肖特基势垒相关论文
X射线探测器已广泛应用于计算机断层摄影、数字射线摄影等领域。与传统的半导体材料（Si、Ge）相比,钙钛矿材料已被证明是最有前途的辐......
异质结构是一系列含有不同组分材料形成的单一结构的纳米复合材料。金属-石墨相氮化碳纳米管异质结材料由于具有金属和氮化碳纳米......
红外光电探测在气象预测、军事侦察、环境监测和智慧医疗等领域具有广泛的应用前景,采用成本低、可批量生产的方法制备性能优异、......
随着大数据时代的到来,基于冯诺依曼架构的计算机面临着日益严重的功耗与延时挑战。与此同时,忆阻器拥有与人脑突触相似的电学特性......
目前的“大数据”时代对高速、高密度、低功耗的非易失存储器的需求极为迫切。基于电阻变换（阻变）效应的阻变存储器由于其结构简单、......
基于钙钛矿结构稀土掺杂锰氧化物（R1-xMxMnO3,R=稀土元素,M=碱土元素）在磁存储和磁传感方面有广泛的应用前景,因而成为近年来凝聚态......
自旋发光二极管是一种重要的自旋电子器件,该器件是在自旋电子学结合半导体材料而开展的关于自旋注入、操纵和探测的半导体自旋电......
本论文的内容主要包括两个方面,一个是NSRL（National SynchrotronRadiation Laboratory）光电子能谱光束线和实验站的建设,一个是对Cu......
本文以推广的Jacobson方法讨论了SSeS结的Josephson效应，并在小电流假设下，导出了该结的电流密度与位相之间的关系。 首先，介绍......
二维MoTe2由于具有丰富的能带结构和晶相结构以及优异的光电性质而倍受关注。然而,目前对于MoTe2的研究和应用存在一定的挑战。一......
自2004年单层石墨烯通过机械剥离的方法成功的被制备出。二维材料备受研究者的关注由于其优异的物理性质,化学性质等。金属硫属化......
由于SiC禁带宽度大,在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何......
在纳米逻辑器件中,制造低的肖特基势垒仍然是一个巨大的挑战.本文采用密度泛函理论研究了非对称氧掺杂对石墨烯/二硒化钼异质结的......
二维有机晶体长程有序、无缺陷的晶体结构可以保证电荷的高效注入和传输,其对外界刺激响应十分灵敏,可以应用于高性能的电子器件与......
以光为信息载体实现信息传递的光通信技术,凭借优异的速度传输性能和强大的信息容量成为现代社会最重要的技术之一。其中,与成熟互......
本文基于经典金半势垒模型构建了石墨烯/硅肖特基太阳能电池的二维工艺仿真模型,实现异质结特性参数(如结深、理想因子、串联电阻......
铁电体具有自发铁电极化，可经由外电场调控。利用这一特性，铁电体在存储器和传感器中得到广泛应用。新兴的铁电存储器包括铁电二极管......
本文研究了稀土Pr对新型(Co,Nb)掺杂SnO压敏材料微观结构和电学性质的影响.当PrO的含量从0增加到0.1mol﹪时,(Co,Nb)掺杂SnO压敏电阻......
本文通过求解一维定态薛定谔方程,得到自旋电子直接遂穿金属-半导体肖特基势垒的自旋极化率.在偏压很小时,自旋极化电流没有足够的......
本文用化学电共沉积法制备出GaAs多晶薄膜,并用该薄膜制备出肖特基势垒,对其制作工艺及有关问题进行了讨论和分析.......
利用磁控溅射技术在Nb 掺杂的SrTiO3单晶(NSTO)衬底上分别沉积了金属Ag 和Ti,并研究了Ag/Nb：SrTiO3/Ti 结构的阻变行为以及温度对该......
会议
石墨烯因其独特的性质，近年来迅速成为材料科学、凝聚态物理等众多领域的研究热点。在石墨烯和宽禁带半导体构成的电子和光电子器件......
利用磁控溅射的方法分别在0.5wt％-Nb:SrTiO3(NSTO)单晶衬底上制备了Ag/NSTO)/Ag、Ti/NSTO/Ti 和Ti/NSTO /Ag 结构样品,并对他们的电......
采用共蒸镀法在石英衬底上制备MoO3 掺杂Rubrene 混合薄膜(1：1)，薄膜的紫外-可见-近红外吸收光谱表明，在近红外波段出现强烈吸收，表明......
当ZnO 纳米线受到应变时，会产生极性相反的压电势。一般来讲，正的压电势降低电极与纳米线界面处的肖特基势垒高度，负的压电势使肖特基......
由于铁电材料固有的稳态极化能够被外加电场反转，因此利用铁电元件的剩余极化状态(+Pr、-Pr)可以分别表示二进制数字系统里的“1”......
据国防科技信息网5月17日消息,美国麻省理工学院加州大学伯克利分校、美国劳伦斯伯克利国家实验室、台积电公司、台湾大学和沙特阿......
据国防科技信息网5月17日消息,美国麻省理工学院联合美国加州大学伯克利分校、美国劳伦斯伯克利国家实验室、台积电公司和沙特阿拉......
铁电隧道结具有金属/铁电体/金属(MFM)结构，以几个纳米厚度的铁电体作为势垒层，铁电层中自发极化方向的翻转调制了结势垒高度，从......
ZnO和SnO2压敏元件的电性能取决于晶界肖特基势垒。深能级瞬态谱仪(DLTS)是研究存在于肖特基势垒的电子态的一种有效工具。本......
三氧化钨(WO3)是一种具有广泛应用前景的功能材料,在诸如电致变色、有毒气体探测和光化学催化等方面已得到较系统的研究。近年来,......
采用电化学阳极氧化法和浸渍-提拉法成功制备了高度有序的Pt改性TiO2纳米管(Pt/TNT)阵列电极,并运用场发射扫描电子显微镜(FESEM)......
利用光还原的方法制备一系列不同银含量的改性介孔二氧化钛的颗粒。采用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外一可见漫......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出六款采用小尺寸、超薄、表面贴装SMF(DO-219AB)eSMP封装的新款整流器。这些器件通过AE......
以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报......
７７Ｋ杜瓦瓶制冷铂硅线列红外ＣＣＤ探测器组件何剑（电子工业部第四十四所重庆永川６３２１６３）本组件由１０２４位ＰｔＳｉ肖特基势垒线阵ＣＣＤ、杜瓦瓶和二次集成的ＣＣＤ外围驱动电路......
本文综述了某些用于热红外辐射探测器的器件,重点讨论有关提高器件的工作温度和列阵规模的发展趋势
This article reviews some o......
介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的......
扫描隧道谱研究半导体硅掺杂吴敬文，陈浩，丁德胜，陆祖宏，韦钰（东南大学生物医学工程系南京２１００１８）集成电路的集成度正以惊人的速度每年递增，目前......
利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外......
本文根据实验结果，分析了以ＳｎＯ＿２为主体材料的ＣｕＯ作添加剂的ＣｕＯ－ＳｎＯ＿２气敏传感器的敏感性能，并从理论上对其气敏机理进行了探讨。
Based on the exper......
通过简化的三角势垒模型计算发现在第三代电致发光器件中，ＣｄＳ层确实对提供初电子有利．用计入非晶效应的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法进行模拟计算，证明非晶ＳｉＯ２层比ＺｎＳ层......
