【摘 要】
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由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面形貌的影响,发现V/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的V/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面形貌的影响,发现V/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的V/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.
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本文介绍的电子学电路用于大面积塑料闪烁探测器,包括光电倍增管分压器电路、电荷前放、主放大器几部分,主放大器由放大、成形、甄别及符合电路组成.电路主要具有快速、动态范围宽、电荷灵敏度高等特点.
针对稳态信号测量中探测器信号电流小于暗流,从测量数据中很难获取可靠信号数据的测量困难,采用在被测量电流进入纪录仪器前,同时输入一种与暗流极性相反的电流,利用反向电流叠加、抵消的方法,减少或消除暗流对稳态信号电流的影响.采用该方法,在测点注量率小于4×109 s-1cm-2、环境温度为常温、探测器暗流大于1μA、辐射引起信号电流小于1μA的情况下,实现了对φ20mm×300μm PIN探测器的有关性
本文介绍了使用INTEL公司的16位单片机80C196设计的用于空间探测的数据采集系统，并阐述了该系统的原理。
本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAlGaN/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、卢瑟福背散射(RBS)等实验测量分析.实验结果表明低压条件下气相中的寄生反应可以得到有效控制.而且样品表面的均方根粗糙度约为一个单分子层厚度,阱垒之间的界面也很陡直.与G
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层.研究了GaN外延层中的应力和光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值.研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量.
化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因,利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓冲层位于13-20nm之间时,可有效抑制Si的扩散.
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.PL测试发现在2.8—3.1eV范围内,有很强的4H-SiC的施主-受主对(DAP)跃迁发光峰,以及自由电子向束缚在受主杂质上的空穴跃迁的发光峰.
用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结构特征;利用二次离子质谱(SIMS)对3C-SiC样品的组份进行了深度分析.尤其是N和B两种杂质在SiC表面的浓度变化.并结合霍耳(Hall)测试结果对未有意掺杂3C-SiC的电学特性进行了研究.
作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为6.8×10A/W.