功率晶体管相关论文
本文针对现代宽带无线通信系统中由于非恒包络线性调制方式所引起的射频功率放大器效率较低的问题,研究了采用Doherty功放技术以提......
以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的......
本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍......
绝缘闸双极性晶体管(IGBT)是一种具有金氧半晶体管结构的优点(高速性及高输入阻抗特性),及双载子接面晶体管的优点(低饱和电压特性......
本文研究了高频下4H-SiCMESFET的最佳源、负载阻抗,综合考虑封装产生的寄生效应给出了最佳源、负载阻抗的解析表达式,并分析了极间......
本文介绍了国家高频功率VDMOS器件的一个实际应用的例子,并研制出实用化的功率放大器,对国产新型功率器件-VDMOS的性能和推广应用......
第一代半导体材料:主要指硅(Si)、锗(Ge)元素半导体材料兴起时间:20世纪50年代性能特点:取代了笨重的电子管,促进了集成电路的产生......
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化......
介绍了交流传动的优点,哪些国家已应用了交流传动机车,现有交流传动机车型号,代表型和第二代交流传动机车,逆变器的型式、数量、组......
随着职业教育的不断发展与深入,对学生能力上的要求也越来越高,如何才能实现对学生能力的培养与锻炼呢?本文就职业院校中《汽车电......
意法半导体推出了采用先进的Power FLATTM 5mm×6mm双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密......
美国Maxim集成化产品公司推出的MAX712/713型IC,只要外接一只pnp功率晶体管、一只阻塞二极管、三只电阻器和三个电容器,便可装成......
IGBT的特点是能集VMOS功率管电压激励和达林顿功率管大电流低导通电阻特性于一体。与IGBT配套的驱动电路价格比较贵,本文介绍一种......
采用线性电流变化法,对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明,并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体......
工作频率1600MHz的RF功率晶体管美国摩托罗拉公司推出一种新型RF功率晶体管,型号为MRF15030。产品工作电压26V,工作频率1400~1600MHz,输出30W,发射极接地,A类或AB类工作。当产品输......
提出一种用大功率晶体管(GTR)放大电路取代大电容阻尼支路的新的低压大电流功率滤波器的设计方法。并通过实验验证了该设计方法的优越性......
对GAT结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算,报告了计算的结果,以及对结果的理论分析。计算采用数值分析方......
本文通过丰富的数据和生动的事实,展示了三星电子公司惊人的发展速度和高远的发展策略。
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具体分析一种电动汽车驱动系统,功率控制器主要由一个二象限的斩波器和一个带六个IGBT的逆变桥组成,控制一个额定电压为240V,额定功率为30KW的稀土......
在国际上80年代中后期出现的一种绝缘栅双极晶体管IGBT,它是微电子的先进工艺技术向电力电子领域渗透发展的产物,人们称之谓第三......
南京电子器件研究所研制的8mm高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的8mm波段PHEMT功率器件,具有频率特性好、增益高、输出功率大......
南京电子器件研究所研制成功工作频率3.1~3.4GHz,脉冲宽度300μs,占空比10%,输出功率大于50W,功率增益大于7dB,效率大于40%的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为......
采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷多晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术,研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管。该......
VB348LDIH是用新的纵向功率IC工艺过程设计和制造的,它是一种具有五条引线的PENTAWATT(5瓦)功率器件,非常适用于电子变压器应用,价......
剖析了SQD50AB100型GTR功率模块的失效情况,分析了其二次击穿失效机理及引起失效的器件内部和外部原因。设计了一种快速有效的GTR过流保护电路。该电......
提出一种新颖的横向槽栅双极晶体管( L T G B T) 结构.此结构可明显改善器件的闩锁效应.通过数值模拟,比较了 L T G B T 结构与 L I G B T 结构的闩锁电......
介绍了微波功率管三种独立失效模式,论述了器件结温随工作条件变化的规律,指出功率管热失效更重要的因素是热斑,而不是平均结温和热阻......
介绍了现行标准规定的功率晶体管稳态工作寿命试验条件,讨论了试验条件的选择问题,提出了选择最高结温TJM、最大额定功率Ptotmax和与Ptotmax相应的壳温......
器件的热阻不是恒量。功率晶体管的结温不是空间均匀的;对于不同的工作点,有不同的热阻值;而热阻随结温的变化率的测定,对于保证功率晶......
介绍了汽车电子产品的主要种类,并从汽车工作环境的特殊要求角度阐明了厚膜混合集成电路在汽车电子产品中应用的前景。
Introduced......
适合EDGE应用的功率晶体管爱立信微电子部推出PTF10160功率晶体管,可在869~894兆赫和921~960兆赫频段范围内提供稳定功率增益16±0.2分贝,效率达53%,功率输出为85瓦。PTF10160耐震性......
选极F型封装功率晶体管,简称选极晶体管,是一种具有F型封装外型,制造时可根据整机电路组态需要选择芯片电极与管座电连通状态的功......
音响中用的功率放大器,常用的是A类或者AB类功放,近年来,利用脉宽调制原理设计的D类功放也进入音响领域。D类功放中的功率晶体管......
ICL8063芯片是美国英特西尔公司(INTERSIL)90年代推出的新产品。该芯片是一种单片功率晶体管驱动放大集成电路,能构成最小的单片......
随着电子技术的飞速发展,大功率晶体管应用日益广泛,进一步提高大功率晶体管的可靠性,对电子产品质量的提高有很大意义。1 晶体管......
专题报道面向二十一世纪的嵌入式系统综述 吕京建(1—1)嵌入式系统与IP-CORE、M-CORE设计技术 李广军(1-4)多功能UP监控复位芯片 魏智(1-9)2000北京微电子国际研讨会......
据国家自然科学基金委员会2001年4月29日报道,由中国华晶电子集团公司承担的国家自然科学基金项目“发射极电流集边效应理论及其......
图 1是以两只AHK4 32等器件构成的可调电子负载电路。左边一只AHK4 32构成电压基准电路 ,U0 =Ur1 1+ R4 R5;右边一只AHK4 32构成恒流源电路 ,IS=(Ur2 ......