栅长相关论文
众所周知航空航天技术是国之利器并且正在高速发展,全世界有越来越多的航天器被送入太空中,而太空中存在大量的辐射,这些辐射会对......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说......
ＧａＮＭＥＳＦＥＴ宽带隙半导体已在高温电子学和大功率微波器件领域日益引起人们的重视。这主要是因为宽带隙材料产热率较低，击穿电场较高。ＧａＮ材料不仅......
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构...
SelectiveWetEtchingforInGaAs / InAlAs / InPhaseStructureField-Effec......
综述了近年来微波ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ可靠性的研究进展。重点介绍了影响其可靠性的因素如栅肖特基结和源／漏欧姆结的相互扩散及表面效应等。
The rese......
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最......
对 AlN/GaN HFET.的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测,发现了由 GaN 沟道层中陷阱作用引起的分散特性,陷阱的激活能......
本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间......
１４０ＧＨｚ工作的放大ＩＣ据《日经》１９９５年第６２６期报道，美国ＴＲＷＩｎｃ．的ＥｋｃｔｒｏｎｉｃｓＳｙｓｔｅｍｓａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤｉｖｉｓｉｏｎ已制成工作频率１４０ＧＨｚ的ＩｎＡＩＡｓ／ｌｎＧａＡｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ两级单片放大ＩＣ，可用...
140GHz work to enlarge the IC According to “Ni......
本文对源漏ｎ＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＋注入深度对器件的特性有一定......
本文从器件的几何、材料和工艺参数出发,获得了低功耗低噪声增强型(E型)GaAsMESFET(简称EFET,下同)模型的等效电路元件值.研究了器......
辐《NEC技报》1996年第5期报道，NEC公司开发了用于Ku波段卫星通信用的GaAs系异质结FET。这种HJFET放大器的总栅宽为25mm，器件栅长为0......
据《电子材料》1995年第3期报道，日本东芝公司采用0.0015μm超薄膜的栅氧化膜，研制成世界最高速的MOS晶体管，并可在室温下工作。该晶......
报道了在光照下具有高跨导值(高达64mS/mm)的1μm栅 Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET),解释了光照下器件跨导......
本文针对衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的解析模型进行了讨论．在已有ＭＯＳＦＥＴ理论基础上，仅引入一个参数ξ，便得到了全偏压范围的ＭＯＳＦＥＴ的解析表达式的通式．当ξ＝１时，该表达......
用 MOCVD 法制备了在高电阻率 GaN 层上生长沟道厚度为0.25μm的GaN MESFET,这些器件的跨导为20mS/mm,其中一个栅长为0.7μm的器件......
三菱开发９０ＧＨｚ低噪声放大ＭＭＩＣ日本三菱电机公司已制成可使毫米波通信机小型、高性能化的９０ＧＨＺ低噪声放大ＭＭＩＣ。毫米波通信可望应用于第二代的移动通信......
介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，输出功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。......
据日本《电子材料》1995年第2期报道，三菱电机公司开发的单片集成放大器，在90GHz下达到世界先进水平：噪声系数3．4dB，增益8．7dB。该产品的......
由于高亮度蓝光和绿光 LED 已在很大程度上实现了商用化,因此目前人们对 GaN 及其合金的兴趣显然不仅仅只是好奇而已。然而仍有许......
阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端......
以器件的实验结果和二维模拟结果为依据，讨论了ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＣＲ和电力二极管在高于液氮温度（７７Ｋ）时的特性
Based on the experimental results and ......
本文对微波小功率GaAs场效应晶体管的静电失效机理进行了分析.文中对两种静电失效模式(电压型强电场失效和功率型大电流失效)分别......
本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ（碳化硅）的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率......
据日本《应用物理》1997年第2期报道，松下电子工业电子综合研究所使用移相膜边缘线掩蔽光刻法（PEL），开发出了0．15μmT型栅的GaAsMODFET......
介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓＭＭＩＣ的设计、制作和性能测试，包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立、电路ＣＡＤ优化、ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为： 在频率９．４～１０．２ＧＨｚ下， 输......
据《电子技术》1997年第11期报道,NEC公司研制成栅长14nm的世界最小的MOS晶体管,并可正常工作。因此,有望研制成10Tb级存储器。研......
为满足低电压ＣＭＯＳ晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求，提出０．５Ｖ栅衬互连ＧＢＣ（ｇａｔｅ－ｂｏｄｙｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）体硅ＭＯＳＦＥＴ工作模式。利用二维器件模拟，对栅长直到７０μｍ的器件结构设计、特性......
据《ＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ》１９９９年第１期报道，Ｉｌｌｉｎｏｉｓ大学、ＮｏｔｒｅＤａｍｅ大学、Ｂｅｌｌ通信研究公司分别报道ＩｎＰ基高性能的Ｅ－ＨＥＭＴ。器件在半绝缘ＩｎＰ衬底上用ＭＯＶＰＥ生长Ｅ－ＨＥＭＴ材料，其结构是：缓冲层为Ｉｎ
According to ......
南京电子器件研究所在７６ｍｍ圆片上研制成功超宽带单片功率放大器，芯片尺寸为３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．１ｍｍ，采用栅长０．５μｍ的ＰＨＥＭＴ为有源器件，在１～２０ＧＨｚ频带范围内测得放大器的线性......
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ......
描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ
Describes the design and manufacture of 8 ......
提出了一种ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型．分析了ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式．通过提取适当的模型参数，其直......
对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次......
随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。......
AlGaN基HFET已显示出在高功率微波应用的巨大潜力。包括频率响应在内的问题已得到解决,频率响应被载流子迁移率和栅长所限制,做了......
UCLA,JPL和Epitronics报道了在半绝缘4H-SiC衬底上生长的非掺杂沟道Al0.30Ga0.70N/GaNHFET,器件没有制作空气桥,获得的fmax达到了1......
据日本《电子材料》2 0 0 0年第 2期报道 ,三菱电机公司开发了超高性能的 0 .1 3μm CMOS晶体管。该产品栅长为 0 .1 3μm,在电源......
Ⅰ 线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光 ,在 5 0KV加速电压下 ,其曝光剂量为 5 0 1 0 0 μC cm2 ,曝光后在 0 .7%Na......
