开关特性相关论文
GaN功率器件具有高电子迁移率、高耐压、大电流密度等特点。但目前仍存在诸多关键科学问题亟待解决,如:常规GaN HEMT器件在关断状......
电力电子技术的发展对变换器的小型化、轻量化、高效化给予了更高的期望。高开关频率高电压等级是电力电子器件发展的必然趋势,而S......
随着制备工艺的不断完善,碳化硅（SiC）MOSFET以其优越的材料特性,逐渐成为硅IGBT的有力替代者,可应用于轨道交通和电动汽车等中高功率......
沟槽栅IGBT消除了平面栅IGBT导通时的JFET电阻分量,因此具有更低的导通压降;且因其栅极集成在器件体内,故在导通时具有大的沟道密......
随着能源危机、全球变暖等问题的日益严峻以及新能源产业的蓬勃发展,高效率与小型化成为目前电力电子技术发展的两大趋势。作为电......
电力电子转换设备的性能与其核心功率开关器件息息相关,传统硅基器件的发展已逼近其材料的物理极限,成为当前限制电力电子转换设备......
学位
本文采用新的研究方法和改进的实验手段,在准静态磁场中研究了磁流体薄膜样品的光透射率,在交变磁场中研究了磁流体的开关特性,论......
SiC MOSFET具有开关速度快、耐压高、导通电阻小和热导率高等特点,在轨道交通、新能源发电、智能电网等领域逐步得到应用。但在SiC......
学位
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性.通过仿真分析对比,指出MOSFET......
第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点,已成为高温、高......
期刊
文章描述了MOSFET和IGBT关断特性的不同,及其对关断瞬间并联均流特性的影响.MOSFET和IGBT共有的MOS门极结构导致其在器件开通过程......
逆阻型集成门极换流晶闸管(Reverse Blocking Integrated Gate Commutated Thyristor,RB-IGCT)作为一种具备双向耐压与正向可控关......
氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)自商业化以来一直被认为是一种极具潜力......
针对功率PMOS管驱动电路缺乏，从而引起其开关速度慢的问题，本文提出了可快速开关功率PMOS管的有源泄放驱动电路；由PWM脉冲控制有源泄......
针对大功率全桥逆变器特点，设计一种利用移相及死区控制芯片UCC3895、高速双路同相驱动器MC33152和PT6隔离变压器为核心的新型IGBT......
通过电子辐照在功率VDMOS器件中引入少子复合中心,从而有效缩短功率VDMOS器件中的少子寿命,改善开关特性。本论文对8N60、13N60等2......
会议
新型开关器件集成门极换向晶闸管(IGCT)由于其优越的性能在中高压大功率多电平变流器系统中逐渐得到广泛应用。本文根据在电力电子......
稠油乳化降粘技术具有降粘效果好、成本低等优点,但后期破乳困难及污水处理量大等缺点限制了该技术的发展.CO2/N2 开关高分子稠油......
建立了400 mm×400 mm口径单脉冲普克尔盒实验装置,采用小尺寸KDP晶体替代方案,完成了对400 mm×400 mm口径内不同区域时间特性的......
大口径倒腔式等离子体开关是神光Ⅱ升级装置倒腔式多程放大方案的关键单元，该方案要求等离子体开关能够在极短的时间内完成工作状态......
在考虑了太赫兹光非对称解复用器（TOAD）中半导体光放大器（SOA）的增益饱和与恢复效应的基础上，深入研究了超高斯控制脉冲对半导体光放大......
表面等离激元(Surface Plasmon Polaritons, SPPs)是一种具有强局域特性和强传导特性的特殊电磁波。在光学研究中，金属/介质/金属(M......
功率半导体器件是制造大功率电力电子装备的核心元件。传统硅材料的电子饱和漂移速度、临界电场强度、热导率和禁带宽度等物理特性......
提出了一种利用非线性光纤环境的开关特性将连续波同时转化为亮孤子和暗孤子的新方法，即让连续波和另一波长的调制脉冲串共同耦合入......
巧修Ｊ２４５９型学生示波器康生祥（甘肃省山丹培黎学校，７３４１００）两台Ｊ２４５９型学生示波器，购回第一次使用时便出现故障．现象为开机后在正弦挡检验示波器性能时，发......
建立了400 mm×400 mm口径单脉冲普克尔盒实验装置,采用小尺寸KDP晶体替代方案,完成了对400 mm×400 mm口径内不同区域时......
掺碳黑聚乙烯可制成PTC(正温度系数)材料,不但可以用来加热保温,而且材料本身具有自动控温的开关特性。掺碳黑聚乙烯的PTC特性已......
实验研究了调ＱＮｄ：ＹＡＧ激光器泵浦的增益开关型掺钛蓝宝石激光器的时间特性，泵浦能量水平（泵浦能量／阈值能量）变化范围为２．１～３．８，腔长变化范围为２０ｃｍ～６０ｃｍ，并改变了......
运用光束传播法对硅交叉波导全内反射光开关中的光学效应进行了详细分析。结果表明：１）光学表面衰减波和泄漏波所引发的光遂道效应对开......
可控硅是一种可控功率快速开关元件。实际应用表明,作为开关元件不仅要求有良好的静态特性,如阻断电压高,漏电流小,导通时压降小,......
利用变分方法，导出了双曲正割型光孤子在非线性光纤耦合器中传输时满足的动力学方程组，分析了该方程组的平衡点性态，讨论了光孤子的开......
研究了掺Al或Ag微粉的聚丙烯（PE）基和聚二氯乙烯（PVDF）基复合材料的导电开关特性，发现在某一电场阈值（对应开关电压阈值Vk）附近，复合材料的......
本文给出了一种新型低噪声电流控制逻辑结构，用于在模／数混合集成电路的设计中取代静态CMOS逻辑，以减小数字开关噪声通过衬底耦合对模......
本文介绍一种实用的半导体功率器件开关特性测试仪，其最高测试电压为１０００Ｖ，最大测试电流为２．５Ａ｜７００Ｖ．
This article describes a practical semicon......
从理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性。由半导体的单模速率方程出发，应用半导体光放大器的传输波动方程，推导了放大器的......
以全桥ＺＶＳＰＷＭ逆变焊机电源为对象，通过对零电压开关下ＩＧＢＴ开关特性、开关损耗与硬开关下的比较，得出零电压开关下ＩＧＢＴ可靠性的研究结果。
Taking......
快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管(SRD)和肖特基二极管(SBD)是极有发展前途的电力、电子半导体器件。它们具有开关特性好、反向......
本文从唯象的光学三稳态系统的动力学模型出发，在偏置加脉冲激发的条件下，从理论和数值计算两方面对光学三稳态器件的开关特性进行了......
利用受激布里渊散射相位共轭特性和 Ｑ 开关特性组成 Ｎｄｖ Ｙ Ａ Ｇ 激光谐振腔， 代替传统激光器全反镜和调 Ｑ 装置， 获得能量１００ ｍ Ｊ、脉宽 １３ ｎｓ 的线偏......
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统......
分析了 Ga As源耦合 FET逻辑电路的结构 ,阐述了该电路的工作原理、开关特性和噪声容限 ,分析了该电路的特点。
The structure of......
用二维 MEDICI商用器件模拟软件对双 MOS门极控制的发射极开关晶闸管 EST( Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区 FBSOA......
