低导通电阻相关论文
本文介绍了安森美半导体助力汽车电气化和智能化的宽广系列产品及方案。
This article introduces ON Semiconductor’s broad po......
IGBT的特点是能集VMOS功率管电压激励和达林顿功率管大电流低导通电阻特性于一体。与IGBT配套的驱动电路价格比较贵,本文介绍一种......
日立公司于１９９８年１１月推出４个低导通电阻功率ＭＯＳＦＥＴ产品。该产品厚度为１．１ｍｍ，采用窄而薄的表面封装ＴＳＯＰ—６。可应用于移动电话电源开关，锂离子电池保护电路和......
美国快捷（ＦＡＩＲＣＨＩＬＤ）半导体有限公司最近推出了专用于可携式应用市场的额定值为８Ｖ和１２Ｖ ＶＧｓ的２０Ｖ Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ系列产品，从而设立了新的表面安装型产品的低导通电阻......
飞兆半导体针对DC/DC转换推出了5种N沟道40V MOSFET,分别为FDS4770、FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A,为膝上型电脑、电脑VR......
飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 ......
手持式和便携式电子产品的市场正不断增长,原因之一在于能提供附加的功能性,如崭新性能及节省空间的特点。模拟开关正是这些电子......
国际整流器公司(IR)日前发布了一组电压为75 V和100 V、专用于AC-DC 同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备超低导通电阻,......
Vishay公司推出17款新型功率MOSFET,这些器件采用小型Power PAK1218封装,具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。主要面向用于数据通信......
Vishay Intertechnology宣布正在推出率先采用其创新型PolarPAK封装的两款功率MOSFET,该封装使用双面冷却,可降低热阻、封装电阻及......
Zetex Semiconductors公司推出新一代沟道MOSFET,为D类音频输出提供所需的大功率、最佳散热效果和优质音频复制功能。这些N沟道和P......
NTK313xx系列功率MOSFET专为空间受限的便携式电子应用而设计。其中,NTK3134N是一款20V、890mA的N通道MOSFET,NTK3139P是-20V、-78......
英飞凌公司推出采用SuperSO8和S308(Shrink SuperSO8)封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,在以上击穿电压下可提供无铅封......
据《东芝レビユ》2007年第3期报道,由于SiC材料是一种高耐压超低损的下一代功率器件的理想半导体材料,东芝公司采用了具有专利的浮......
设计了一种应用于MB-OFDM UWB射频频率综合器的工作于4 .224GHz的正交压控振荡器( QVCO) ,并采用0.18μm RF-CMOS工艺进行了设计实......
NEC电子宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD),使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK......
高耐压功率MOSFET F系列产品为使t_(rr)(内部二极管反向恢复时间)达到高速化,成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级,从......
Vishay推出两款20V和两款30V n通道器件,从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术,利用新电荷平......
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET......
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(Interna TIonalRectifier)推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准S......
在近期举办的2010慕尼黑上海电子展上,Microsemi携公司第八代MOSFET及可再生能源模块等一系列产品盛装出席了展会,得到了广大参会......
SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压,在10V栅极驱动下的最大导通电阻为0.27Ω。低导......
据《化合物半导体》2009年12月刊报导,在国际电子器件会议上,纳米电子研究中心IMEC介绍了一种应用于硅基GaN功率开关器件的硅基GaN......
英飞凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS~(TM) C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60 V 2N6660JANTX/JANTXV......
罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产......
器件在4.5 V下导通电阻仅为34 mΩ,具有1.6 mm×1.6 mm的占位面积和不到0.8 mm的高度,可在1.2 V的电压下导通,适用于更低电压的手......
罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的P沟道30 V器件——Si8497DB和Si8487DB,......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用3.3 mm×3.3mm封装以实现在4.5 V栅极驱动下4.8 mΩ最大导通电阻的20 V P......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的......
日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用......
本文介绍了下一代碳化硅(SiC)平面MOSFET、沟槽结构肖特基二极管和沟槽MOSFET器件。首先,开发了SiC平面MOSFET,可以抑制在正向电流......
全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和......
东芝公司(Corporation)专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器的30V电压功率MOSFET系列产品采用了最新的第八代低压沟槽结构,实现了......
东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一种低导通电阻功率MOSFET,该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成......
日前,德州仪器(TI)宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻MOSFET。该最新系列FemtoFET~(TM)MOSF......
Vishay Intertechnology宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP,扩充其TrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET。V......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第六届年度产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3m......
日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备,开发出世界最小尺......
