漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制

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【摘要】

：

给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作.首次对薄膜SOI功率器件的击穿

【作者】

：

张盛东韩汝琦 TommyLai JohnnySin

【机构】

：

北京大学微电子学研究所,香港科技大学电机电子工程系

【出处】

：

电子学报

【发表日期】

：

2001年2期

【关键词】

：

薄膜SOI 半导体器件线性掺杂漂移区 Calculations Electric breakdown Electric potential Optimiza

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给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作.首次对薄膜SOI功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂质浓度梯度的关系进行了实验研究.通过对漂移区掺杂剂量的优化，所制成的漂移区长度为50μm的LDMOS晶体管呈现了高达612V的击穿电压.

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