电致发光相关论文
采用真空电子束蒸发气相沉积技术在重掺杂n型硅衬底上制备了SiO2/CeF3复合薄膜电致发光器件。对器件中各膜层的微观结构和成分进行......
发光二极管（LED）作为一种新型光源,因其寿命长、功耗低、环境友好等优点,已引起相关研究人员的广泛关注和极大兴趣。根据实现方式的......
自石墨烯（graphene）首次发现以来,二维材料因其独特的物理化学性质,在电子器件领域展现了巨大的应用潜力,然而如何大规模、低成本且......
近红外发光二极管（LEDs）在生物成像、临床诊断、光电探测器、夜视设备和光通信等方面表现出巨大的应用潜力。近年来,基于过渡金属络......
量子点是一种具有量子限域效应的半导体纳米晶，近年来，以其优异的光电特性得到了广泛关注。量子点具有发光效率高、发光波长可调、发......
针对电致发光图像边缘模糊、纹理不清晰造成光伏电池缺陷难以定量化评估问题，提出一种基于电致发光偏振图像融合的晶硅光伏电池缺陷......
有机电致发光材料因为具有成本低、响应速度快、柔性强等优点,在照明和显示两大领域有着十分广阔的市场潜力与应用前景。现如今已......
铅基卤化物钙钛矿材料具有高荧光量子效率、荧光峰窄、能带宽度易调节等优点,近年来成为光电器件领域尤其是白光二极管（WLEDs）领域的......
现代社会属于科技互联网时代,智能科技的应用无处不在。科技产品在服饰中的应用研究也开始层出不穷,电致发光产品算其中应用最广泛......
近年来吡唑羧酸类衍生物合成的配合物在配位化学领域受到越来越多的关注,因为其具有新颖的结构和独特的性能,并且在催化、荧光探针......
设计了一种柔性电致发光(EL)器件驱动电源的复合开关电路.EL器件表现为容性负载,造成其交流驱动电源开关电路中晶体管开通瞬间很大......
失配状态会使GaN HEMT器件的输出功率、效率等偏离设计的额定值,通过EMMI和红外测试系统验证了失配状态对GaN HEMT器件性能的影响.......
近年来,金属卤化物钙钛矿发光器件(PeLED)的研究取得了很多突破,其电致发光(electroluminescence,EL)性能得到了很大提高,但关于白......
期刊
发光材料是LED半导体照明以及QLED量子点显示应用过程中把高能光子转化为低能光子以及把电能直接转化为光能的关键原材料,直接影响......
量子点发光二极管（QLED）电致发光器件已应用于透明显示、柔性显示领域,QLED把电能直接转化为光能的技术特性为获取有效光发射提供了......
荧光碳点（Carbon dots，CDs）因其独特的光致发光特性、高的稳定性和低的毒性，使其成为一种极具潜力的纳米发光材料。近年来，CDs在电致发......
为了提高太阳能电池板的检测效率,针对太阳能电池板常见缺陷检测问题,本研究利用YOLOv3目标检测模型对太阳能电池板电致发光图片进......
对荧光碳点(carbon dots,CDs)基电致发光二极管(light-emitting diodes,LEDs)的最新研究进展进行综述.首先,介绍了CDs基电致LEDs的......
白光发光二极管（White LED）由于使用寿命长、响应速度快、发光性能稳定,诞生以来就被认为是有发展前景的固态照明新方案。目前,白光......
ZnO材料近年来成为半导体光电器件领域的研究热点。当传统的ZnO薄膜受限于p型掺杂的问题而遇到瓶颈时,微纳器件由于其灵活多变的器......
ZnO以其直接带隙、宽禁带（3.37eV）,高激子束缚能（60 meV）等特点,成为构建短波长光电子器件的重要候选材料。近年来,研究者们围绕如何提......
稠环芳烃的几何和电子结构可以通过多种化学修饰手段进行调控,进而表现出丰富的半导体活性,在有机电子学器件领域展现了广阔的应用......
有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）由于其可视角在160度以上、驱动电压低、成本低、制作工艺简单以及OLED产品可以......
本文以一座建设于沿海地区并遭受了台风灾害的地面光伏电站为例,利用电致发光(EL)检测和I-V特性测量等方式,考察了在遭受台风灾害......
有机室温磷光（RTP）材料由于能利用三重态激子发光,理论内量子效率可达100%,近年已成为有机发光领域的研究热点。但有机RTP材料应用于......
在低压MOCVD条件下,采用等离子体协助方法进行ZnS和ZnS;Mn外延层生长.在普通玻璃衬底上,150℃生长的ZnS外延层由X光衍射谱表明有较......
会议
设计了一系列溶液加工型有机双极性小分子发光材料,以4-(9-咔唑-9-基)苯胺为电子给体单元,间位连接和对位连接的S,S-二氧-二苯并噻......
会议
S,S-二氧-二苯噻吩共聚物含有刚性的平面内联苯单元,因此稳定性高,溶解性好,又具有高的固态荧光量子产率,通过设计一系列在分子链......
少数载流子寿命（简称少子寿命）是晶硅材料的一项重要参数，它对晶体硅太阳电 池的光电转换效率有重要的影响。根据太阳电池电致发光强......
本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在G......
本文采用直流磁控溅射方法在(111)取向的Si基片和玻璃基片上生长Si/SiO超晶格薄膜,一个超晶格的周期为4～6nm左右,同时还分析了周期......
建立了载流子在单层有机发光二极管中注入、传输和复合的理论模型,通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函......
采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在p-Si(111)衬底上制备出具有Zn1-xMgxO电子阻挡层的p-Si/Zn1-xMgxO/n-ZnO异质结器件。电流-......
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究......
钙钛矿材料具有发光效率高和颜色易调节等一系列突出优点，已在高色彩品质的薄膜显示器和固态发光器件等领域展现出其巨大的应用潜力......
本文实验研究了ZnO 纳米晶对有机共轭聚合物MEH-PPV 电致发光光谱特性的影响。研究结果表明,对于ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV：ZnO/Al/Ag ......
采用射频磁控溅射技术制备了结构简单的n-ZnO／n-GaN同型异质结紫外发光二极管。在此基础上，于ZnO与GaN之间插入i型MgZnO层形成n-ZnO／i......
以自组织Ni掩膜制作了高约1um,直径约100-300nm,柱间距约130-300nm的n-GaN纳米柱模板,并利用MOCVD法在纳米柱模板上外延生长了具有......
在稀土铽配合物电致发光研究中发现Tb(PMIP)3 (PMIP=1-phenyl-3-methyl-4-isobutyryl-5-pyrazolone)具有良好的空穴传输性,Tb(PMIP......
Si/SiO薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO)/p-Si结构在室温下的可见电致发......
采用离子络合法在性能优良的PVA/chitosan共混膜中制备了ZnS、CdS、(Zn,Cd)S纳米微粒.利用红外光谱仪、紫外-可见吸收谱仪、荧光光......
我们采用自行设计的等离子体增强MOCVD系统,利用经特殊设计的反应室,以二乙基锌(DEZn)和O2作为锌源和氧源,分别通过几种途径,获得......
会议
晶体硅光伏电池在正偏电压下会发出红外光。本文利用晶体硅光伏电池的电致发光成像原理,采用红外相机拍摄观测晶体硅光伏电池的电......
晶体硅光伏电池生产所用硅材料的缺陷以及生产过程中的污染等是影响光伏电池输出性能的因素。由于用于生产晶体硅光伏电池的硅片越......
