导通电阻相关论文
碳化硅(Si C)宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是全控型的复合器件,具有工作频率......
本文基于仿真和实验方法,开展了100VN 沟槽MOSFET的设计研究工作。通过沟槽深度,体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏,获得了对击穿电压,阈......
为了增加光吸收效率,设计制作了一种具有发射和透射膜层结构的新型GaAs光导开关。在1064nm激光触发能量5.4mJ,光脉宽25ns、偏置电......
功率半导体器件是电力电子的核心和基础。沟槽功率MOSFET采用了纵向布局,较其他MOSFET器件具有更低的导通电阻的特点,工作中的开关......
功率半导体器件作为电子设备系统的核心部件,已广泛渗透到消费、医疗、工业、运输、航天等领域,在人类日常生活及经济发展中扮演着......
SiC材料具有宽的禁带宽度、高的临界击穿电场强度、高的饱和电子漂移速度以及高的热导率等突出特点,使其与Si材料相比,在高温、高......
随着电子器件的发展,高压大功率MOS器件被广泛应用于相关电路设计中。而众多器件中,以高压横向双扩散金属氧化物半导体管(Lateral D......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)具有高击穿电压,高电子迁移率和低导通电阻等优越特性,已经成为国内外研究的热点。然......
0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具......
1200V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)可应用于高压电机驱动和高压......
火工品是引爆控制系统的重要部件。在火工品的日常维护过程中,对火工品的性能参数测试一直是必不可少的内容,其中导通电阻和绝缘电......
SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应,在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度,因此对SiC超结MOSFET可靠性的分......
目的 研究实验室模拟海洋环境下,机载设备舱内印制电路板的腐蚀损伤行为和规律.方法 基于实测的某型机机载设备舱海洋环境数据,编......
主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性.利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了 n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和......
基于低压VDMOS理论,结合器件三维结构,分析低压VDMOS的导通电阻三维效应,提出一种VDMOS沟道电阻的三维模型。ISE三维数值仿真和解析计......
随着功率器件技术的快速发展,基于传统的Si材料以及第二代半导体材料的功率器件已经无法满足实际应用中快速、低损耗等的迫切需求.......
提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上,于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表......
本文提出一种具有不对称双栅并在漂移区采用阶梯变掺杂的SOI LDMOS器件结构(Asymnetrical Double Gate SOI LDMOS With step profi......
某电子产品进行温度循环筛选时,其中的开关电源模块在低温出现工作异常,故障定位在模块中功率MOSFET低温工作性能的变化上.通过参......
本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试,获得导......
GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件。为了准确测量光导开关的导通电阻,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线研究......
本文回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT......
会议
为了驱动低能重频高阻抗X 光管,采用低感陶瓷电容构建了一套电长度约33.5ns/阻抗约8Ω 的Blumlein 型脉冲形成网络(BPFN),在匹配负......
针对传统接地导通测试难以找到合适的参考点,且存在测试线过长导致测量误差增大和测试人员移动距离长、劳动强度大等问题,提出一种......
高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)具有高耐压、高频率、工艺简单兼容于传统CMOS工艺等特性,广泛应用于高压集成电路(High Vo......
目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该......
3二极管的识别与检测方法3.1二极管的识别方法晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如D5表示编号为5的二极管。二极管的主要特......
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出车用MOSFET系列,可为一系列应用提供......
意法半导体推出了采用先进的Power FLATTM 5mm×6mm双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密......
本文介绍了功率器件的发展过程,重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构,工作机理,及它们各自的特点。
This article describes t......
简单介绍了850V/18A、1200V/8AIGBT的研制与工艺,并给出了测试结果。
The development and technology of 850V / 18A and 1200V / 8AIGBT are briefly ......
结合工作经验对国内外一些典型的电力半导体器件在应用中表现的主要动态特性,如:阻尼、开关工作频率、损耗、驱动等问题进行了较系统......
文章介绍了高性能的MAX306/MAX307/MAX308/MAX309及低泄漏的MAX338/MAX339的工作原理及性能特点。
This article describes the working principle and performance charact......
电力电子器件是一门新学科和新技术。其主要参数向三维(高压、高频、大电流)方向发展。其结构主要是MOS控制与BJT和晶闸管的结合和逐步实现......
本文介绍了应用现行的PSPICEV5.0软件和CAD优化技术,对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的VMOSFET参数进行处理。针对电路中的关键参数:导通电阻、开关速度......
微小引脚LitleFoot———功率MOSFETS的一大飞跃微小引脚LitleFoot———功率MOSFETS的一大飞跃TEMIC公司的最新推出LitleFoot是目前市场上体积最小的功率器件。它的封装形式为TSOP—6,这......
功率型集成电路是集成化常规驱动器件与分立型MOSFET功率器件相结合的产物,涉及汽车电子、工业控制、照明、音响和计算机外围设备......
当增益切换放大器具有任何一种直流偏移时,切换交流耦合放大器的增益值可能会引起输出信号不希望有的瞬变。切换会向与增益切换信号......
从RMOS器件的导通电阻模型出发,通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系,得出:减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度,可以降低器件的......
介绍了自行研制的高密度封装外壳设计软件、阐述了其工作原理和功能。应用该软件设计并制作出目前国内最多针脚数的外壳PGA257。
Introd......
首次建立了RESURF二极管的低温优化模型,推导出77K~300K范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式,给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。......
介绍了一种新型MOS控制功率器件———MBSIT,它的制造工艺类似于一个功率MOS的制造工艺,其材料是在n+衬底上生长n-外延层。该器件被设计为常开器件,它......