集电极电流相关论文
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104 Gy的伽玛总剂量辐照后, 集电极电流和厄尔......
功率半导体器件是电力电子技术的核心，特别是第三代宽禁带半导体中的碳化硅(SiC)器件在临界击穿电场、禁带宽度、热导率等物理性能......
在模拟电子技术基础的教学中,教师一般只重视学生分组实验,而忽视课堂演示实验,认为只要把理论讲好了,课堂演示实验可做可不做。其......
反向击穿电压是半导体元件的重要参数之一,它直接关系到管子的安全使用问题。利用晶体管图示仪,虽然可以测量电子元件的反向击穿......
从比较运算的角度重新定义了Boole代数中的与、或、非等3种基本运算,并根据电压信号易于实现比较运算的特点分析了双极型晶体管发......
绝缘栅双极晶体管是近年来发展迅速的一种新型电力半导体器件,在电力变换技术中的应用日趋广泛。本文在科技文献调研基础上,阐述其......
C类放大器广泛应用于VHF/UHF频段的调频发射机中,对其偏压的确定和动特性的分析是有关理论课中的重要内容.笔者根据长期教学和实践......
低频信号发生器是电子制作中调试、检修的常用仪器,这里介绍的两个电路,性能都很好,适合自己动手制作。图中的两只100kΩ的电阻和......
本文从ＩＧＢＴ发生闩锁的机理出发，推导出ＩＧＢＴ结构中两个寄生双极晶体管的共基极电流放大系数及ＮＰＮ管基区横向电阻值随电流密度变化的解析模型，并据......
这种直接耦合的绝对值电路具有低输入偏流、高输入阻抗和驱动2.5V(50Ω负载)的能力.晶体管Q1对输入进行缓冲来得到高输入阻抗,并通......
XOR门芯片曾经由于价格或尺寸 的原因而不能普遍使用。一种可 供选用的方法是象附图所示的那样把两只晶体管组合在一起,构成价格......
在晶体三极管的实验或使用中,不时要涉及到一些晶体三级管共射输入特性曲线的相交。对于为什么会相交这个问题。本文从理论上进行......
晶体管电路由于受控电源的存在，使电路计算复杂化．在节点电压数学方程快速列写基础上，得到有关晶体管电极间的简单传输方式，进而可以较......
研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对......
随着ＭＯＳ技术引入功率半导体领域，功率控制器件发生了革命性的变化。在功率控制方面，发展最快的一个领域是高效的电机控制。对这个领域作......
本文对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入、大注入......
今年三月,飞利浦半导体公司专为 最新的1.8GHz无绳电话和蜂窝 电话推出全新系列的高性能低电压硅双极射频晶体管。这种晶体管采用......
给出了荧光灯电子镇流器抗异常状态的方法，将该方法应用于ＤＺＸ－１型电子镇流器，使该产品通过了“全国电光源产品质量检测中心参照ＩＥＣ９２９国际标准所......
本文提出了栅控混合管（GCHT）集电极电流的分区模型，在不同的基极电压范围时器件输出特性进行了讨论，与以前提出的精确全区模型[10]相比......
介绍了一套用于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ集成电路的ＣＡＤ软件，它可完成ＨＢＴ的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对ＨＢＴ运算放大器进行了模拟，为电路的研制提供......
本文在分析栅控混合管（ＧＣＨＴ）物理机制的基础上，提出了一种新的计算ＳＯＩ／ＧＣＨＴ集电极电流的解析模型．在同时考虑扩散及漂移电流的基础上，建立了栅控电流......
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体......
从半导体器件的基本方程出发，采用数值模拟方法，按照电流增益截止频率（ｆＴ）的定义，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的ｆＴ，以及偏置电压和输入信号幅值对ｆＴ的影响，给出了......
IGBT自发明至今已将近15年,它仍一直有望在中等电压范围(400～600V)的各种应用中取代MOSFET功率管.但它们迄今还未能如愿以偿,基本原......
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构......
介绍了一种使用绝缘栅控双极型晶体管（ＩＧＢＴ）设计的脉冲功率预调器，它使用在某雷达发射管测试台中。对预调器各部分组成和工作原理作了叙述......
纯甲类功率放大器的制作（中）高顺三、印刷线路板设计要点对功放来说，有了一个好线路，井不等于就能出好声。印板的设计，对效果有极大的影......
运用图解法对非线性电阻网络运动方程进行消元和代入运算，以此确定其工作点、ＤＰ图和ＴＣ图。该方法对工程设计有一定的实用价值。
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本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入，降低相应外延层......
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晶体三极管的放大演示实验熊晓明（吉林省教育学院长春１３００２２）晶体三极管的放大，是高中物理教学中的难点．一般演示实验都是在一个晶体二极管收......
晶体管已广泛应用于社会生产及日常生活的各个领域,各种简单实用的晶体管电路及小产品越来越多。下面介绍几种简单的三极管应用电......
本文阐述了IGBT的短路特性以及怎样实现IGBT的过流保护系统。文中着重介绍了IGBT的允许短路时间与门极驱动信号的关系。
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第七讲 晶体三极管(上) 晶体三极管又叫半导体三极管,通常简称为晶体管或三极管。三极管大都是具有3个外部电极(引出脚)的半导体......
本文作者讨论用并联三极管的方法来代替较大功率PCM及较大集电极电流ICM的三极管的问题，同时对集电极电流分配的不稳定性提出解决方......
以全桥ＺＶＳＰＷＭ逆变焊机电源为对象，通过对零电压开关下ＩＧＢＴ开关特性、开关损耗与硬开关下的比较，得出零电压开关下ＩＧＢＴ可靠性的研究结果。
Taking......
看了贵刊96年第3、10期上发表的有关水箱水位控制电路后,觉得不是太复杂,就是工作稳定可靠性差。本人经业余实验,得到两方面都比......
本文探讨了大功率变频器用ＩＧＢＴ的并联方法及驱动电路，进行了大功率ＩＧＢＴ器件并联使用的可行性研究。
In this paper, the parallel method a......
便携式电子产品的技术革新令人眼花缭乱。当你减小产品的体积时,你必须集成更多的功能,而且肯定会寻找一种取代分立元件的方法。......
飞利浦半导体推出新型“小信号突破”的开关晶体管,在双极晶体管本质低启动电压的特性之上又赋予超低的集电极-发射极饱和电压特......
