生长温度相关论文
日盲紫外探测器有广泛的应用前景。MgZnO材料由于对紫外光比较敏感、响应度比较高、可探测紫外光范围比较宽,因此MgZnO成为了一种......
氮化铝（AlN）是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延（HVPE）方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制......
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在p型4H-SiC衬底上,制备出沿(403)择优生长的β-Ga2 O3薄膜.结果表明,衬底生长温度对β-Ga2 O3薄膜......
GaN薄膜的应用范围广泛,MOCVD是生长GaN薄膜的重要技术,研究GaN薄膜的生长机制对于提高薄膜质量具有重要意义.本研究运用分子动力......
本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色......
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延......
应用RF(射频)磁控溅射设备在超白玻璃和石英玻璃等非晶基体上生长Nb掺杂TiO2薄膜。在固定的电源功率、频率、靶基距和溅射时间的条......
会议
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的......
本文采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、......
会议
在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控p型掺杂以及获得陡峭异质界面。本文使用分子束外延方法, 采用a面蓝宝石为衬底......
GaAs基纳米线材料在新一代光电子器件的研究及制备领域具有广泛的应用前景,近年来一直是国内外研究的热点。由于其高迁移率,高漂移......
掺氮金刚石薄膜不仅同已被广泛研究的掺硼金刚石(BDD)薄膜一样拥有优异的电化学性能,而且具有更加丰富的的结构和物相组成,是一种......
用化学气相淀积方法在Si（100）衬底上制备Si 缓冲层、继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C 合金薄膜。研究表明，较低的Si 缓冲层或Si1-......
Zn0晶体的主要生长方法有助溶剂法、水热合成法、气相法。近年来，由于制备技术的提高，呈现出如金属有机物化学气相沉积((MOCVD)、分......
InGaN/GaNMQW发光波长对温度非常敏感.但是由于石墨载盘高速旋转、晶圆透明等原因,MOCVD外延过程中的温度控制和监测十分困难.本文......
本文利用同步辐射X射线高分辨衍射、掠入射表面衍射、原子力显微镜、电子显微镜等手段研究了SiGe外延层的生长质量、组分与作为缓......
首先得了解茄子的生物学特征。茄子的根系很发达，育苗移栽后主要根系分布在30厘米以内；茄树叶柄长、叶身大，容易招风倒伏，因而栽培时需......
响应各种各样的环境因素在近海华南海，螺丝钉脱臼的一组微观结构从海南岛的沿海的水在 Pteria 企鹅的真珠质的层的表面上在多相的螺......
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.......
利用课题组自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在朝[11-20]方向偏转4°的(0001)Si面4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长......
定向碳纳米管阵列的可控制备是其在诸多领域深入研究和推广应用的基础。本文借助化学气相沉积系统，以负载有图形化催化剂的硅片......
运用原子力显微镜(AFM)技术对在相同的生长温度，不同的过饱和度条件下生长的KDP晶体{100}面生长台阶的推移规律进行了系统的研......
设计了垂直提拉无籽晶化学气相方法，生长出了直径达12 mm的优质ZnO单晶。通过对生长温度的优化以及对石英安瓿的设计，并结合垂直......
高质量非极性面取向ZnOS薄膜的生长制备及其结构和性能探究具有重要的学术意义和潜在应用价值.由于极性面量子阱受到斯塔克效应的......
鸡腿菇以其独特的食疗保健功能和艳丽的色泽、鲜美的味道以及可观的效益,深受消费者和生产者的喜爱.现将其栽培技术介绍如下:rn一......
一、把握好季节是关键 鸡腿菇是一种恒温结实性品种,菌丝生长温度5～35℃,最适为22～28℃;子实体发生温度10～30℃,最适为15～25℃,温度低......
大豆品种N8855种子浸种后播于消毒土的盆钵内，置于无光照的生长箱内，生长温度为29℃，于第8天发现-株突变体(M0)子叶表现互生现象，而其......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
使用数值模拟的方法,对氢化物气相外延(HVPE)生长α-Ga2O3材料的温度和反应源气流进行了优化.区别于传统的在反应腔内HCl或Cl2携带......
采用脉冲激光沉积方法,在制备有LaNiO3(LNO)底电极的LaAlO3(LAO)衬底上,分别在500,600℃和700℃的沉积温度下制备了锆钛酸钡Ba(Zr0......
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600℃。薄膜的表......
从野生稻上分离到1株对水稻细菌性条斑病菌(Xanthomonas campestris pv.oryzicola,简称Xco)具有强抑制力的细菌WY7.根据WY7菌......
GaSbBi为一种新型窄带隙稀铋材料，旨在通过掺Bi达到引起能带收缩，在中红外激光器和中红外探测器中有着很重要应用前景。目前关于......
采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9～1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数......
实验研究采用MOCVD技术生长量子点.影响量子点MOCVD生长的因素有衬底、环境压强、生长温度、沉积速率、沉积厚度、材料Ⅴ/Ⅲ流量比......
会议
以InSb、InAs 和 GaSb 为代表的III-V 族半导体,具有极其优异的电子输运特性和独特的小能隙能谱结构,是研制新型超高速纳米电......
在这篇文章中，我们报道了利用化学气相沉积技术制备不同形貌的A1掺杂的ZnO纳米分级结构。结果发现，在同样的生长温度下，同样的衬......
对不同温度下沉积的硫化锌(ZnS)薄膜的结晶情况和光学特性进行了研究,结果表明:沉积温度对ZnS薄膜的物理和光学特性有较大影响,不......
