刻蚀相关论文
近年来人们对储能设备的需求加大，超级电容器因其优异的性能而受到研究者青睐。二维过渡MXenes材料是一种类似于石墨烯的二维片层材......
阐述在14nm FinFET及以下工艺，由于器件需要，较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm。DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右。探讨在形成最终的......
为了探索对基于不同衬底的透明导电薄膜的图形化制作，研究了采用激光刻蚀基于玻璃和柔性PET衬底的ITO和FTO等TCO薄膜材料的优化工艺......
本文设计并制备了一款分辨率为1 920×1 080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀的方法完成电流......
AlN晶体是一种脆性难加工半导体材料。为了高效率高质量制备AlN晶体衬底，设计了不同化学成分的研磨液研磨AlN晶体，借助激光共聚焦显......
癌症现在依旧是致死率最高的疾病之一,普及肿瘤标志物的检测能够及早发现肿瘤,提高肿瘤的治愈率。现在肿瘤检测的主要场所是大型医......
相变存储器（PCM）由于其操作功耗低、读写速度快、非易失性、高密度、以及与CMOS工艺兼容等优点,被认为是最有潜力的下一代存储器之一......
正渗透技术因具有能耗低、膜污染小、水回收率高等优点受到越来越多的关注,在水处理、发电、食品和制药等领域具有良好的应用前景......
二维材料是指一类由单层或少层原子或分子层组成的,在一个维度上尺寸减小到极限的纳米材料,伴随着2004年石墨烯通过机械剥离法被成......
电子束曝光技术是制备纳米精细结构的关键技术,在纳米科学研究、微纳原型器件制备、生物医学等领域具有广泛的应用。本论文以电子......
β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体材料,具有高击穿电压以及良好的巴利加优值,禁带宽度高达4.8eV。在大功率器件领域有良好的应用前景,......
镁合金的腐蚀是以电化学腐蚀为主,因此防止水分子的进入可有效提高镁合金的耐蚀性能。低表面能和粗糙结构是构建超疏水表面的两个......
在MEMS加工制造过程中,低温等离子体刻蚀技术在刻蚀工艺中占有重要地位。按等离子体源的不同,等离子体刻蚀可以分为容性耦合等离子......
随着电子器件不断微型化,电子学领域的发展面临着越来越严峻的挑战。开发性质优于传统硅基半导体材料的下一代新型低维半导体材料......
新型二维纳米材料MXenes具有优异的力学性能、导电性以及亲水性等理化性质,在复合材料、能源以及催化等领域表现出极大的潜在应用......
现今的大规模太阳电池生产领域,P 型衬底占了绝大部分的市场份额,而N 型硅衬底由于其高少子寿命和无光致衰减越来越受关注.本论文......
在二元光学衍射微透镜的制作工艺中, 光刻胶的行为和特性对衬底的最终图形有着极为重 要的作用。光刻和刻蚀两道工序都要求实际图......
报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果, 实验采用分子......
针对传统电路板集成方式的局限性,提出基于飞秒激光的覆铜板线路成形技术。采用飞秒激光对覆铜板进行单因素实验和正交实验,结果表......
目的 研究不同晶面取向对飞秒激光刻蚀加工硅的影响.方法 采用515 nm绿光高功率飞秒激光器,通过改变激光平均功率和扫描次数,对硅(......
利用深反应离子刻蚀技术或湿法腐蚀在硅上制作光栅结构,将与光栅浸润的液体作为载体携带铋纳米颗粒进入光栅结构内,形成致密排列,......
自2008年惠普实验室发现忆阻器以来,忆阻器已经在非易失性信息存储(NVMs)和神经计算(Neuromorphic computing)领域得到了越来越多......
分别利用中频磁控溅射(MFS)方法和微波电子回旋共振(ECR-MW)等离子体方法制备了Yb:Er共掺AlO薄膜,研究了氧气与氩气比例、样品荧光......
飞秒矢量激光直写技术可以极大地压缩激光作用区域，减少激光对材料的热影响，其作用时间以飞秒尺度计算，而离子体生成时间以皮秒尺度计......
通过改变飞秒激光的重复频率、聚焦光斑的能流密度及扫描速度,研究了不同的激光加工参数对纳米金刚石涂层表面去除率的影响规律.利......
用酞酸丁酯和盐酸通过两步水热法制备了一种新型双层Ti O2薄膜。其水热过程包括生长过程和刻蚀过程。在生长过程制备了一种上层为......
会议
提出了一种简单而有效的监测激光烧蚀方法.展示了等离子体发光强度-时间曲线用于激光烧蚀刻蚀过程实时监测的良好前景.更多还原......
Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质......
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最......
镀铁层与基体的结合强度是否够用、是否稳定是其能否用于生产的前提条件,本文综述了多年来在推广低温镀铁中出现的结合强度问题并......
采用157 nm波长准分子激光,对LED-GaN半导体薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,......
设计了采用准分子激光技术实现聚偏氟乙烯(PVDF)表面导电层图形化的制备方案。根据刻蚀缺陷为导电层活性中心的结论,利用刻蚀线构......
应用材料公司发布了基于Applied Centura~(?)Silvia~(TM)刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速......
研制出一种具有微结构缺陷的新型光纤光栅,并对其温度特性进行了实验研究。该光栅是利用不同浓度的氢氟酸溶液对光纤布拉格光栅进......
分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶......
硅基微通道板（MCP）的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀方法研究硅基高深宽比微孔......
用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体......
针对现有微透镜加工方法难以在红外探测器衬底材料CdZnTe上实现大孔径、深浮雕微透镜制备,提出了一种利用ICP-RIE干法刻蚀结合化学......
基于Ga As衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1......
研究了一种基于深刻蚀的硅基周期波导一维光子晶体微腔,采用时域有限差分(FDTD)方法对设计的微腔结构进行了模拟分析;讨论了深刻蚀......
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(......
