氮化铝相关论文
作为新型功能性陶瓷,氮化铝（AlN）具有高导热性、高机械强度、高绝缘性及高稳定性等多项优异性能,是目前最具前景的陶瓷材料之一。然......
近年来,宽禁带半导体材料的相关研究如火如荼。其中,氮化铝（AlN）是典型的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达6.2 eV。作为直接带隙半......
全球对公共空间和家庭环境的消毒杀菌需求与日俱增，以深紫外LED为代表的新型宽禁带半导体光电器件正成为科技“新触角”，广泛应用于......
通过丙烯酸铵在氮化硅悬浮液中的聚合反应对氮化硅粉体进行了表面改性,改善了氮化硅粉体在水中的分散特性,配制了50vol%的浓悬浮液......
窄线宽激光器具有高时间相干性,低相位噪声,在光通信、光传感、光谱学以及测量和检测等领域中具有重要应用。现有半导体激光器具有......
采用氮化铝基板进行功率负载制备，可满足微波系统对高散热的要求。本文详细介绍了氮化铝基板微波功率负载的设计、制备过程，比较了制......
随着信息化时代的发展,薄膜体声波谐振器（FBAR）具有体积小、高频和高Q值等优势,被广泛应用在射频和传感领域。紫外传感技术具有抗干......
结合窑系统运行情况，研究了水泥窑协同处置铝灰对水泥窑系统影响。结果表明：利用水泥窑协同处置铝灰，应通过固态系统入分解炉处置，不仅......
研究了氧化铝球磨对碳热还原反应合成氮化铝的作用。结果表明：氧化铝高能球磨几分钟后，晶粒细化至纳米级，随球磨时间增加，晶粒尺寸变化......
研究了高能球磨对氧化铝碳热还原反应制备氮化铝的作用。结果表明：氧化铝及没料经高能球磨后，碳热还原反应开始温度降低，完全反应的温......
本文分析了定向电桥的发热点,微带片基底的材料特性与定向电桥传输功率的关系,引入氮化铝基材对微带电路部分进行改进设计,提高了......
以AlN角形粉和AlN球形粉为填料,以PDMS为有机基体,制备不同固含量的导热复合材料,研究了AlN形态、AlN填充分数及粉体表面改性等对......
光探测技术是信息采集的重要手段,在军事、国防、工业生产、国民经济、科学研究、医疗设备、光通信等许多领域具有重要的应用,也是......
微腔光频梳在光谱测量、微波光子学、光学原子钟和相干光通信等领域具有重要的应用。宽禁带氮化物半导体材料，如氮化铝（AlN）和氮化镓（G......
氮化铝（AlN）具有高的热导率,较低的介电常数和介电损耗,与硅、砷化镓等一些半导体相匹配的热膨胀系数,被认为是新一代高性能陶瓷基板......
集成的高相干性自参考光频梳（Optical frequency comb）在超快精密测距、光学频率合成、光学时钟等领域展现出巨大的应用前景。为实现......
人工智能、机器学习等新兴领域的相关需求驱使忆阻器的研究向系统化、应用化深入推进。忆阻器在多种人工智能项目中具有集成度高、......
氮化铝（AlN）陶瓷具有高热导、高电阻、低介电损耗、低膨胀以及良好的力学性能等特性，可用作高性能导热基板和陶瓷封装材料。本工作评......
太赫兹波所处的电磁频谱位置让其有了宽带、瞬态、低能量和连贯性等特点。由于自然科学不断地发展以及进步,太赫兹频段的频谱信息......
氧化锌是直接宽带隙Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。在此基础上一维氧化锌纳米棒也因具......
我国电解铝生产、铝加工过程每年产生200万吨毒性铝灰,因缺乏大规模处置技术,历史堆存量已超千万吨。由于氮化铝、氟化物等毒害组......
共价氮化物（典型如氮化硼和氮化铝）是著名的高温稳定材料,具有优异的机械强度、抗腐蚀能力和导热性能,在热驱动的多相催化领域具有潜......
微化学反应器是一种能够通过控制化学反应的流速等方式控制化学反应进程的微型化学设备,可以大大缩短反应时间提高反应效率并且集......
因为大气层强烈的吸收和散射,波长小于280 nm的太阳光不能到达地球表面,这一波长区域为光学探测提供了一个低背景窗口,被称为日盲......
随着科学技术的发展,电子元器件发热量大幅度增加,因此开发兼具高导热和高绝缘性能材料日益迫切.以甲基乙烯基硅橡胶(SR)为基体,碳......
氮化铝陶瓷基板在化学镀镍生产过程中出现了局部区域起泡、腔体部位发黑的现象.通过故障复现试验,发现原因有二:(1)化学镀前基材钨......
为了促进二次铝灰的再生利用,采用添加冰晶石并高温焙烧二次铝灰的火法工艺以去除其中的氮化铝。采用响应面法进行实验设计和参数......
热电子跃迁,即动能远远大于平均热动能的电子越过某一较大的势垒,是决定半导体材料和器件的光电性质的一种重要机制。研究热电子相......
针对电子器件小型化和集成化过程中存在电绝缘能力不高、热导率低等问题,本论文以芳纶纤维为基材,采用二甲基亚砜/碱溶法制备芳纶......
氮化铝（AlN）是直接带隙宽禁带（～6.02 eV）化合物半导体,其具有优异的声光学性质和电学性质,在光电子器件领域有着巨大的发展前景。但目前......
铝是地球上存在量最大的金属,铝及其合金具有密度小、熔点低,良好导电、导热,塑性变形优良且易加工成型等优点,被广泛应用于航空航......
氮化铝（AlN）是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延（HVPE）方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制......
近年来，微电子和半导体技术的飞速发展对器件材料的散热要求越来越高。因具有热导率高等优异性能，AlN引起了广泛关注。以三聚氰胺、......
在氮气环境下用PVT方法生长氮化铝过程中,氮面和铝面由于表面化学性质不同,生长的主要化学反应速度存在差异。原子在生长表面的迁......
本文基于自主设计的氮化铝生长炉，开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征......
利用激光改性方法研究了被广泛应用在微电子组件封装中的氮化铝（AlN）陶瓷基板在不同气体环境、激光功率、扫描间隔下的可加工性,通过......
本文研究了在A1N多层布线共烧基板中,采用Ni作为添加剂的表面焊盘浆料体系中SiO含量对共烧基板烧结性能的影响.结果表明SiO的质量......
借助专业长晶模拟软件FEMAG和自主开发的对流、传质、过饱和度及生长速率预测等有限元模块研究了物理气相传输法（PVT）同质外延生长氮......
毫秒和纳秒激光以其高可靠、高效率、低成本和可加工硬脆难加工材料的独特优势,成为加工氧化铝和氮化铝陶瓷的首选,在电子陶瓷基板......
研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ......
为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热......
