薄膜SOI相关论文
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS......
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重点阐述了在薄膜SOI上制成的扩展电阻温度(SRT)传感器的阻温特性(R-T).利用器件二维模拟软件PISCES研究了最高工作温度(Tmax)的Si......
在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器，并具有令人满意的特性：即使在0．1mA的低偏置电流下，器件的最高温度工作温度仍能达到5......
