掩膜相关论文
作为典型的宽禁带半导体材料,氮化镓（GaN）具有介电常数小、禁带宽度大、导电性能良好、化学性能稳定等优点,在很多领域都有广泛的应......
“PERC+SE”单晶硅太阳电池制备过程中，相较于传统的酸抛工艺，在碱抛光工艺之前（即氧化环节）先要制备氧化层SiO2膜作为掩膜，以保护硅片......
提出了一种基于掩埋金属掩膜的表面光栅分布反馈半导体激光器制备工艺，该工艺方案可以减小器件工艺对光栅结构的影响，无需额外增加光......
遥感图像目标检测在民用、军事以及其他领域有着举足轻重的作用,然而由于遥感图像具有尺寸大、目标小且密集、目标呈任意角度分布......
多层通道微流控芯片加工中套刻光刻的对准操作难度较大,结合使用两种对准方法并分步进行实验操作可以降低难度:使用圆套十字架对准......
期刊
由于噪声、阴影、条纹断裂及欠采样等因素的影响,完成相位解包裹是一个困难的问题。最小二乘法能够提供平滑解,但无法限制噪声的传......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
本文通过对光刻胶掩膜微细电化学加工的主要参数进行分析研究,发现光刻胶厚度、开口角度,脉冲电源频率、脉宽以及电解液配方都对加......
本文对宽束离子束刻蚀技术进行了研究，并运用宽离子束对微透镜阵列进行了刻蚀，表明宽离子束可进行微米、亚微米刻蚀。
In this pape......
在大规模集成电路生产中，对掩膜版与硅片刻线宽度的在线检测是保证质量的重要手段。本文介绍了一种高精度，自动化的线宽测量仪。阐述......
本文研究了在ＳＦ＿６、ＣＢｒＦ＿３和ＣＨＦ＿３与氧相混合的几种氟化气体等离子体中，ＳｉＣ薄膜反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的深度。通过监测射频等离子体的光发射谱及产生等离子体的......
光刻胶作为离子束刻蚀的掩膜已得到了普遍采用，由于它在受到离子束轰击时会发热收缩、不利于刻蚀线条高宽比的提高，限制了它的进一步......
本文将重点介绍ＤＹ－５型电子束曝光机的偏转系统的构成、特点及结果。
This article will focus on DY-5 electron beam exposure machi......
Actel公司最新推出一种新型的低成本、高性能的单片ASIC替代产品—MX系列FPGA(现场可编程门阵列)。不论从价格或性能特点来说,MX......
简单介绍了硅场发射三极管的制造，三极管的I－V特性，在实验和理论上研究了栅门高度对发射电流的影响。
Briefly introduce the fabric......
我国深度Ｘ射线光刻技术获突破最近，由中国科学院长春光机所采用自制的加厚金掩膜，与中国科学院高能物理所密切合作，在经改进的同步辐射......
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室......
我们用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）方法在ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）衬底上生长了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜，并以此作为掩模，制备了台阶衬底．ＳＥＭ分析表明，制备的台阶衬底具有陡直的台阶角度（大于......
利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列,并考察了各主要工艺参数对微尖形貌的影响
The silicon micro-tip array was prepared by i......
本文阐术了在Ｓ－１４００正胶中加入适量咪唑，使正胶不仅具有原来特性，而且经一定工艺处理后还具有负胶的功能。在制造铬板时，用这种胶涂敷的铬板......
报道了分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前......
报道在激光打标中采用平凹稳定腔与平凸非稳腔激光器，工作面位置、成象的清晰深度与透镜焦距、掩膜位置的关系。
It is reported t......
采用Kaufman离子源刻蚀微透镜列阵并采用实时检测系统对刻蚀深度进行了控制。提出了测量微透镜列阵衍射效率的一种方法。对测量误......
采用高压低温掺氢技术提高了普通单模光纤的光敏特性，利用相位掩膜法，通过紫外写入的方式，在普通含锗光纤上制备了光纤光栅，获得的Ｂｒａｇｇ反射......
通过分析硅的结晶学特性及实验考察硅各向异性腐蚀的择优腐蚀面和削角线，研究了尖角与方角的掩模补偿方案，提取了削角因子，并且给出了......
利用准分子激光振幅掩膜调制曝光技术，制出了周期为４００μｍ的长周期光纤光栅．通过对其透射光谱测试，观察到它在１．５０μｍ附近具有四个吸收峰，峰值中......
用计算机研究并给出了深蚀刻二元光学元件制作误差对衍射效率影响的规律；将深刻蚀二元光学元件与一般二元光学元件制作误差规律的不......
利用相位掩膜技术制备光纤光栅的紫外曝光系统李燕，梁国栋，徐迈（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放实验室，长春１３００２１）王......
本文以管芯为主，讨论了如何从工艺角度，实现高输入阻抗，涉及的主要工艺有：栅氧化、蒸发、光刻。
In this paper, the die-based, disc......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
在美国，由公司、政府部门、大学的技术领导人组成的半导体工业协会（ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｄｕｓｔｒｙＡｓｏｃｉａｔｉｏｎ，ＳＩＡ），１９９２年、１９９４年和１９９７年，分别发布了１５年国家半导体技术指南（ｒｏａｄｍａｐ）．在１９９７年的指南中...
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报道了一种结构新颖的Ｈ型垂直腔面发射激光器。器件是由钨丝掩膜一次质子轰击和选择腐蚀相结合制备的，实验已实现在脉宽为２０μｓ，占空比为......
在大气中，利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在氢钝化的Ｓｉ（１１０）表面直接进行化学改性，形成了２０～６０ｎｍ的ＳｉＯ线条．通过化学腐蚀，成功地将该ｎｍ线条转移到Ｓｉ基片上．实验证明，经ＳＴＭ改性......
将组合技术和离子束技术结合起来，用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅 基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元──材料芯片，并对......
本文通过实验和对样品上钝化层成分的分析，提出了ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２混合气体对单晶硅的各向异性刻蚀机理：在一定功率下，ＣＣｌ２Ｆ２离解出大量的ＣＦｘ粒子和Ｃｌ粒子，在前者对......
在ＺｒＯ２、ＩｎＰ、Ｓｉ及ＳｉＯ２即融凝石英衬底上用氩离子束刻蚀制作面阵矩底拱面状微透镜阵列，给出了氩离子束在不同的入射角度下刻蚀器件的速率与离子束......
我们利用一块均匀掩膜版，通过对光纤拉伸和二次紫外曝光的方法制作了一基于莫阿－布喇格光纤光栅的带通滤波器，其带通宽度为０．２８ｎｍ．我们对这种......
毫米波主动导引头缝隙天线阵面，具有面积大、缝隙数量多、精度高的特点，制造这样的缝隙天线阵面，在国内尚属首次。本文着重对缝隙天线......
分析和讨论了圆弧形掩膜的曲率半径对平面结终端耐压特点的影响．首次通过解析的方法，推导出了在计及平面结横向曲率效应，即准三维效应......
本文在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ外延材料上设计和制作了ＭＭＩ型１×４光功分器。文中首先给出器件的基本工作原理和特点，随后主要讨论器件制作中的ＧａＡｓ材料的干法刻蚀工艺......
