降低......
研究了工艺和添加剂对ＴｉＯ２功能陶瓷材料性能的影响．发现提高烧结温度和延长保温时间有利于降低材料的压敏电压和使表观介电常数升高．当烧......
在Fowler Nordheim的隧穿理论基础上 ,建立了高场下单层有机EL器件复合发光的理论模型 ,讨论了电场强度以及界面势垒对单层有机EL......
通过硅 (111)衬底淀积的单层 Co或 Co/ Ti双金属层在不同退火温度的固相反应 ,在硅上形成制备了多晶和外延 Co Si2 薄膜 .用电流 -......
介绍了锁定放大技术应用于扫描隧道显微镜 (STM)中调制隧道间隙而获得物质表面原子的局域势垒分布的原理 ,并给出了高定向石墨的观......
通过对样品 V- I特性和势垒特性的测试和分析 ,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响。Sn O2 ·Co2 O3基本上不具有电学非线性 ......
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应 .模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属 -半导体接触在正向和反向偏置下的......
提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型 .在该模型的基础上 ,研究了采用不同高介电......
量子力学中不平常和有意义的结果之一,是预言微观粒子的总能量小于一势垒的势能时,可以隧道效应通过势垒。其重要性在量子力学发......
用Komornicki,Morokuma和Fukui等人最近几年发展起来的确定化学反应体系过渡态和反应途径的量子化学方法,以Barthelat的赝势法为计......
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向S i-面衬底上进行了4H-S iC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为......
本文用EHMO法对卟吩及其复合体的电子结构进行了计算。由卟吩复合体的差示电荷分布的分析表明,在卟吩复合体中卟吩分子属于两性电......
