P沟道相关论文
近年来,GaN异质结场效应晶体管（HFET）由于具有高稳定性、高击穿电压以及高电流等优良特性已经在功率半导体领域受到广泛关注。相比于......
日前,瑞萨科技公司发布了HAT1125H、30V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的导通电阻(2.7mΩ),可用于笔记本电脑和类似产品的......
2维（2D）SnO半导体薄膜材料及在微纳电子器件中的应用问题受到了人们的广泛重视。近年来,各国科学家们已从SnO材料及器件的制备研究中......
日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA427DJ。该新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强......
VishayIntertechnology，Inc．宣布，扩充其采用超小PowerPAK0SC-70封装的‰nchFET@GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixM......
由意法微电子公司推出的带有四路由P沟道和N沟道MOSFET组成的STA500和STA505半桥级功放芯片,其内部还内置电压调整器、保护及控制......
NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。此次推出的新产品主要用于继电器......
Vishay Intertechnology，Inc．宣布．推出采用业内最小0．8×0．8×0．4mm MICROFOOT@封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款1......
日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布推出采用PowerPAK1212—8封装的-40V——SiS443DN和PowerPAK1212—8S封装的－30V——SiSS27DN器......
采用PowerPAK SC-70（SMMA511DJ）封装的N沟道和P沟道12V MOSFET以及采用PowerPAK SC75（SMMB912DK）封装的20V双N沟道MOSFET适用于植入式......
编号为FDME和FDFME的MicroFET MOSFET产品采用超紧凑、薄型（1．6mm×1．6mm×0．55mm）封装，可满足便携产品设计人员对效率更高、外......
SiP32458和SiP32459是可在1．5～5．5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20m......
8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFT——TSi8424CDB、Si8466EDB、Si8425DB具有超低的导通电阻，...
场效应管主要作为电子开关使用,在地面采集设备电路中的应用很广泛。本文旨在通过对场效应管原理的叙述,并结合对实际电路分析,详......
Vishay推出一款低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFETGenⅢP沟道技术，该技术利用自对准工......
Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70封装，具有最低导通电......
Vishay推出采用S08占位面积的30VP沟道功率MOSFET器件一Si7145DP，将10V、4．5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2．6mΩ和3．75mΩ。凭借这些......
Vishay推出可在1．5V～5．5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关SIP32458和SIP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供......
安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之......
日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，发布占位面积为1．6×1．6mm、高度小于0．8mm的新款8VP沟道TrenchFET 功率MOSFET SiB437EDKT。......
Vishay Intertechnology推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET器件SiA427DJ。SiA427DJ所采用的超小尺寸2mm×2mm PowerPAK SC-7......
飞兆半导体公司为手机和其他超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或......
Vishay推出采用2-4mmx2．0mmx0．4mmCSPMICROFOOT封装尺寸的-20V器件Si8851EDB，扩展其TrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET。VishaySiliconi......
飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrenchMOSFET，任尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。......
安森美半导体日前推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS（on）)，整体电源电路效率比其他......
VishayIntertechnology推出占位面积为1．6mm×1．6mm、高度小于0．8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。......
VishayIntertechnology推出双芯片20VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFETSiA923EDJ。采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAKSC．7......
VishayIntertechnology推出采用0．6mm超低外形的热增强ThinPowerPAKSC．70封装的新款30VN沟道SiA444DJT和20VP沟道TrenchFET功率MOSFE......
VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ，以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高......
Vishay推出新款双路12VP沟道TrenchFET功率MOSFET——SjA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm×2......
飞兆半导体公司推出了FDZ661PZ和FDZ663PP沟道、1．5V规格的PowerTrench薄型O．8mmX0．8mmWL-CSPMOSFET器件。帮助设计人员在涉及中对终......
Vishay Intertechnology推出采用3．3mm×3．3mm封装以实现在4．5V栅极驱动下4．8mΩ大导通电阻的20VP沟道MOSFET器件Si7655DN。Si7655......
和NP系列的其他产品一样，新产品按照AEC-Q101流程制造，额定温度为175℃，纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ至550mJ，因芯片......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出全新超薄的高效率MjcroFET产品FDMA1027满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027......
利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/Al GaAs p沟道HFET结构材料。通过控制V/Ⅲ束流和其他生长参数,优化了材料的生......
