栅极驱动相关论文
功率MOSFET是应用最为广泛的功率器件之一,功率MOSFET及其驱动电路广泛应用于工业机器人、工业控制设备、家电、无人机、新能源交......
近年来,脉冲功率技术的快速发展,应用场景越发广泛,在国防、工业、生物医学等领域都成为了推动产业发展的巨大推力。高压脉冲电源......
电流脉冲信号被广泛应用于激光雷达驱动以及分立器件测试等领域中,与恒流信号相比,电流脉冲能够为负载带来更高的瞬时功率,且避免......
针对目前采用临界导通模式(Boundary Conduction Mode,BCM)的发光二极管(Light Emitting Diode,LED)驱动电路,介绍了临界导通模式......
功率电子领域正朝着高集成度、高能效比、高可靠性的方向发展,而当今在功率电子领域中应用最广泛的硅基（Silicon,Si）功率器件已不能......
针对GaN功率器件在应用的过程中可能出现误导通、电压尖峰与振铃、过电压、过电流等问题,通过简要分析GaN功率器件驱动回路、过电......
以功率半导体器件为核心的电力电子技术，在特高压直流输电、高铁、电动汽车、可再生能源发电和5G通信为主要应用场景的新兴行业将振......
Renesas公司的RAJ306001和RAJ306010是用于三相无刷DC马达应用的通用马达控制集成电路,在同一封装内组合了MCU(RL78/G1F)和预驱动......
本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路(IC)。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能,然后介绍电......
绝缘栅双极晶体管是近年来发展迅速的一种新型电力半导体器件,在电力变换技术中的应用日趋广泛。本文在科技文献调研基础上,阐述其......
用电池供电的便携式产品的日益普及使得节省电源的需要显得更加突出,这就需要部分电路在不使用时能够被关闭.例如,当便携式计算机......
半导体和ＩＣ１４位２ＭＨｚ取样Ａ／Ｄ转换器 查询号２３１Ｄａｔｅｌ公司的ＡＤＳ－９１９是一种高性能１４位２ＭＨｚ取样Ａ／Ｄ转换器，可按照奈奎斯特频率对输入信号进行取样而无遗漏码。ＡＤＳ－９１９具......
光电隔离器（ＰＶＩ）为ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ提供隔离的栅极驱动。但是，在关断时，ＰＶＩ不能下拉栅极排放栅极电荷。采用一个可编程结晶体管（ＰＵＴ）就可提供很快的栅极下拉，在０．２μ......
ＭＯＳＦＦＴ栅极驱动发生器印度Ｃｅｎｔｒｅ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ＴｅｌｍａｔｉｃｓＶ．Ｌａｋｓｈｍｉｎａｒａｙａｎａｎ毫无疑问，功率ＭＯＳＦＥＴ正在日益普及，但是，由于它需要栅极驱动电压，因而人们可能对其某些优点持否定态度。在ＭＯＳＦＥＴ从...
M......
介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件———ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，它......
以全桥ＺＶＳＰＷＭ逆变焊机电源为对象，通过对零电压开关下ＩＧＢＴ开关特性、开关损耗与硬开关下的比较，得出零电压开关下ＩＧＢＴ可靠性的研究结果。
Taking......
介绍了ＩＧＢＴ过流的特点和过流保护的特殊问题，给出了过流保护的方法和综合保护的方案，并进行了试验，还介绍了过流保护中的抗干扰措施
The ......
以等效电路为工具，重点分析了在开关动态过程中，ＥＸＢ８４１内部稳压管的功耗变化情况；对各影响因素进行了综合分析；所得结论对实际应用有一定的参......
详细介绍IR公司最新推出的新一代针对交流电机的三相栅极驱动集成芯片IR2137的内部工作原理,及其所采用的新技术:退饱和保护电路,......
本文介绍了以16位单片机SOC196MC实现电压空间矢量控制技术，完成大容量IGBTPWM变频调速的装置；分析了具有软关断特性的驱动技术、无......
当功率MOSFET或IGBT用作高压侧开关时,对它的驱动有严格要求,当前有几种技术可用来实现这种功能。本文主要介绍电压自举法的特点、......
1 简介高频化、智能化、模块化是电力半导体器件发展的主要方向,IGBT即是MOS与BJT复合型功率模块,它既有MOSFET管易于驱动的特点,......
本文对栅极驱动特性、栅极串联电阻及IGBT的驱动保护电路进行了探讨,提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。
In this p......
工业电源必需满足一些特殊的要求,如低功耗(以减轻机箱冷却方面的负担)、高功率密度(以减小空间要求)、高可靠性和高耐用性,以及其......
飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 ......
国际整流器公司(IR)为工业电机和服务驱动器推出 iNTERO 系列智能功率模块。该模块将嵌入驱动电路板(EDB)集成在功率单元上,提供......
图1所示的极性保护电路是一种高性能电路,可替代普通的串联二极管(常常是肖特基二极管)。这一电路引起的电压降比性能最好的肖特......
控制电路的设计质量对变频器的性能至关重要。应该作为设计工作的重点同时控制电路功能众多,相对复杂,设计的内容比较复杂,周期较......
飞利浦日前宣布推出智能功率产品PIP212-12M,采用单个8 mm×8 mm QFN封装,集成了2个功率MOSFET开关和1个驱动器IC。与分立解决方案......
飞兆半导体公司推出两种新型高性能半桥栅极驱动器IC,为消费电子和工业应用提供良好的系统可靠性和效率。FAN7380和FAN7382采用共......
4缺陷的主要原因一个理想的D类功放没有失真,在可听波段没有噪音且效率是100%。然而,正如图7所示实际的D类功放并不完美并且会有失......
Vishay Intertechnology宣布正在推出率先采用其创新型PolarPAK封装的两款功率MOSFET,该封装使用双面冷却,可降低热阻、封装电阻及......
国际整流器公司近日推出坚固型600V三相栅极驱动器IC,主要应用于包括永磁电机驱动的家电、工业驱动、微型变频器驱动和电动汽车驱......
据《今日电子》2008年第1期报道,Si4642DYSkyFET是整合肖特基二极管的单片MOSFET,该器件击穿电压达30 V,在10 V栅极驱动下,导通电......
据《世界电子元器件》2009年8月月刊报道,Diodes公司推出ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美......
据《电子世界》2009年9月月刊报道,Vishay Intertechnology,Inc宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件SiR494DP,将该......
Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFET SiE726DF,该器件......
风力发电和电动汽车需要具有高功率密度的功率模块。文章介绍了满足这些领域要求的功率模块的封装技术。......
数字音源、节能和平板薄型视频系统的推波助澜,数字技术的渗透,开关放大技术的理论和器件制造技术的日趋成熟,D类放大器的发展方......
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET......
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET——SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低......
