反向恢复相关论文
功率MOSFET由于可以实现高速的开关,有着较高的输入阻抗,并且易于被驱动,在功率器件中占有着重要的地位。但是功率MOSFET器件的击......
屏蔽栅场效应管SGT-MOSFET（Shield-gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）,作为新型功率开关MOSFET,通过在槽栅......
近些年来,脉冲功率技术被广泛应用在环保、国防、高新技术研究等多个领域中。脉冲电源是脉冲功率装置中的重要组成部分,为此本文对......
本文提供了诸如结温、正向电流、正向电流下降率即换向di/dt对大功率快速二极管反向恢复特性影响的试验和仿真结果。用以描述二极......
随着半导体行业在今世社会的迅猛发展,传统硅器件受到其材料本身的限制,已在一定程度上难以满足电力电子领域中高频率、大功率以及......
学位
晶闸管是特高压直流输电领域中的核心设备,其运行状态直接影响了直流输电系统的稳定性.晶闸管关断过程中,电流从额定值降为零后,才......
超结（Super junction）MOSFET因其导通电阻低,开关速度快,特别适合应用在全桥和半桥电路中,在直流充电桩和大功率电源领域应用广泛。......
随着电力电子技术的快速发展,以碳化硅（SiC）为材料的第三代宽禁带半导体大功率电力电子器件迅猛发展。SiC以其卓越的机械、化学、物......
本文介绍了一种采用扩散型双基区结构的快速软恢复二极管.二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N与扩散形成的较重掺杂的N区(缓冲基区......
本文提出一种反向恢复性能改善了的功率VDMOSFET结构.该结构中,在源极金属下的p-body区加做一个n+区以形成三极管(见图6).借助仿真......
会议
提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表......
给出了快速二极管软度Ｋ的新定义；推导出快速二极管反向过电压与软度Ｋ的关系，经试验证实了软度Ｋ与反向过电压的对应关系。
The new defi......
开关电源的电磁干扰对电子设备性能有很大的负面影响,本文对开关电源中电磁干扰的成因做了简要分析,并提出了几种有效抑制电磁干扰......
1 工艺状况双极型硅二极管通常被用于变换器中。在硬开关电路中,它们的反向恢复会在二极管本身以及对应的晶体管中产生损耗。同样......
文章依据较高线电压的扩展比较了具有扩展安全工作区(SOA)的2个4.5kV二极管。为了改善反向恢复特性,必须降低通态过程中靠近阳极的......
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572,其具备综合性能优势,能同时为DC/DC转换......
2 续流和缓冲二极管 2.1 对续流和缓冲二极管的要求现代的快速开关器件要求采用快速的二极管作为续流二极管。在每一次开关的开通......
在200W连续导通模式功率因数佼正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二极管比较,砷化镓,碳化硅在P......
第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电......
引言反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf、反向恢复电荷Qrr以......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有......
随着采用1700V-SPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型,和为了进一步开发利用新的1700V-SPTIGBT和二极管芯片的特性,出现了......
随着1700V-SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为了进一步开发利用新的1700V- SPT IGBT和二极管芯片的特性,出现......
测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备。必须能够建立正向导通条件、正向闭锁状态、及两者间的过渡。还需要有一
Th......
受益于快速发展的硅片工艺,IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限。三菱电机通过采用新的硅片技术,已......
先进的MOSFET和二极管有助于提高UPS、转换器和PFC的效率世界各地计算机数量众多,耗能量也相当庞大,而支撑互联网运作的数据中心就......
为协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战,Qspeed半导体公司推出H系列组件Qspeed新款600V功率因数校正器(PFC,Power Fac......
本文阐述一种被称作双模式绝缘栅晶体管(Bimode Insulated Gate Transistor,缩写为BIGT)的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进......
新型CoolMOS~(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻......
随着经济从纸张型往数字信息管理型方向发展,用于数据处理、储存和网络的数据中心在商业、学术和政府体系等领域都发挥着重要作用......
对浮结型及超结型肖特基势垒二极管静态及动态特性进行了解析及模拟。静态特性通过解析击穿电压与导通电阻之间的关系得到。反向恢......
使用轴向寿命控制(CAl-controlled axial lifetime)技术,SEMIKRON将他的第4代续流二极管从1200V扩展到了650V和1700V电压等级。一......
研发了一种结势垒肖特基(JBS)二极管,在3kV电压下,具有低正向电压和低漏电流特性。用Si-IGBTs和SiC-JBS二极管搭建了标准3kV/200A......
先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能。本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM Ⅱ ......
开发出了使用于车辆用逆变器的2000V300A IGBT模块。为了适合车辆使用,改善了芯片接合结构,实现了高耐压2000V,使IGBT具有高速低......
2014年12月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件——SiHx28N60EF和SiHx3......
EPC公司一直专注于功率管理应用领域,生产增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管,近期公司发布了一款增强型单片氮化镓晶体管半桥,型号......
换流阀是高压直流输电(HVDC)系统的核心装备之一,其性能直接影响整个系统的可靠性和稳定性。晶闸管级单元是高压直流换流阀中的最......
采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p~+区和低掺杂p~-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常......
为准确描述高压柔性直流输电技术中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块中IGBT与二极管的开关暂态、热学特性及其关系,提出了一种考虑热......
介绍了基于数学模拟方法的IGBT损耗计算模型以及计算IGBT结温所采用的等效热路模型,在此基础上提出了一种连续工作损耗和瞬时结温......
