氮化镓相关论文
CO2氧化丙烷脱氢（CO2-ODHP）制丙烯作为近些年典型的丙烯制备路线之一,不仅可以弥补日益加剧的丙烯需求缺口,还具备一定的CO2减排潜力......
氮化镓（GaN）具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气（2DEG）,故在高频、高效......
学位
氮化镓（GaN）材料具有带隙宽、化学稳定性好、晶体结构稳定、热导率高、耐高温等优点,被广泛应用于大功率、高频、光电器件中,是宽禁......
提出了一种毫米波Doherty放大器一体化匹配网络的设计方法。该匹配网络将功率合成、阻抗变换和相位调节功能一体化，结合兰格耦合器，......
针对5G毫米波频段应用,本文提出了一种基于混合匹配技术的4W氮化镓单片微波集成电路（MMIC）功率放大器。匹配电路采用集总参数电容及......
6G通信技术将拥有更高的传输速度与更低的传输延时,同时达到海陆空天通信的全覆盖,通信覆盖范围全覆盖需要发射大量的低轨通信卫星......
地/空任务导向雷达是美国海军陆战队未来的主战雷达,代表了未来美军雷达装备的发展方向。介绍了该雷达项目的发展历程,详细阐述了......
“碳达峰”和“碳中和”的战略发展目标,对能源的绿色化、低碳化转型提出了新的要求。因此,现代社会对高功率密度且高电能转换效率......
Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点，在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有......
近些年来,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）于高温高功率等场合应用广泛,但是由于器件的欧姆电极热稳定性、直流性能退化、界面陷......
氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......
本文报道了采用Ti/Au/Al/Ni/Au金属叠层的浅槽刻蚀欧姆接触（STEOC）来提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的直流和射频性能。制备器件实......
基于电子的电荷的属性而设计的传统半导体芯片和集成电路构成了现代信息技术的基础。电子除了是电荷的载体,同时也是自旋的载体。......
得益于二十世纪九十年代宽带隙复合半导体材料生长及掺杂技术取得的突破性进展,近年来,基于III族氮化物的有源与无源器件已经得到......
GaN功率器件具有高电子迁移率、高耐压、大电流密度等特点。但目前仍存在诸多关键科学问题亟待解决,如:常规GaN HEMT器件在关断状......
随着碳化硅器件（Si C）广泛应用,高频、高压的工作环境以及电力电子变换器高功率密度化的要求,给Si C器件驱动设计带来了新的挑战,主......
随着现代材料科技的创新发展，半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料，发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料，推......
倍思科技旗下的新生活数码品牌倍思创立11年来，在以氮化镓充电产品为主的充电类、音频类、创新电子类产品领域取得了很强的市场竞争......
介绍了一个基于氮化镓器件组成PFC及LLC高效电源驱动电路。PFC采用NCL2801控制芯片，LLC电路控制芯片采用NCP13992，开关管采用第三代G......
本文基于UMS0.15um工艺,通过仿真的方法探究了GaN功放的软压缩特性,并给出了一种补偿方法。该方法将末级功放前的驱动级偏置在弱C......
本文给出了一种适合低轨商用航天的中小功率DC/DC变换器的设计方法。该方法采用了反激同步整流拓扑和表贴器件，可以覆盖常见的航天......
GaN材料作为宽禁带半导体,具备优良的材料特性,被广泛应用于功率半导体器件中,具有较高的研究价值。国内外GaN基功率二极管的相关......
在蓝宝石基底上外延生长了多层结构氮化镓光阴极薄膜材料并进行表面光电压测试；对比分析了掺杂类型、厚度和掺杂方式对氮化镓材料表......
随着通信、计算机以及国防工业等领域的迅猛发展,数据中心、通信基站和航空航天等领域的供电架构在短短几十年间经历了由集中式供......
第三代宽禁带半导体材料氮化镓（Gallium Nitride,Ga N）具有高击穿电压、高电子迁移率、高热稳定性等诸多优良特性,是制备功率器件非......
微腔光频梳在光谱测量、微波光子学、光学原子钟和相干光通信等领域具有重要的应用。宽禁带氮化物半导体材料，如氮化铝（AlN）和氮化镓（G......
随着科技的发展，集成电路封装的形式和材料面临着巨大挑战。氮化镓（GaN）作为最具潜力的第三代半导体材料，在射频通信领域的应用前景广......
随着通信技术的发展,民用及军用通信系统都对微波射频器件性能提出了更高的要求,功率器件作为系统的核心一直是研究热点。如今功率......
提出了一种毫米波Doherty放大器负载调制网络结构及优化设计方法。该方法在改善传统方案调制不充分的同时,去除影响工作带宽的四分......
应用半导体技术的固态功率放大器具有体积小和稳定性高等优点，在很多微波应用中取代了传统的TWTA。在所有类型半导体材料中，第三代半......
随着5G、消费类电子、新能源汽车、智能电网等领域的蓬勃发展,对于功率器件的需求日益增加,氮化镓（GaN）功率器件凭借高击穿电压、高......
学位
氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体,用于功率放大器设计时可承受更高的工作电压,具有更高的功率密度和可工作温度。对于既定功率水平,......
基于单片微波集成电路（MMIC）技术的射频前端收发组件大量应用于无线通信、雷达等系统中。收发开关是射频前端的重要组成部分,其性能......
低噪声放大器（Low Noise Amplifier,LNA）是射频前端的核心部件之一。作为射频接收链路的第一级放大电路,LNA的噪声系数、增益、线性......
近年来,人们对紫外探测器的需求日益增加,探测器的微型化、集成化和低功耗成为了人们研究的重点,自供电探测器不需要外加偏压即可......
氮化镓（GaN）材料具有宽带隙、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等诸多优势,在射频和大功率领域具有巨大应用潜力。基于AlGaN/GaN......
第三代半导体氮化镓,具有高电子迁移率、优异的禁带宽度、高工作频率、大击穿电压、高饱和电子速度等优点,成为制备微波器件的优异......
氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有优异的光电特性,在紫外光电探测器、发光二极管、高电子迁移率晶体管、5G射......
学位
大力提高能源利用率是我国实现“碳达峰”和“碳中和”目标的挑战难题。电力电子技术能大大提高电能的利用效率,是实现高效电能转......
