超结相关论文
功率MOSFET和以其为核心的功率集成电路是电力电子系统实现电能转化、电压变换的关键,广泛用于消费、工业、汽车及航空航天、军事......
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IG......
半导体器件仿真与设计是一门涉及半导体器件原理、微电子工艺、版图设计和专用仿真软件使用的课程。论文借鉴工程教育认证毕业要求......
期刊
由于宽禁带材料GaN具有高临界击穿电场和良好抗辐照性,受到功率半导体领域内研究者们的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ族化合物所具有的强极化效......
高压集成电路被广泛的应用于AC/DC转化、高压栅驱动、LED照明驱动等领域,应用前景广泛。作为高压集成电路的核心开关器件,LDMOS（Lat......
学位
氮化镓（GaN）因具有宽禁带、高临界击穿电场以及高电子饱和速度等特点被学术界以及产业界广泛地研究,基于GaN材料新型功率HEMT器件也......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）具有低导通压降、高载流子密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,常......
SiC材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优点,是制作功率半导体器件的理想材料。碳化硅绝缘栅双极型......
随着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的发展,目前主流的场截止型结构越来越接近其理论极限.超结被誉为“功率MOS的里程碑”,近年来也......
对浮结型及超结型肖特基势垒二极管静态及动态特性进行了解析及模拟。静态特性通过解析击穿电压与导通电阻之间的关系得到。反向恢......
提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDP SJ由一排嵌入在N漂移区的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电......
超结VDMOS与常规VDMOS的主要差异在于漂移区,超结VDMOS是在常规VDMOS的n型漂移区中插入了p型区。此p型区具有较大的深度与宽度比,......
为了突破传统横向双扩散金属-氧化物-半导体器件(lateral double-diffused MOSFET)击穿电压与比导通电阻的极限关系,本文在缓冲层......
近年来,GaN基垂直型功率器件以其芯片面积小、击穿电压高、电流崩塌抑制能力强等优势而成为国内外研究的热点和焦点。然而,当前的G......
功率半导体器件作为电力电子系统中的核心元器件,从20世界70年代发明以来,一直在现代生活中扮演着重要的角色。传统的消费类电子产......
学位
击穿电压和比导通电阻是SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)LDMOS(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field ......
功率半导体器件在电能转换中起着至关重要的作用,特别是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),它被应用在许多领域,是不可或缺......
分析了超结结构功率MOSFET在开关过程中由于Coss和Crss电容更强烈的非线性产生更快开关速度的特性;给出了不同外部驱动参数对开关......
基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性,首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑......
提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法。通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外......
首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究.通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度......
由于导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,肖特基二极管（SBD）不能够应用于高压功率领域。为了改善导通电阻与击穿电压之间的关系,提出......
期刊
提出一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术，并在横向双扩散MOSFET（LDM0s）上进行了实验验证。该技术采用一个轻掺杂的p-sub层，插入LDMO......
超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限，被誉为功率MOS器件的里程碑器件。本文对超结领域全球的相关专利技术进行分析，从申请趋势......
超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变......
非平衡超结器件的电荷补偿能力在薄层SOI器件中受到限制,文中提出一种具有T型电荷补偿区的器件结构。通过漏端刻蚀的PSOI结构使硅......
利用ISE软件模拟了阻断状态下超结（SJ）的耗尽层与电场分布，从电场分布的角度解释了SJ的击穿机理。并分析关键参数，如p柱与n柱的宽度、......
研究了高压sj—nLDMOS器件中的一种特殊的电流饱和现象一准饱和效应。利用仿真工具SILVACO，对三维nLDMOS器件进行仿真，并从准漏极电......
在功率半导体器件中，高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一，选用超结结构替代功率半导体器......
提出一种具有非均匀交叉分布P柱区（NCDP）的新型超结（SJ）LDMOS,NCDP SJ由一排嵌入在N漂移区的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来......
首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA—MEDICI仿真验证，超结IGBT耐压能力和正向......
对浮结型及超结型肖特基势垒二极管静态及动态特性进行了解析及模拟。静态特性通过解析击穿电压与导通电阻之间的关系得到。反向恢......
碳化硅垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Silicon Carbide Vertical Double-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef......
常规的硅器件结构达不到现在人们的需求，而且硅还受到自身材料的束缚“硅极限”[1]，因此人们建立了新型结构---超结结构[2]。超结结......
由于“Silicon Limit”的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模......
介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为电力电子领域中的—’种典型开关器件,具有输入阻抗大、导通压......
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基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂......
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit, HVIC)凭借高速、高集成度、高可靠性、抗辐照和良好的......
功率集成电路要求功率器件具有高功率、高速、低功耗和易集成的特点,横向功率器件作为功率集成电路的核心成为了研究的热点之一,其......
随着经济的发展,全球对电能的需求量在逐年增加。如今,中国已超越美国成为了世界上电能消耗量最大的国家,而且中国的电能消耗量的......
在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体......
为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si ......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是当今最具创新性的功率器件,是目前为止唯一将MOSFET和双极结型晶体管结合在单元胞中的器件。由于MOSFET......
