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文中提出了一种具有线性掺杂PN型降场层的槽栅LDMOS器件(LDPN TG-LDMOS),以期获得较高的击穿电压和较低的导通电阻。线性掺杂PN型降场层能够优化器件的表面电场并降低结处的电场峰值,从而提高器件的击穿电压。同时,线性掺杂PN型降场层对N型漂移区的辅助耗尽作用能够提高器件的漂移区掺杂浓度,从而降低导通电阻。仿真结果表明,与常规的槽栅LDMOS相比,具有线性掺杂PN型降场层的槽栅LDMOS器件的击穿电压提高了28%,导通电阻降低了50%。