Ga2O3相关论文
纵观半导体在微电子领域的发展历史,带隙更宽的半导体材料逐渐备受青睐,而发展性能更为优异的半导体材料是必然选择。近年来,新型......
紫外光电探测器在军事与民用等多个方面具有广泛的应用,如导弹预警,空间通讯,火灾监测,高压电线路检测等。宽禁带半导体具有禁带宽......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件，介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果：SiC材料对重离子辐照不......
宽禁带半导体在日盲紫外探测方向具有广阔而重要的前景,所以近年来,以Ga2O3为代表的第三代半导体成为人们研究和讨论的热点问题,其......
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研......
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型，对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。......
第三代半导体材料具有禁带宽度大和击穿场强高等优点,因此在紫外探测和电力电子方面具有巨大的发展前景和研究意义。尤其是β-Ga2O......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
长期以来Si在半导体应用中占据主要地位,但也面临着材料可扩展性和开发潜力的局限,另外随着芯片尺寸逐渐缩小,可能逼近摩尔定律极......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型超宽禁带半导体材料,相比于第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)材料,具有能带更宽、临界击穿电场更......
氧化镓(Ga_2O_3)材料是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有4.8e V的超大的禁带宽度和8MV/cm的超高的理论击穿场强。同时,它的Balig......
肖特基势垒二极管是基于金属-半导体接触的单极整流器件,其开启电压较低。由于肖特基二极管中少子的电荷存储效应甚微,其反向恢复......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种宽禁带的氧化物半导体材料,它是继Si C、Ga N后第三代半导体材料的新的一员。Ga_2O_3有着优异的光电特性,良......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型的宽禁带透明导电半导体,具有五种已知的同分异构体。Ga_2O_3因其4.4～5.3e V的超宽带隙、高击穿场强、大......
RF performance evaluation of p-type NiO-pocket based β-Ga2O3/black phosphorous heterostructure MOSFE
The radio-frequency (RF) performance of the p-type NiO-pocket based β-Ga2O3/black phosphorous heterostructure MOSFET ha......
GaN是一种优秀的宽带隙化合物半导体材料，具有宽的直接带隙，室温下禁带宽度为3.39eV；GaN具有强的原子键、高的热导性等性质以及强的热......
宽带半导体Ga2O3和GaN由于其独特的性能及应用价值成为现今学术界和商业界研究的热点。至今低维的Ga2O3和GaN已经用各种方法被制备......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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Eu-doped GaOOH nanoparticles with size of 5-8 nm were prepared by hydrothermal method using sodium dodecylbenzene sulfon......
用X-射线荧光光谱直接压片法测定氧化铝中杂质GaO3含量.该方法快捷方便,准确度、精密度高,能满足科研和工业生产的需要.......
Ga2O3是一种具有很宽的能隙(Eg=4.9Ev)的化合物,它在结构方面和发光性质方面的特性已经被深入研究.本次实验研究的是在高压条件下G......
在管式电炉中，采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体。通过XRD和AFM对生成物进行了分析，并研究了各种工艺参数如反应温度、保......
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利用XRD、FESEM、SAED、EDS、HRTEM和PL分别对氧化镓之字形纳米材料的形貌和结构进行了分析。研究结果表明,之字形纳米氧化镓具有......
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以去离子水（H2O）和三甲基镓（TMGa）为源材料，用常压MOCVD方法在蓝宝石（0001）面上生长出β-Ga2O3，薄膜。用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）以......
采用电阻蒸发镀膜技术制备了Ga2O3薄膜,并进行了500℃和800℃的大气热处理.分别用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了它们的......
以水（water）、异丙醇（IPA）、正戊醇（n-PTL）和正己醇（n-H）为溶剂,采用溶剂热法制备了Ga2O3（Ga2O（3water）、Ga2O（3IPA）、Ga2O（3n-PTL）和Ga2O（3n-H））。利......
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利用干热氧化方法,对蓝宝石衬底上沉积的GaN薄膜进行热氧化处理制备出了Ga2O3薄膜.研究了氧化温度对Ga2O3薄膜的结构、形貌、氧化......
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采用X射线光谱仪（XPS）和椭偏测试仪（sE）对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究。当氧化温度为9......
二维纳米材料是在三维结构中一维的尺寸在0.1-100nm之内,而其他二维无限延伸的材料,这使得其具有其他材料所完全无法展示出的高度......
光催化技术是现代新兴的环境污染治理技术手段之一。Ga2O3作为光催化剂,具有无毒性、价格低廉、物理化学性质稳定和催化活性高等优......
用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料,探讨了Au催化剂对纳米结构和形貌的影响,并研究了其光致发光特性。X射线衍射（XRD）分析显示产......
目的将凹凸棒黏土负载Ga_2O_3制备的Ga_2O_3-凹凸棒固体酸催化剂,用于苯甲醛乙二醇缩醛的合成。方法以凹凸棒黏土、Ga（NO3）3作为原料......
采用传统陶瓷烧结工艺制备了（K0．44Na0．5Li0．06）（Nb0．89Ta0．05Sb0．06）O3＋x（质量分数）Ga2O3无铅压电陶瓷，研究了掺杂不同Ga2O3含量对（K0．44Na0．5Li0．06......
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜，研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响。利用红外透射谱（F......
采用Ga2O3与NH3在管式电炉中于高温常压下进行反应，并在硅基片上沉积GaN薄膜，研究了各种工艺参数如反应温度、NH3的流量、硅基片反应......
向Ag30CuZnSn药芯银钎料药粉中添加Ga2O3,研究了Ga2O3对Ag30CuZnSn药芯银钎料钎缝组织的影响及钎焊接头性能的影响.结果表明,微量G......
氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料,由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点,广泛应用于大功率器件等领域,已成......
为提高全钒液流电池石墨毡电极的电化学性能,采用热分解法将纳米Ga2O3沉积在全钒液流电池石墨毡电极表面。通过循环伏安测试、动电......
用于二氧化碳气氛中丙烷脱氢的新型镓及铟基氧化物催化剂研究丙烯作为重要的化工中间体,目前工业上主要来自炼油厂流化床裂解和乙......
β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是......
宽带隙氧化物半导体材料具有优良的光学和电学特性,因此在发光二极管、半导体激光器、薄膜太阳能电池、透明薄膜晶体管、气体探测......
学位
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石（Al2O3）衬底上生长所得......
