紫外探测器相关论文
GaN是一种直接带隙半导体材料,其光学带隙约为3.4 e V,对应吸收边为365 nm。合适的带隙、优异的热导率和良好的稳定性使GaN成为理......
光电探测器作为人类探索世界感知世界的“千里眼”,在军事和民用领域都有着极为重要的作用和广泛的应用,例如导弹告警、火灾探测、......
高性能紫外光探测器在环境监控、临床医学、空间探测、军事安全等方面具有广泛的应用前景。近年,基于ZnO纳米棒（NRs）的紫外传感器表......
近年来,人们对紫外探测器的需求日益增加,探测器的微型化、集成化和低功耗成为了人们研究的重点,自供电探测器不需要外加偏压即可......
全无机卤化物钙钛矿（AIHPs）因其固有的高光吸收系数和优越的环境稳定性而引起人们的广泛关注,然而可见盲紫外波段探测器方面的研究仍......
近年来,紫外光电探测器由于在天文学、环境监测、先进通信和辐射探测等领域的广泛应用,受到越来越多的关注。InGaO3（ZnO）n超晶格纳米......
偏振紫外发光与探测在紫外偏振曝光、宇宙背景辐射探测、大气分析等特种应用领域有着重要的应用价值。非极性a面ZnO材料,一方面因......
作为第三代半导体的一员,AlGaN的研究和发展已取得重大进步,同时基于此材料的紫外探测器也得以空前发展。由于各类型AlGaN基紫外探......
紫外探测技术在军事和民用领域都有广阔的应用前景。传统的真空光电倍增管和硅基光电二极管已无法满足人们日益增长的需求,紫外探......
本文采用脉冲激光沉积法（PLD）在石英及SiO2/Si衬底上生长了 MgZnO薄膜,研究了不同Mg含量靶材、衬底温度、氧气压强以及氧气流量等对......
GaN基材料具有直接带隙、禁带宽、光吸收系数大、抗辐射及耐高温等优良的物理和化学特性,非常适合制备高性能的光电探测器或者电子......
蓝宝石衬底质地坚硬、不易减薄且表面翘曲严重,碳化硅衬底尺寸小、价格昂贵,相较之下,硅衬底价格低廉、晶圆尺寸大、晶体质量高、......
紫外探测由于其几乎不受各类电磁波的干扰,同时具有较高的位辨率与低窃听率等特点,被广泛应用于导弹预警,火灾监测,生物化学检测,......
GaN 光电阴极的制备成功与否需用科学手段加以评估。在GaAs 光电阴极多信息量测试系统的基础上，增设紫外光源，并对评估软件重新加以......
利用自行研制的NEA GaN 光电阴极多信息量测试评估系统，测试出阴极在不同情况下所对应的量子效率曲线，根据测试曲线的不同变化规律，对......
在空间环境中，航天器中的CMOS集成电路中的CMOS半导体元器件存在阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底漏电流增加和转角1/f噪声幅值增......
用等离子体辅助分子束外延方法在a-面蓝宝石上生长了ZnO基p—i—n同质结探测器,并研究了其光响应特性。其中的p型ZnO层是通过Li—N......
本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层......
在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快......
用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.本文测试分......
作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度......
随着对声表面波器件的不断深入研究,人们提出了用声表面波器件作为高明敏度传感器的构想。基于ZnO半导体纳米线对紫外光良好的紫外......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英村底上制备了MgNiO薄膜,研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优化制各条件,在400℃......
在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N／AIN／n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au......
氧化锌作为一种宽禁带和高激子束缚能的半导体材料,具有良好的光电导性能,且物理化学性质稳定.近年来,一维氧化锌纳米材料,尤其是......
AlxGa1-xN具有许多有潜力的应用,可用于导弹尾焰探测、火灾报警、卫星——地面安全通信等.近年来随着MOCVD技术的进步,制备的高铝......
采用直流反应磁控溅射的方法制备TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用......
紫外光由于具有日盲特点而使其在通信方面有着特殊的的必要性及优越性,紫外光的探测是紫外光通信和其他常用通信方式的主要区别点,......
采用金属有机物化学气相外延(MOCVD)方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-......
本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出......
AlGa基紫外探测器具有量子效率高,工作电压低并能够通过调节组分改变相应波段,在用于多光谱成像时能减少滤光片的使用,提高系统效......
利用ISE软件模拟了4H-SiC pin光电二极管日盲紫外光探测器电学特性，得出光电流密度在10-7A/μm2与实验结果吻合较好，验证了模型的正......
The current-voltage (I-V) characteristics of 4H-SiC metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetector with diffe......
We create a GaN photocathode based on graded AlxGa1?xN buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer ......
设计了一种以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品作为透射式阴极材料，并利用超高真空表面净化工艺与（Cs,O）激活工艺对其......
MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成......
GaN光电阴极的制备成功与否需用科学手段加以评估。在GaAs光电阴极多信息量测试系统的基础上, 增设紫外光源, 并对评估软件重新加......
β-Ga2 O3是一种新兴的超宽带隙半导体材料,由于具有4.9 eV的带隙、较高的击穿电场(8 MV/cm)及较高的热稳定性和化学稳定性等优良......
期刊
紫外光的探测在辐射监测，生化分析，天文学和导弹发射等领域中具有重要的作用，人们对高性能紫外探测器的需求不断增长。在各种紫外探测......
第三代半导体材料具有禁带宽度大和击穿场强高等优点,因此在紫外探测和电力电子方面具有巨大的发展前景和研究意义。尤其是β-Ga2O......
超宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有超高击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率、高表面声速、高非线性光学系数等优点,可用于制......
室温下采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备Mg0.05Zn0.95O薄膜，在500℃空气中退火1h后利用直流磁控溅射技术在Mg0.05Zn0.95O......
描述了基于AlGaN日盲紫外焦平面成像系统的硬件和软件设计,实现了对320×256阵列的AlGaN日盲紫外焦平面探测器输出信号的采集、图......
采用SiO2钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外延薄膜制备了金属-半导体-金属（MSM）结构的紫外......
由在设备制造利用 Schottky 接触，我们构造了快反应紫外光电探测器基于处理答案的 ZnO nanocrystals。在 5 V，察觉者与 20 ns 的一上......
