光刻工艺相关论文
光刻胶又被称为光致抗蚀剂,是制造半导体器件基材上的光敏保护膜,具有抗刻蚀性能。本论文研究了不同结构的光产酸剂（Photo Acid Gen......
光刻胶产业化过程遇到的第一个技术屏障是实验室优化的材料组分和光刻工艺在工业生产线上不能再现图形，原因是实验室与工业生产线的......
功率半导体器件是电力电子的核心和基础。沟槽功率MOSFET采用了纵向布局,较其他MOSFET器件具有更低的导通电阻的特点,工作中的开关......
光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术，其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2～3μm......
微电子技术的发展水平和规模是标志国家经济实力的重要标准之一。光刻工艺是集成电路制造中的关键工艺之一,也是电子器件制成中必......
以智慧芽专利数据库中收录的全球126个国家/地区的半导体光刻胶相关专利文献作为研究对象，从专利申请量、申请趋势、专利法律状态、......
微细加工技术是在微观领域相对于传统加工技术而产生的一种新型加工技术,在精密仪器、微小模型、航天、首饰、汽车领域和范围内有......
文章在简述光瞳滤波技术原理与滤波器设计的基础上,详细分析研究了影响滤波成像光刻图形质量的因素,指出影响图形质量因素主要有滤......
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并......
量子点是一种极具潜力的发光显示材料,其发出的色光具有波长可调控、纯度高和效率高等诸多优点.而量子点发光二极管被称作下一代显......
在TFT-LCD生产过程中,重复性缺陷是光刻工艺中最常出现的一类不良,它的特点是不良在显示屏上位置固定,重复出现的规律性明显.在对......
电子束光刻系统具有很高的电子扫描成像精度,是实验室条件下进行纳米加工不可缺少的工具,在应用于微、纳米加工中需要解决几个关键......
光刻工艺由于工序繁多，涉及复杂的光化学反应和物理过程，所以优化工艺参数比较困难。本文基于NIKON公司的NSR2005i9c步进式光刻机进......
会议
当前,芯片制造技术日新月异,已达到纳米级。根据摩尔定律,可以进一步缩小其最小线宽。但是,另一方面,由于半导体生产线(特别是光刻......
自然界动、植物组织能够灵活实现并运用丰富的三维功能性形变,达到捕食昆虫、释放种子、传递花粉等目的.这些智能变形体系为研究自......
本研究工作主要合成了以四溴双酚A为主体结构的新型分子玻璃化合物。其具有分子量小，单分散，热力学稳定，较高玻璃化转变温度等优点，是......
基于Zernike相衬法原理和相衬板设计理论,利用金属材料Ag具有宽角度消偏振的特性,设计一种低偏振效应的移相膜。采用光刻及镀膜法,......
光刻是指通过紫外光曝光将掩膜图形转移到基底表面光刻胶上的工艺,是微纳加工制造中最关键的技术之一。1952年,光刻被首次用于集成......
本研究工作主要研制了一系列以双酚A为主体结构的新型分子玻璃化合物。其具有分子量小，单分散，热力学稳定，较高玻璃化转变温度(Tg......
本文提出了基于技能知识和过程虚拟的虚拟MEMS制造系统的概念,具体以光学光刻工艺为切入点详细分析了虚拟光刻环境原形系统及关键......
高频声表面波滤波器工作在基波时，叉指换能器指条和间隙仅为亚微米的几何尺寸，为了减小光刻工艺难度，滤波器可以用高次谐波制作。本文......
由于ＹＢａＣｕＯ是一种怕水、酸和乙醇等有机溶剂的材料，且通过一次光刻工艺后ＴｃＯ要下降３～４Ｋ．因此，减少光刻工艺次数就成为制备多元器件的关键。本文介绍......
悬空金属微条是探测高能粒子和Ｘ射线的新型探测器──微条气体室的探测元件。由微细加工制备的金属微条尺寸及其相互的位置精度都可......
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法
Describes the working principle of the SiGe / Si heter......
文章提出了时间一边界跟踪模型的定义，阐述了用该模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布的方法，并给出了模拟计算结果．
In this paper, the......
采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制......
光刻术是把超小花样刻印到半导体薄片上来制作复杂电路的技术，目前这些半导体电路正促使信息爆炸。这一技术是今天经典光学设计和制......
聚焦对投影光刻系统（如步进机）的影响是了解及控制光刻工艺的关键因素。随着特征尺寸的减小，它对聚焦误差的灵敏度迅速升高。因此，许多......
报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。要求的掩模数......
本文阐术了在Ｓ－１４００正胶中加入适量咪唑，使正胶不仅具有原来特性，而且经一定工艺处理后还具有负胶的功能。在制造铬板时，用这种胶涂敷的铬板......
介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明，所得ＬＢＯ圆片能够满足目前ＳＡＷ器件制作的要求......
本文描述了新型激光快速直写亚微米光刻系统。由准分子激光采用飞点扫描曝光的方法在片子上作图，制作了一种可编程相位调制的空间光......
基于电磁场Ｍａｘｗｅｌ方程组及其边界条件，导出了二元光学器件的严格耦合波衍射方程，分析了二元位相光栅的反射特性．在适当选取光栅的几何参数时......
在不同条件下（系统pH值，磨粉浓度，氧化剂浓度），通过对GaAs化学机械抛光速率变化规律的研究和对晶片表面氧化层的俄联（AES）分析，探讨了H2O2......
进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...
Photolithography at the turning point Paul Casstr......
为了配合高性能ASIC和微处理器的发展需要,W.L.Gore andAssociates(Newark,DE)公司声称开发了新型的半导体芯片封装。该封装如图......
本文以管芯为主，讨论了如何从工艺角度，实现高输入阻抗，涉及的主要工艺有：栅氧化、蒸发、光刻。
In this paper, the die-based, disc......
采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形。它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨......
日本电信电话公司(NTT),研制出具有宽为0.4mm,长约10mm,深为0.1mm加压槽的微泵。在槽中以梳式并列18对直径为0.015mm,高为0.1mm的......
由掩模、步进机、光刻工艺和计量仪器产生的误差影响着光刻套准。为此,推出一种检查掩模自身精度的新方法,它能为圆片加工提供更实......
本文利用准谐频设计方法，在常规光刻工艺水平上，成功地实现了ＧＨｚ级声表面波（ＳＡＷ）器件。准谐频叉指换能器（ＱＨＩＤＴ）的优点为：其指条宽与指间隙可以比一般......
本文利用二苯碘盐为光敏产酸物，吩噻嗪为敏化剂，配制了一种甲酚醛树脂———六甲氧基甲基三聚氰胺（ＨＭＭＭ）负性水型紫外化学增抗蚀剂，并研究......
