开关损耗相关论文
随着变频冰箱的普及,各冰箱制造商始终围绕如何实现更大的冰箱容量展开工作,尽量减小变频压缩机安装部位的空间,即变频压缩机和变......
滤波电感、电解电容和散热器是逆变器中体积占比最大的元件，为了提高具备功率解耦功能的单相光伏并网逆变器的功率密度，该文从滤波电......
为实现“碳达峰、碳中和”的目标,中国大力发展可再生能源发电技术。逆变器作为新能源发电系统中的核心设备,其性能的优劣直接影响......
现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大了器件高频工况下的开关......
高新技术发展时期下，SiC等新型半导体的应用，促使PCB设计正向着集成化、高效化方向发展。优化设计从高频率、高密度两个方面为PCB设......
期刊
为计算NPC三电平逆变器IGBT模块损耗，提出了一种精确计算方法。首先，结合NPC三电平工作时序，对NPC三电平电路在一个输出周期内进行详......
得益于单极导通输运机理和优越的材料特性,在相同功率密度下,SiC MOSFET往往比SiIGBT有着更高的工作频率,较大的禁带宽度和较高热......
该文介绍了一种双臂推挽式逆变器,包括其电路拓扑、每个开关器件的功率分布和调制策略。分析了这种电压源逆变器的主要参数,如总谐......
针对高频感应加热电源在小型工件表面热处理应用中存在输出频率较低等问题，提出了电流型多管并联、分时交错逆变电路结构，并设计了实......
三相VIENNA整流器具有谐波小、能够实现单位功率因数、开关应力低和无桥臂直通风险等优点。但是,三相VIENNA整流电路的基本PFC结构......
学位
变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一。现有计算开关......
随着电力电子技术的发展,以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料技术和工艺趋于成熟。与传统的硅（Si）材料功率器件绝缘栅双极型晶体管......
准确计算MMC阀损耗对柔性直流输电工程设计具有重要意义。目前计算MMC阀损耗的方法存在数学解析计算不准确或者需要运行电磁仿真而......
以电机驱动为动力源的外骨骼具有控制精度高、安全可靠等特点,然而能耗问题限制了此类外骨骼的工作时长.为提升外骨骼伺服驱动器效......
零序环流抑制是交错并联逆变器正常运行的一个关键技术问题,过大的零序环流峰值将会增大开关管的电流应力,降低系统效率.该文在传......
近年来,随着电力电子技术的快速发展,三电平变流器在电能变换中有着广泛的应用。本文针对中点钳位型三电平变流器,分析了多种调制......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）具有低导通压降、高载流子密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,常......
针对三相并网逆变器采用有限控制集模型预测控制FCS-MPC(finite control set model predictive control)时计算量大的问题,研究了......
辅助变流器是地铁车辆最重要的电气组成部分之一,随着SiC器件商业化应用,辅助变流器的轻量化有望大幅提升。本文针对SiC器件应用于......
电动汽车领域采用的低电压电驱动系统因其高安全、高可靠性以及低成本等优势,成为了混动汽车和纯电动汽车的一个发展趋势。然而,在......
随着现代工业的进步与功率半导体技术的发展,碳化硅（SiC）功率器件作为“新起之秀”受到越来越多的关注,被称为是推进新能源消费革命......
学位
不连续PWM调制与传统空间矢量调制相比能够降低开关次数与损耗,提高变换效率.然而,死区效应、管压降会引起感应电机的相电压非线性......
第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点,已成为高温、高......
期刊
目前感应加热电源负载的研究多基于LLC谐振负载,对LCLC谐振负载的分析较少.针对LCLC谐振负载,提出了一种新型分析方法,探讨其具有......
期刊
电压源换流器(Voltage Source Converter-VSC)为构建静止能量转换系统的主要功能模块，VSC开关损耗对系统设计、器件参数及散热器选......
随着开关频率的提高,开关器件的损耗成为制约直流变换器效率的一个重要因素.本文介绍了一种基于移相式准谐振变换器控制集成电路UC......
基于二极管中点箝位式三电平PWM整流器常规载波调制技术，采用一种在正弦调制波中叠加零序分量的方法使开关损耗最小，即通过在正弦调......
本文针对高性能电机调速系统由单逆变器供电容量受限、开关损耗大、效率低、系统动态性能不理想的情况,研究了一种新型逆变器供电......
针对目前在电压源换流器中,IGBT的开关频率越来越高,开关器件的损耗在电力电子装置中作为一种不可忽略的因素,本文以PLECS软件作为......
本文介绍了阶梯波、载波相移脉宽调制和分段SPWM调制等几种多电平变换器的控制策略,并对它们的优缺点进行了分析和比较,得出了分段......
本文对常用的单片隔离型开关电源的优缺点进行了分析,主要介绍并分析了一种高效单片隔离型开关电源—Coolset的特点及设计中注意的......
本文以单相电压型逆变器为研究对象，对其电流跟踪控制方式进行深入分析.对三态滞环电流控制方法做了探讨，针对无源负载情况下出现的......
无铁芯交流稳压器整机没有工频电感和电解电容，全部采用半导体电子器件，其交流稳压完全源于电子电路功能，因此功率因数为1，而总谐波畸......
针对微弧氧化工艺特点和节能的要求，设计了一种脉冲方波电流源。主电路采用单元并联结构;单元电路以IGBT为核心，采用BUCK型拓扑结构，......
以前关于E类软开关逆变器的文献大多用MOSFET(场效应管)作为开关元件.本文研究了用IGBT作为开关元件的E类逆变器.目的是既要获得比......
讨论了同步整流管在工作过程中损耗产生的原因,给出了各种损耗和具体计算公式.通过理论和实验证明了公式的正确性.......
在保证一定的输出波形质量的基础上，如何有效地减小开关损耗是逆变器控制研究的热点之一。利用免疫遗传算法来寻找单相逆变器最小损......
动态电压压调节器(DVR)被认为是治理电压暂降的最好选择,备受国内外堂者的关注.文中以级联型逆变器作为DVR主电路,采用基于KL坐坐......
在过去的60年中，硅(Silicon，Si)材料发展至今已十分成熟，其硅基半导体器件的性能也已达到材料本身的极限。碳化硅(Silicon Carbide，SiC......
随着电力电子器件的发展，基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的电压源型变换器在柔性直流输电系统中得以广泛采用。IGBT作为其中核心的功......
随着社会的发展与技术的进步，人们对电力电子变换器效率和功率密度的要求日益提高，使得第三代功率半导体如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)......
高效率与高功率密度的永磁同步电机(PMSM)在传动、伺服等领域广泛应用。电机控制基础内环(简称基础内环)是PMSM控制的基本框架,其......
针对高频开关电源,设计一种基于Boost结构的功率因数校正(PFC)电路。前级采用交错并联的Boost结构,利用平均电流控制策略,实现输入......
传统的空间矢量脉宽调制(SVPWM)是 7 段式 PWM 的调制,其发波对称,谐波含量低,是一种连续 PWM 调制方式。但是在一个开关周期内,SV......
双脉冲测试是评估器件动态特性的重要手段。测试电路的寄生参数将对测试结果产生直接影响。基于双脉冲测试平台,研究并评估寄生电......
期刊
开关功率损耗降低40.5%!三栅极IGBT可提高所有电气设备中电源转换器的效率,为实现碳中和做出贡献。♦IGBT中的功率损耗存在一种此......
文章提出一种基于三电平NPC逆变器的效率优化调制策略,推导对比了所提效率优化调制策略和双调制波载波调制(DMWPWM)策略的关系。通......
寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰，通常抑制过电压方法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。该文介绍了有效抑......
