大功率晶体管相关论文
目前,制造高压N-/N+材料有三种方法：硅-硅键合技术、扩散减簿技术和外延技术。本文用扩散减簿技术和外延技术研制出了适于400V/500A......
加速寿命试验广泛地用于在短时间内预测元器件的寿命。本文介绍用步进应力加速寿命试验估计大功率晶体管的激活能和寿命。本试验采......
本文在分析现有大功率斩波器基础上，结合大功率场效管（ＭＯＳＦＥＴ）器件的发展，提出了一种新型脉冲新波器的设计方法。
Based on the analysis of......
主要研究大功率晶体管（ＧＴＲ）构成的电压型ＰＷＭ变频调速系统电流特征，推导出ＧＴＲＬ作电流、直流母线电流和电动机电流解析表达式．文中还导出了中间滤波......
西屋公司推出ＳｉＣ大功率晶体管据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道，西屋电子公司推出一种基于ＳｉＣ晶体管的，这种大功率管可用于高清晰度电视（ＨＤＴＶ）广播的新一代数字发射......
前不久受一位好友之托,为他选购一部国产二千五百元以下的功率放大器,要求:性价比高,主要用于欣赏音乐,有较高的音色素质,力度和......
重庆特殊钢集团公司中板分厂１２００ｍｍ精轧机电动压下系统采用变频调速新技术，调速范围宽，调速准确、方便，提高了轧机压下精度和生产率，取得了较......
从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低......
针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟......
介绍一种以ＩＧＢＴ为功率单元的全数字控制脉宽调制变频装置。采用了以８０９８单片机和三相高频可编程脉宽控制器ＳＬＥ４５２０为核心的控制系统。实验表明，系统......
介绍了大功率晶体管（ＧＴＲ）逆变器缓冲电路参数的最优化方法．在数学模型的基础上，采用序贯加权因子最优化方法（ＳＷＩＦＴ），快速寻找出一组缓冲电路的最优......
本文采用ＰＣＴ试验方法ＳＤ１３００５型ＮＰＮ高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验，发现ＢＶｃｅ０是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器件可靠性指......
论述了风机和电泵采用变频调速变流量节电运行所需要的专用变频器和ＬＺＦ１型绿色变频器。
The special frequency converter and LZF1 g......
分析了大功率晶体管（ＧＴＲ）饱和区伏安特性，测量了不同驱动条件和工作温度下ＧＴＲ的集电极压降和集电极电流的关系．结果表明，存在一个饱和压降阈值......
利用ECR－PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中......
在PWM变频调速器中,大功率晶体管GTR的开关频率可达1.5～2kHz,当变频器带感性负载,GTR由饱和导通快速转向截止的瞬间,集电极电流I_T......
在电子设备中,最常见、最易损坏的是功率放大电路、开关电路、行输出电路部分的晶体管,这是由于晶体管工作时要承受的电压较高,通......
对影响 S波段大功率晶体管内匹配电容的质量问题进行了分析 ,并给出了改进方法 ,提高了内匹配大功率晶体管的稳定性和可靠性。
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一、公司简介西安高科卫光电子有限公司成立于一九九八年六月,位于西安南郊南新技术产业开发区电子工业园,是由西安高科(集团)电......
Sunfire（骄阳）是美国著名的音响天才BobCarver先生在20世纪90年代中期推出的品牌器材,多年来,Bab Carver一直以重量轻、输出功率大,......
第三讲 整机装焊 焊接与生产时 ,焊料中会带入一些杂质 ,需要注意和控制这些杂质带来的有害作用 ,表 1列出了焊料中的主要杂质......
《中国电子报》消息:深圳深爱半导体利用自身独具的行业和技术有利条件,即将建成占地10万平方米的5英寸功率集成电路深爱半导体生......
2004年底,编辑部推出了2004-2005年度家庭影院器材推荐榜,共计22个类别,100件上榜产品。榜单因客观、全面地纵览了整个影音行业优......
TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底Al-GaN/GaN HEMT。该公司理查森研究室的D.Dumka及其同......
数控机床采用电报机头做输入机,纸带反复使用后,中导孔很容易损坏。多台数控机床加工同一种工件时,亦须几条相同的纸带。如何简便......
针对变频器所产生的电磁干扰对电气设备所造成的危害进行了分析,为避免或减轻由它所造成的损失,提出了相应的技术措施。
In view ......
主要用于加工淬火钢、硬质合金、特殊金属材料的冲模,型腔模或特殊形状的零部件。 D6140A高频脉冲电蚀加工机床采用高频大功率晶......
TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si 衬底AlGaN/GaN HEMT。这种器件10 GHz下的连续波输出功率密......
随着电子技术的发展,在电火花加工机床上已开始广泛採用大功率晶体管脈冲电源。晶体管脈冲电源比电子管或闸流管脈冲电源具有重量......
电子工业广泛使用的重要半导体元件中大功率晶体管的生产,过去都用金属封装,要耗用大量的银、钴、镍、铜等贵重金属,不仅体积大,......
几十微米到几个毫米厚的金属的氩弧焊,现今在很多工业部门中的应用越来越广泛。因此,要求限制热影响区的大小,保证焊缝金属致密等......
安徽省机械科学研究所研制的XMD-1型脉冲电源于83年12月28日通过了鉴定。鉴定会是在安徽省工业厅的主持下进行的,参加签定会的有......
简单的说,这对单声道后级也就是Antileon的单声道版本,推出此机的目的就是用来取代当时Gryphon的旗舰Reference 1。立体声版的Anti......
本文论述了适用于MAG、MIG、TIG和手工焊的多功能多用途的模拟式晶体管弧焊电源的基本原理;各种焊接方法、多种波形的实现及对系统......
Freescale Semiconductor推出的大功率晶体管系列主要针对HF/VHF市场和2.45GHz的ISM(工业、科学和医疗)频段市场,采用高压射频功率......
美国Group4LabsLLC公司开发出他们声称是世界上的首片金刚石上GaN半导体晶片。这块金刚石上GaN晶片研制了三年,晶片与合成金刚石衬......
本文提出了一种与微束等离子弧主电源同步的分频控制脉冲焊方法。它可以很方便地将普通微束等离子弧焊机改装成高质量的,频率为25～5......
1992年8月5日至7日,由船舶总公司军工局、海军装备部舰艇部主持,在洛阳召开了《035G外加电流阴极保护系统的研制》课题技术鉴定会......
杭州无线电专用设备一厂生产的J0780—1型数控电火花线切割机床的高频脉冲电源是电源脉宽、脉冲间隔和脉冲幅度分别可调的电火花......
本文阐述了直接用于三相工频380V电源的场效应管半桥逆变式手弧焊机的原理和特点,解决高电压逆变器的技术措施,以及目前国内逆变弧......
