低温外延生长平整ZnO薄膜

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在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控p型掺杂以及获得陡峭异质界面。本文使用分子束外延方法, 采用a面蓝宝石为衬底, 在450 ℃下生长了一系列ZnO薄膜样品。在富氧生长的条件下, 固定氧流量不变, 通过调节锌源温度来改变锌束流, 以此调控生长速率。样品的生长速率为40~100 nm/h。通过扫描电镜 (SEM) 表征发现: 在高锌束流的生长条件下, 样品表面有很多不规则的颗粒; 降低锌的供应量后, 样品表面逐渐平整。原子力显微镜(AFM)测试结果表明: 样品的均方根表面粗糙度(RMS)只有0.238 nm, 接近于原子级平整度。这种平整表面的获得得益于较低的生长速率, 以及ZnO外延薄膜与a面蓝宝石衬底之间小的晶格失配。
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