发射结相关论文
物理实验中经常使用的验电器 ,虽然原理简单 ,比较方便 ,直观性强 ,但是它不能检验出物体所带电荷的正负 ,而且灵敏度不够高 ,有时......
半导体放大电路是中学物理课的一个重点,由于电路比较复杂,往往不易为高中学生所接受,因此如何进行这部分内容的教学成为一个很重......
针对ＮＤ２型内燃机车辅助电源ＤＨＹ１２００型电源变换器驱动电路的故障现象，通过理论分析及实验观测，指出了产生故障的机理，并对该驱动电路进行了改进．
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讨论了晶体管混合π模型与简化π模型在应用中的特点，导出了使用这两种模型分析放大器时，两个等效电路上限截止频率之间的关系，并给出......
提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构──Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ。结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结......
本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数......
提出一种实现精密全波整流的新方法。该电路的最大特点是用一对NPN和PNP晶体管代替二极管整流,从而实现用一个运算放大器、一对NPN......
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所......
晶体管的检测是家电检修过程中必不可少的工作,其在线检测以快捷方便倍受欢迎,但是也只有使用万用表才能充分体现这一优越性。晶......
在晶体三极管的实验或使用中,不时要涉及到一些晶体三级管共射输入特性曲线的相交。对于为什么会相交这个问题。本文从理论上进行......
掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结是提高fT及双极集成电路工作速度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、......
一、晶体三极管的结构晶体三极管由三个区二个PN结构成。因为三极管的二个PN结可有两种组合方式,即NPN型[图1—a]和PNP型[图1—b]......
设计并研制出直流电流增益为842、交流电流增益为1080的高增益挂横向MIS隧道晶体管。测量了器件的电学特性和hFE的温度特性，发现孩......
程控单结晶体管(PUT)又称可编程成可调式单结晶体管。它实质上是一个N极门控晶闸管,因用途与单结晶体管相近,故纳入单结管之列。......
低温ＥＣＬ电路直流特性测试与分析高梅芳，沈克强，魏同立，李垚（东南大学微电子中心，南京２１００１８）本文通过对低温ＥＣＬ电路和常温ＥＣＬ电路的比较和测试分析得知，晶......
本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用．通过采用这两种工艺，不仅使得晶体管输出电容减小......
从半导体器件的基本方程出发，采用数值模拟方法，按照电流增益截止频率（ｆＴ）的定义，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的ｆＴ，以及偏置电压和输入信号幅值对ｆＴ的影响，给出了......
通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制......
在继电器控制电路中,有时需要继电器有自保功能,即有控制信号时继电器吸合,当控制信号去掉以后继电器仍保持吸合状态。例如,在防......
通过使用等效电路法，利用国际通用电路模拟软件包PSPICE对新型的电力电子器件MCT进行特性模拟和分析，并对Harris公司的器件MCTV75P60......
晶体管已广泛应用于社会生产及日常生活的各个领域,各种简单实用的晶体管电路及小产品越来越多。下面介绍几种简单的三极管应用电......
引用晶体管静态工作点与ｈ参数的关系曲线，分析了静态参量ＩＣ、ＶＣＥ对振荡电路频率稳定、起振、振荡频率的影响。指出恰当地选取静态ＩＣ、ＶＣＥ将改善......
第七讲 晶体三极管(上) 晶体三极管又叫半导体三极管,通常简称为晶体管或三极管。三极管大都是具有3个外部电极(引出脚)的半导体......
针对功率ＭＯＳＦＥＴ的特点．介绍由多个三极管组成的组合式驱动电路．在逆变焊接电源上做了实验．验证了该方法的合理性．
For power MOSFET feature......
考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性．
Consid......
本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｅ的原理，测试了３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｅ，并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合；Ｋ在２～３之间
This art......
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K～623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAs......
晶体三极管是电子爱好者必然要接触的电子元件之一,一旦损坏将导致电路状态改变而出现故障。三极管的发射结和集电结可等效成两个......
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体......
叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理......
采用一维有限差分方法，对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析，给出了高斯掺杂情形下，基区中不同Ｇｅ分布的......
概述了Ｐ波段功率管在射频脉冲条件下进行加速寿命试验的方法，对Ｐ波段功率管可靠性进行了初步预测，并分析了器件失效的原因。
The meth......
本文在分析了现行稳态工作寿命试验方法所存在问题的基础上，提出了改善晶体管稳态工作寿命试验方法的技术措施——将直流连续工作该......
用时变分析法对变频效率进行分析，得出了晶体管变频器的最佳静态工作点．
Using time-varying analysis of the frequency conversio......
采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β......
文章通过三极管特性曲线的分析讨论,得出了凡属于放大电路范畴电路的检修方法,力图提高电路的维修效率。
The article analyzes a......
晶体三极管是电子电路的基础元件之一。设计人员根据电路要求,将电路中的晶体管分别设计工作于放大状态、饱和状态或截止状态。一......
在电路结构方面,有时需要利用三极管中NPN型、PNP型管各自的特点来组成一个综合器件(称为复合管),这种将两只或
In the circuit ......
一、填空(共30分)1.色环电阻器上色环是棕、黑、蓝,表示电阻值是 误差是;2.3AKS是型材料,三极管; ZCW7是材料,二极管。3.电容器上......
本刊2000年1～4期连载了基础电子电路及维修知识讲座,受到了广大初学者的欢迎。为了巩固所学知识,提高读者的应用水平,现将有关试题......
