N沟道相关论文
Vishay Intertechnology，Inc宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600......
日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC......
TOP209、TOP210是两种具有所有离线式开关电源控制系统功能，内含高反压N沟道MOSFET的三端集成稳压器，内部设有电压型PWM控制电路、控......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低......
恩智浦半导体近日宣布推出采用DFN2020—6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。DFN2......
恩智浦半导体推出采用DFN2020—6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020—6（SO......
XC9242／XC9243系列产品是输出电流为2A的降压同步整流DC／DC转换器，其内置晶体管的导通电阻小。对应陶瓷电容、内置0．11Ω（TYP．）P沟道MOS驱......
日前,Vishay宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET-SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO-220FULLPAK）、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道......
Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这3款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器......
