光刻相关论文
介绍了光刻胶涂胶过程中对涂胶厚度均匀性的影响因素及发生均匀性问题的成因。对光刻工艺和光刻胶进行概述，通过对光刻工艺和光刻胶......
现有主流光刻技术与设备变得越来越复杂的原因之一在于其仍然囿于线性光学光刻范畴，未能突破光学衍射极限，是衍射极限附近的光刻技术......
准分子激光光源在光刻、工业制造、医疗和科研领域都有广泛的应用，特别是其波长、线宽、能量与剂量等指标在光刻领域有很大的优势，可......
根据摩尔定律，半导体芯片单位面积上的晶体管数量每18个月翻一番，当前量产先工艺节点已经演进到3nm，特征尺寸不断缩小，图案越发复杂，芯......
微机电系统（MEMS,Micro-Electro-Mechanical System）是一种在半导体制造技术的基础上发展起来的先进的制造技术,可以在几毫米甚至更......
光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节，被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶，每一代光刻......
设计了两种具有不同参数的光刻掩膜版，利用光刻技术制备了两种微米级双层复合结构。研究了曝光能量对凹形缺口深度的影响，同时采用时......
本文提出了一种基于空间像的极紫外光刻掩模相位型缺陷检测方法，用于检测多层膜相位型缺陷的类型、位置和表面形貌。缺陷的类型、位......
在高分辨光学光刻技术中,光瞳整形技术针对不同的掩模图形产生特定的光瞳光强分布模式,从而实现分辨力增强,获得更好的成像性能。......
极紫外（EUV）光刻机是推动集成电路向先进技术节点发展的核心装备，已应用于7 nm及以下技术节点芯片的量产。高成像质量是EUV光刻机应用......
极紫外（EUV）光刻是目前最先进的光刻技术，是芯片向更高集成度发展的重要保障。高成像质量是确保EUV光刻机性能指标的前提，而反射式三维......
二硫化钼（MoS2）是二维材料家族的典型代表,由于其内部结构与石墨烯相似,不仅保留了石墨烯优良的电、光、机械性能。同时其具有1.2～1.8......
最早的显微镜可以追溯到16世纪末期,由一位荷兰的眼镜工匠制造而成。自其出世以来,人们便从未放弃过对显微镜技术的改进,通过不断......
二维范德华结构过渡金属硫族化物作为一种新兴材料,物理性能具有厚度依赖性并且可以结合任意不同二维层状材料形成异质结,有望在集......
光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术，其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2～3μm......
极紫外（EUV）光刻技术是半导体制造业中应用的最先进光刻技术，与之配套的光刻胶近年来也有了长足发展。本文结合EUV光刻技术面临的新问......
金属性过渡金属硫族化合物（MTMDCs）因其优异性能而获得广泛关注。作为金属性过渡金属硫族化合物（MTMDCs）的一员,二硫化钽（TaS2）是一种典......
在针对芯片的“卡脖子”技术中，极紫外（EUV）光刻是最重要的一环。EUV光刻技术已经被广泛应用于最先进工艺节点的集成电路（IC）芯片制造之......
生物电信号是生物体最基本的生理信号之一,监测生物电信号可以对多种生理性疾病进行诊断和预防。采集生物电信号需要使用测量设备,......
早期真空电子器件的广泛应用,得益于其可以实现在高频段、大功率条件下工作的显著特性,但器件集成化的困难阻碍了它的进一步发展。......
提出了一种快速计算光学系统像面照度均匀性的算法,通过近似算法计算系统数值孔径,并利用出射光瞳数值孔径表征像面照度.利用该算......
水凝胶是由亲水性三维聚合物网络与水组成的一种软材料,在智能机器人、电子皮肤传感器、创伤护理、水处理以及催化等领域具有广泛......
透明电极是光电器件的关键组成部分,其广泛应用于信息显示、固体照明、光电转换等领域。近年来,以铜为基础制备的各种结构透明电极......
本文提出了一种基于滑动芯片的微流控制备微颗粒方法,通过快速、方便地加载-滑动-固化操作,即可生成高度定制的微颗粒,并不需要泵......
光刻是集成电路制造工艺中一道关键的工序,它是利用光化学反应机理,把制造在掩膜版上的图形转移到硅衬底上的过程。光刻决定了芯片......
为给“卡脖子”领域提供发展启示,利用情报学方法开展科研产出数据挖掘分析并建立“卡脖子”问题的情报学研究模式,按“情报学分析......
石墨烯是一种由碳原子紧密堆积排列的二维单层材料。石墨烯具有优异的光、电、力等特性,被认为是在未来具有颠覆性的材料。单层到......
基于时域有限差分法(FDTD)对一维金属线栅结构在0.2~2.6 THz波段的偏振特性进行了数值分析，研究了其结构参数如金属占空比、狭缝宽......
针对光刻机照明系统的实际应用需求,提出了一种光瞳特性参数的评估算法。该算法通过对光瞳强度分布进行转换,可以在不同照明模式下......
在二元光学衍射微透镜的制作工艺中, 光刻胶的行为和特性对衬底的最终图形有着极为重 要的作用。光刻和刻蚀两道工序都要求实际图......
基于角谱衍射理论，对扫描积分塔尔博特光刻术进行了理论分析与数值模拟。研究了扫描距离、扫描起始位置、扫描速度非匀速以及照明光......
All-reflective optical systems, due to their material absorption and low refractive index, are used to create the most s......
针对光刻用准分子激光器的激励技术，利用拉普拉斯变换方程对脉冲变压器高压充电过程进行了分析，验证了桐合系数于与压缩高压无电时间......
针对纳米光栅的加工需求，提出一种以柱形光栅耦合结构为基础的单模共振干涉光刻方法。该方法以柱形光栅耦合结构为掩模，结合光刻胶和......
基于4H-SiC材料的微机电系统（MEMS）器件（如压力传感器、微波功率半导体器件等）在制造过程中，需要利用干法刻蚀技术对4H-SiC材料进行微加......
柔性透明电极因其轻便、柔性、低成本等特点备受广大研究者的关注，在平板显示器、太阳能电池、触控面板等光电器件中具有很好的应用......
为了更好地了解表面增强拉曼光谱(SERS)的机制，并进一步提高增强因子，研制了具有高稳定性的纳米劈裂装置及芯片。结合纳米劈裂技术及......
提出了一种原位的光刻机投影物镜偏振像差检测方法。定义一种新的偏振像差表征方法,推导了3对正交偏振态照明下空间像之差与偏振像......
针对穆勒矩阵成像椭偏仪的系统误差源提出一种简化分析方法,将光强曲线的理想傅里叶级数系数组与实际系数组进行近似匹配,建立穆勒......
多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的发展方向。提出了一种以光刻胶三维形貌差异为评价目标的光刻多参数联合优化方法。以多个深......
针对大阵列CCD工艺制作过程中光刻大面积图形曝光的需求，提出了一种适用于光刻拼接的图形补偿方法。图形拼接处进行相反的补偿设计0......
提出了用灰阶编码的二元掩模代替灰阶掩模实现邻近效应精细校正的新方法, 并阐述了新方法的特点。 讨论了灰阶编码掩模与灰阶掩模......
光刻机的照明光瞳性能对曝光图形质量和套刻精度均有重要影响。照明光瞳由光刻机照明系统产生,在光刻机长时间使用后,照明光瞳的性......
光刻用准分子激光器的能量特性在集成电路的光刻过程中至关重要,直接影响光刻机曝光线条的精度。为了实现对于衡量能量特性的能量......
利用GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅控特性和锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜的光伏效应，在HEMT器件的栅极处沉积一层PZT铁电薄膜，提出了一种新......
提出一种基于差分进化算法和微反射镜阵列(MMA)光源模型的光刻机匹配方法。加入MMA光源模型,利用差分进化算法优化微反射镜光斑分......
电磁超材料是一种人工结构,其表现出的超常的电磁性质与材料的属性、人工结构、结构的尺寸以及结构的排列方式相关。2015年科研人......
基于微透镜阵列和微图形阵列的莫尔动态显示技术能够显示具有立体效果的三维图像。介绍了一种集成于高分子薄膜上的微透镜阵列和微......
远心度是衡量光学投影曝光光刻机照明系统性能的重要参数,依据光的衍射理论构建了远心度相关的光刻机投影物镜成像模型.通过matlab......
