干法刻蚀相关论文
氮化镓（GaN）是典型的第三代半导体材料,在高频、大功率电子器件以及深紫外光、蓝光、绿光等光电子器件领域中具有十分重要的应用价值......
采用电子束光刻技术制备出了深刻蚀的GaAs基微纳光栅.针对电子束曝光过程中存在的由邻近效应引起的光栅结构图形失真和变形的问题,......
玻璃基材具备很多优点,是理想的微纳加工基材之一.随着在玻璃基材上加工的微纳结构越来越复杂,对玻璃微纳加工工艺的要求也越来越......
薄膜和微细加工技术的应用领域极为广泛,从大规模集成电路、电子元器件、平板显示器、信息记录与存储、MEMS、传感器、太阳能电池,......
第三代半导体的代表性材料GaN具有优异的性能,如较大禁带宽度、较高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀、抗辐射等,是制作高频、高温、......
在光栅的制作中有两种方法:一个是湿法,另一个是干法.由于DBF激光器的光栅用湿法腐蚀的方法有很多缺点,我们就采用了干法腐蚀在InP......
本文介绍用正交试验方法确定二氧化硅干法刻蚀工艺菜单.还介绍了用该工艺菜单进行刻蚀可得到良好的片内均匀性、片间均匀性及批间......
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应......
长久以来多晶硅太阳能电池的制绒工艺一直都是采用HF/HNO3的酸刻蚀系统，制绒反射率为20％左右，这已逐步成为多晶硅电池发展的瓶颈工艺;......
纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEM......
氮化镓(GaN)及其相关的化合物半导体材料在光电子器件以及高频高功率器件领域已经取得了成功的应用，这得益于氮化镓优良的材料性能，......
近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等......
Positioned between front-end and back-endprocessing in semiconductor manufacturing, waferback-side grinding,the core of ......
在器件的制作过程中,n-GaN的表面状态对n型欧姆接触起决定作用,同进也严重影响着器件的光电性能.而ICP刻蚀过程对n-GaN的表面状态......
紫外曝光和电子束曝光等所用传统掩膜一般都平铺在基底上.当用反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等干法刻蚀方法对基......
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺......
分布反馈式(DFB)半导体激光器具有优良的稳定性和单模性, 广泛应用于激光器抽运和光通信等领域。光栅作为DFB激光器的关键部件, 对......
反应离子刻蚀是 20 世纪 70 年代产生的一种干法刻蚀技术，至今仍广泛应用于微细加工领域。本文基于科研和实验室应用的角度，提出了一......
简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技......
研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响.通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优......
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP......
文章讨论了ＭＪＢ３ＵＶ３００型光刻机的控制调整。以及抗蚀剂工艺条件的改进，消除影响曝光分辨率的驻波和衍射作用，实现了边缘整齐陡直、０．４μｍ条宽的光刻......
本文侧重分析电子束纳米光刻中的若干限制因素，包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用（散射与二次电子效应）、衬底条件......
针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法——等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此......
本文简要从版图设计、工艺等方面介绍薄膜双面电阻图形的制作技术．薄膜双面电阻图形基饭附会标准要求，可实现小批量生产。依此基板研......
本文介绍了利用扫描电子显微镜对GaAsMESFET背面通孔形貌及电镀状况进行了分析.并对电镀工艺进行了改进.给出了大量改善前后的电镜......
报道了本征超导辐射探测器的实验过程及结果分析．探测器是利用超导的临界电流与温度的关系（Ｉｃ－Ｔ）来工作的，而且完全工作在超导本征态．高温超......
隧道小孔中超薄ＳＩＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ艺模拟程序对超薄ＳＩＯ２的热生长进行了工艺模拟。经过大量的工艺实验及优化，确定......
本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面......
半导体器件制造是一种多学科多门类技术综合应用的系统工程。本文通过半导体器件中比较典型的一个分支，高反压台面晶体管关键工序玻......
射频功率为50～500W（1．56MHz）、气压为1．3～13．3Pa的氩和四氟化碳放电气氛中，测量了阻抗、直流自编压和峰－峰电压。测量结果表明，这种放电可以......
进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...
Photolithography at the turning point Paul Casstr......
无显影气相光刻是我国首先发现的一项干法腐蚀技术。通过对其机理的不断研究发现，添加在光刻胶中的添加剂促进HF气体在高温下离解得......
微芯片铝键合系统的失效是器件可靠性研究的重要课题，铝键合点上的氟沾污加速了对铝合金化表面的腐蚀，导致微芯片的失效。国外的工......
讨论了Ｓｐｉｎｄｔ方法制作金属型ＦＥＡ工艺过程中的技术难点和相应的解决方案，最后成功地研制出场发射阵列，并实现了场发射。
The technical diffic......
本文在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ外延材料上设计和制作了ＭＭＩ型１×４光功分器。文中首先给出器件的基本工作原理和特点，随后主要讨论器件制作中的ＧａＡｓ材料的干法刻蚀工艺......
主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖．采用各向同性腐蚀的方法在〈１１１〉晶面和〈１００〉晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖．实验结果表明〈１１１〉晶面的硅......
提出一种连续深浮雕微光学元件的制作方法。在移动掩模的基础上经湿法显影获得光刻胶元件良好的面形 ,然后结合干法刻蚀将图形通过......
微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀（RIE）进行了研究。采用两步刻蚀工艺，SF6，CF4，C......
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最......
长春光机与物理所通过了新型微腔碟型（微碟）激光器的技术鉴定。该所通过光刻方法实现了微碟激光器件图形转移；利用湿法及干法刻蚀技术......
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过......
美国一科研小组9月4日宣布,他们正在开发芯片内部互联新技术,有望研制出体积更小、速度更快、成本更低廉的三维芯片。他们首先将芯......
本文报道了两种不同类型的聚(烯烃砜),即聚(环己烯砜)和聚(苯乙烯砜),并对它们进行了物理表征,给出了元素分析、红外光谱、核磁分......
