氧化镓相关论文
超宽禁带氧化镓（Ga2O3）半导体材料禁带宽度为4.5～5.16 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓等半导......
本文使用导模法（EFG）制备了4英寸氧化镓（β-Ga2O3）单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究。晶体不同方向劳厄（L......
氧化镓（Ga2O3）禁带宽度为4.9 e V,紫外吸收边对应为253 nm,是天然的深紫外探测材料,已然成为光电领域的研究热点。近年来,消费者对智......
采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga2O3薄膜并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火，通过对样品的晶体结构、透射率、表面......
近年来，宽带隙半导体材料氧化镓在日盲紫外探测领域的应用引起了广泛关注。本文基于溶液法制备了非晶氧化镓薄膜，采用紫外光退火的方......
基于金属纳米等离子体的局域表面等离激元效应（LSPR）能够增强局域电场强度,并表现出优异的光捕获能力,可有效提升光电子器件的性能.......
β相氧化镓较碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料具有更加出色的材料特性，如更宽的禁带宽度（～4.9 eV）、更高的击穿场强（～8 MV/cm）、更大的......
近年来,人们对紫外探测器的需求日益增加,探测器的微型化、集成化和低功耗成为了人们研究的重点,自供电探测器不需要外加偏压即可......
氧化镓（β-Ga2O3）是新一代的超宽禁带半导体,具有高击穿场强,优越的热稳定性和化学稳定性,在日盲紫外探测和高压大功率电力电子器件......
21世纪以来,电力电子技术已得到了长久的发展,在电力系统、新能源、信息、远洋运输、太空探索等领域有着较为广泛的应用。然而,由......
学位
镓是重要的稀散金属,在我国战略性新兴产业发展中应用广泛。镓多从冶金副产品中提取,含镓二次资源成为冶金综合利用的重要资源。采......
本论文主要研究了影响铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体管电学性能的因素,以及ε-Ga2O3对铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体......
研究了超声雾化化学气相沉积(Mist-CVD)法外延生长α-Ga2O3薄膜过程中通入雾流速率的调控及其对薄膜生长质量的影响.利用COMSOL Mu......
X射线具有波长短、穿透能力强等优点,在医学成像、安全检查、科学研究、空间通信等领域具有重要作用.半导体X射线探测器可以将X射......
由于被臭氧层、大气层中水蒸气以及微小颗粒物强烈地吸收和散射,太阳辐射中波长短于280 nm的光在地球表面几乎不存在,所以被称为日......
目的 为了探究在半固结研磨工艺下的工艺参数对单晶氧化镓(100)晶面材料去除率和表面形貌的影响.方法 通过单因素试验研究研磨垫上......
因为大气层强烈的吸收和散射,波长小于280 nm的太阳光不能到达地球表面,这一波长区域为光学探测提供了一个低背景窗口,被称为日盲......
纳米材料由于其量子尺寸效应和不同的表面形貌,具有多种独特的性能,β-Ga2O3也因为较大的禁带宽度和优秀的化学物理性质而作为下一......
以硅（Si）材料为基础的工业半导体取得了前所未有的进步,然而其较小的带隙无法满足半导体器件在高压、高频、高功率以及短波长发光和......
阻变效应可以应用于阻变存储器件、人工神经网络的突触可塑性模拟器件,在存算一体化领域展现出一定的应用前景,近年来成为功能材料......
氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显......
氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料......
日盲紫外探测技术凭借其环境噪声低、抗干扰能力强、灵敏度高等优势获得了越来越多的关注,并在短波通信、导弹预警、火灾检测、生......
深紫外探测技术因其空间背底噪声低、灵敏度高等特点而在导弹预警与制导、保密空间通讯、紫外成像、火焰探测和臭氧空洞检测等领域......
由于臭氧层对200～280 nm波段紫外辐射的完全吸收,此波段在大气层中几乎不存在,因此我们称之为“日盲”波段。基于此波段的紫外探测......
随着科学技术的不断进步,电子设备朝着智能化、小型化和便捷化的方向快速发展,器件特征尺寸不断变小,传统Si O2介质层逐渐逼近其隧......
氧化镓作为一种重要的宽禁带半导体,具有高的热稳定性和优异的化学和物理性质。另一方面,稀土离子本身是良好的发光材料,氧化物半......
氧化镓（β-Ga2O3）因其本身良好的稳定性、超宽带隙（4.9 eV）和优良的物理化学特性广泛应用于光电器件、气敏传感器、能源催化、以及日盲......
Ga2O3,一种超宽带隙（Eg～4.9 eV）透明氧化物半导体材料,具有高击穿场强、耐高温、抗辐射性强、化学稳定性好等特性,在微纳光电子领域有......
本论文基于氧化镓单晶衬底和薄膜衬底,制备了不同电极间距的肖特基二极管,对二极管进行了一系列的电学测试,并对测试结果进行了分......
学位
紫外光电探测器在重要领域有着关键地位,如机密空间通信、火焰探测、成像和导弹预警系统等方面,引起了人们越来越多的研究兴趣。氧......
氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本.21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量......
本文利用激光分子束外延技术(L-MBE)在(0001)蓝宝石衬底上沉积了β-Ga2O3薄膜，并分别对薄膜的结构，光学以及光电性能进行了研究.XRD......
薄膜膜的结晶质量对光电器件的性能有着重要影响。然而，由于晶格失配和不同的热膨胀系数，难以通过直接沉积的方法在玻璃，蓝宝石，氧化铝......
利用脉冲激光分子束外延技术(L-MBE)在(0001)蓝宝石衬底上沉积了β-Ga2O3薄膜,XRD分析结果显示,该薄膜具有(-201)取向,反射高能电......
二维非层状化合物的制备存在巨大的困难,使二维材料仅仅被局限于石墨烯和层状类石墨烯化合物.本文我们成功制备二维氧化镓纳米片,......
相比于第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），氧化镓（Ga2O3）具有禁带宽度更大、击穿电场更强、吸收截止边更短、生长成本更低等优点......
以蚕丝蛋白为模板,在相对温和的条件下通过生物矿化的手段形成具有特殊形貌的α-GaOOH颗粒,并通过在不同温度下煅烧α-GaOOH得到α......
日盲紫外探测器以其较高的探测灵敏度和较低的背景噪声广泛应用于导弹制导、空间安全通信、臭氧层空洞监测和火焰检测等军事和民用......
有 mono/poly-crystalline 自然的三不同象nanorod一样镓氧化物(，，并且 /-Ga <潜水艇class=“ a-plus-plus ”> 2 </sub > O <潜水......
电子结构和做 N 的 -Ga2O3 和 N-Zn 的光性质共同做 -Ga2O3 被第一原则的计算调查。在 N-Zn 共同做的 -Ga2O3 系统，格子参数一， b， c， ......
乐队结构，状态的密度，电子密度差别和内在的 -Ga2O3 和做 N 的 -Ga2O3 的光性质被计算用基于密度第一原则功能的理论。在做的 N 以后......
采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不......
