晶格失配相关论文
过渡金属是常见的二氧化碳甲烷化催化剂,其中金属镍凭借转化率高、稳定性能好以及价格低廉等优点成为实验室常用的催化剂。但镍催......
为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻......
采用原位光辐照的MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZnO纳米柱的横向尺寸变大。从......
结合应力弛豫模型中的硬化机制,设计了组分梯度渐变的AlyGa1-x-yInxAs 缓冲层结构,并采用低压金属有机物化学气相沉积技术在7o偏角......
基于AlN和GaN等Ⅲ族氮化物材料的第三代半导体照明器件具有广阔的应用前景，但常用的蓝宝石衬底散热差且与AlN、GaN存在较大的晶格失......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
采用低压金属有机物化学气相沉积设备在GaAs衬底上生长了GaxIn1-xP(x=0.52-0.22)渐变过渡层及其上的In0.3Ga0.7As外延层，并用高......
会议
本文利用分子动力学的方法和模拟退火技术从原子尺度分析研究了Si(100),Si(111)和Si(211)表面单原子层石墨烯的褶皱形貌及其演化特......
１０５量子阱半导体激光器的进展蔡伯荣（成都电子科技大学光电子技术系，６１００５４）本文简要介绍量子结构激光器的新进展。超晶格量子阱概念是７０年代初由......
简述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的基本原理，锗硅合金的基本性质，及发展现状。
The basic principle of SiGe / Si heterojunction device, the ba......
本文简要叙述了发光二极管的发展历史及其自身的特点，着重介绍了发光二极管的生产工艺，所使用的材料与发光特性的关系，以及发光二极管......
日本中央大学理工学院Mitsru Ohtake等人采用MgO(111)单晶基体,加热到300℃,制备CoPt和Co3Pt外延膜,从密排面有序度和原子堆垛次序......
ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以......
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体可以用来制作发光器件。为了在异质结构器件中提供所需要的带隙和能带偏移范围,必须生长InGaN膜层。但是用诸......
人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件。GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料。 6H SiC衬底......
美空军研究院(AFRL)的工程技术人员声称制造出首只金刚石上GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。尽管AFRL研究小组的说明只是概括性的,没......
研究了La:YIG的液相外延生长工艺。测量了在不同温度下生长的膜的铁磁共振线宽△H;测定了膜的化学组成和衬底与外延膜的晶格失配度......
据《Compound Semiconductor》2006年第11期报道,美国海军研究实验室(NRL)的研发人员通过新型InAs HEMT设计突破了微波放大器的能......
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM......
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱......
利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形......
丰桥科技大学(Toyohashi University of Technolog)最近演示了如何将GaN发射器和其他光学材料集成到硅衬底中。研究人员称已经解决......
采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长a-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对a-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。......
采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点,通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的......
市面上一般有三种材料可作为衬底:蓝宝石(A12O3)、硅(Si)、碳化硅(Sic)。其中蓝宝石是使用最多的衬底材料,具有生产技术成熟、器件......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
KTH是位于瑞典的皇家科技研究院,近日采用波纹面横向外延过生长(CELOG)方式研制出了由n型InP和p型silicon材料构成的异质结。通常......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓的晶格失配小,SiC单......
指出了晶体外延生长模式现有理论描述的若干问题,包括:1弗兰克-范·德·默夫模式被描述为仅存在于衬底表面能优势度为正值的情形中......
近年来,Ga N基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的......
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长......
通过异质界面晶格失配引入应变是增加离子电导率的新机制，其被视为是将固体氧化物燃料电池的操作温度降低到中低温的新方法。但......
氧化镓（β-Ga2O3）晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等......
钙钛矿结构的压电陶瓷具有压电系数高、机电耦合性能良好、性能稳定可靠等优点,其应用环境广泛,是当前重要的商用传感器及半导体元......
近年来,量子点(quantum dots,QDs)因其具有发射线宽窄、色彩纯、发光波长可调等优异的光学特性,俨然已成为下一代照明和显示领域研......
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,......
采用金属有机沉积(MOD)技术在La Al O3(LAO)、Y稳定的氧化锆(YSZ)和Ni-W衬底上沉积了Ce O2缓冲层薄膜,并研究了衬底与缓冲层的晶格......
本文主要研究溶胶—凝胶法制备Li2B4O7薄膜的工艺过程，并就影响因素进行了分析和讨论。
In this paper, the process of preparing......
首先叙述了双层（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ薄膜的生长及层间晶格失配情况，测量了与膜面法向成任意角度磁化的铁磁共振谱，铁磁共振场和线宽随磁化方向的变化与单......
立方氮化硼(c-BN)类似于金刚石具有许多优异的化学和物理特性,例如它有高硬度(仅次于金刚石)、高热导率、良好的电绝缘性和宽带隙.......
在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格......
