线性掺杂相关论文
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS......
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向......
采用量子动力学模型研究单材料和三材料的石墨烯纳米条带场效应管（ GNRFETs）在不同掺杂情况下的弹道输运特性，模型基于非平衡格林函数......
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS......
为了进一步提高阴极材料的量子效率,设计了一种新的InGaAs/InP转移电子（Transferred Eletron,TE）光电阴极结构,且在不同掺杂浓度、渐......
文中提出了一种具有线性掺杂PN型降场层的槽栅LDMOS器件(LDPN TG-LDMOS),以期获得较高的击穿电压和较低的导通电阻。线性掺杂PN型......
近年来我国集成电路由于国内急剧增加的市场需求和国家政府的大力支持,得到了高速有效的发展,同时也大大的缩短了与国外同行之间的......
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