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非平衡超结器件的电荷补偿能力在薄层SOI器件中受到限制,文中提出一种具有T型电荷补偿区的器件结构。通过漏端刻蚀的PSOI结构使硅衬底与埋氧层同时参与纵向耐压,可以提高非平衡超结n区的电荷补偿能力;在埋氧层刻蚀区增加垂直的n型补偿区,弥补埋氧层的缺失。由横向的非平衡超结n区和漏端垂直的n区共同构成T型补偿区,可以有效缓解薄层SOI超结器件中的衬底辅助耗尽效应,优化横向电场,提高器件的耐压。器件的制作可以通过改进传统的PSOI工艺实现,应用于SOI功率集成电路。三维器件仿真结果表明,新结构下的器件耐压达到29