反应离子刻蚀相关论文
为了获得适宜的温度,通常建筑在用空调制冷,带来高的能耗、温室效应及臭氧层空洞等一系列的能源和环境问题。因此急需开发一种能耗......
随着半导体制造工艺的飞速发展,集成电路工艺尺寸越来越小,硅片有效面积寸土寸金,深槽隔离技术开始被广泛应用于特殊器件的隔离工......
近年来,随着半导体集成电路（IC）产业的快速发展,微纳加工技术受到了前所未有的关注。作为一项十分关键的微纳加工技术,反应离子刻蚀（R......
太阳能热光伏电池光能利用率的理论上限很高,但实际效率很低。这是由于热光伏（TPV）系统中热辐射器的发射光谱与光伏电池的吸收光谱间......
碳纳米管（CNTs）从问世那一刻起,就吸引了全世界科学家的广泛关注。它具有很多独特的性能,比如一维纳米结构,优异的电学、化学和力学......
等离子体刻蚀是集成电路制造和MEMS工艺中常用的工艺步骤，随着等离子体刻蚀工艺的发展，越来越多的领域应用到这项技术。目前等离子体......
在光栅的制作中有两种方法:一个是湿法,另一个是干法.由于DBF激光器的光栅用湿法腐蚀的方法有很多缺点,我们就采用了干法腐蚀在InP......
掺铒光波导放大器是密集波分复用传输系统的重要组成部分,可以和调制器、光开关、阵列波导光栅、隔离器等任何有损耗的器件集成在......
DEM技术是由上海交通大学开发出来的一种全新的三维微细加工技术.本文旨在研究DEM技术中利用反应离子刻蚀(RIE)深层刻蚀塑料PMMA的......
采用金属有机化合物分解(MOD)法制备出BiTiO介电薄膜.然后在560℃退火30min得到(111)取向的BiTiO薄膜.首次成功地对BiTiO薄膜进行......
高频声表面波器件制作成声表面波器件的特点,对影响刻蚀的主要工艺参数进行了较深入的研究,并应用于660MHz高频声表面波器件的制备......
主要对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件.文中介绍了欧姆接触的......
以醋酸锌和氢氧化钠为原料，其中十二烷基苯磺酸钠(SDBS)作表面活性剂利用溶剂热法合成ZnO 纳米线，制备出直径小于20nm、直径分布均匀......
基于4H-SiC材料的微机电系统（MEMS）器件（如压力传感器、微波功率半导体器件等）在制造过程中，需要利用干法刻蚀技术对4H-SiC材料进行微加......
实验研制了针对波长248 nm KrF准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术,在双面抛光的石英基片上以CHF3/O2......
本文为了寻找更好的红外光子晶体材料,对硅和锗材料自身的性质进行了比较,并采用平面波展开法(PWE)计算了两种材料气孔型二维光子......
这篇论文描述混合器基于极端薄的超导的 NbN 拍摄的超导的热电子幅射热测定器(HEB ) 的设计和制造。高质量的电影取向附生地在高抵......
利用自感应耦合等离子(ICP)蚀刻机进行硅深层反应离子刻蚀,得到了几微米宽的狭槽,其轮廓通常为正锥形,即蚀刻槽的宽度随着蚀刻深度......
本文报导了用ＳＦ＿６＋Ｎ＿２混合气体反应离子刻蚀Ｓｉ及其剖面的实验结果，研究了在刻蚀时，混合气体的成份和射频功率密度对Ｓｉ的蚀速影响以及Ｓｉ的负载效应，通......
采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．… ∥Ａｐｐ...
Dry lithography using focused ion beam implantation and reactiv......
二氧化硅反应离子刻蚀中氟的作用＝Ｒｏｌｅｏｆｆｌｕｏｒｉｎｅｉｎｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆｓｉｌｉｃｏｎｄｉｏｘｉｄｅ［刊．英］／Ｉｋｅｇａｍｌ．Ｎ．…ＪｐｎＪＡｐｅｌＰｈｙｓ．－１９９ｓ，３２（１２Ｄ）．－６０８８～６０９４用热吸附和...
Role of fluorine in silica reactive ion etching = Roleoffluorineinrea......
本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作......
叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研......
描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光......
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺......
采用 MOCVD 技术在 SiC 衬底上制备了 AlGaN 同质和异质 pn 结,AlGaN 层中 AlN 浓度为2～8mol%,反应离子刻蚀形成台面结构。研究了 A......
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成......
同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作......
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生......
实验研制了针对波长２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术，在双面抛光的石英基片上以ＣＨＦ３／Ｏ２为反应气体，用反应离......
本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面......
本文简要介绍了微细加工光学技术的发展和“微细加工光学技术国家重点实验室”及其发展目标、研究方向和目前的主要研究领域。
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研究了线圈、多极混合磁位形ECR等离子体及刻蚀特性。静电探针测量结果表明，在φ200mm，φ100mm范围内等离子体离子流强径向不均匀性......
本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。
This article describes the various types of EC......
介绍了利用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件的原理和方法，给出了制作结果。
The principle and method of fabrication of binar......
南京电子器件研究所研制成功工作频率３．１～３．４ＧＨｚ，脉冲宽度３００μｓ，占空比１０％，输出功率大于５０Ｗ，功率增益大于７ｄＢ，效率大于４０％的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为......
采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增......
将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工，自行设计、组装了一套实验系统，很好地解决了这一器件制作的关键......
采用磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）工艺获得了铁电ＰｂＺｒ０５３Ｔｉ０４７Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜的微细图形．研究了用ＣＨＦ３ 气体在不同射频功率和气体流量下ＰＺＴ薄膜、Ｐｔ和ＡＺ１４５０Ｊ光刻胶的刻蚀速率以......
自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体......
