单晶材料相关论文
纵观半导体在微电子领域的发展历史,带隙更宽的半导体材料逐渐备受青睐,而发展性能更为优异的半导体材料是必然选择。近年来,新型......
随着科学技术的迅速发展,人们对于产品发面的需求不断增加,与之对应的先进制造技术在加工效率、加工成本以及加工精度等方面不断提......
随着航空技术的发展,单晶镍基高温合金的优异性能逐渐表现出来,具有优良的高温性能、抗氧化性、组织稳定性和使用可靠性。由于单晶......
GaSb材料在制作长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件方面表现出了极大的潜力和良好的发展前景。本文报道了大直径(最大直......
用水热法合成了棒状WO3单晶材料，并研究了其对染料(罗丹明B)的吸附性能。通过XRD、XPS、TEM、HRTEM、SAED、BET等系列表征，发现所染......
对于科学家来说,他们的一生要面对无数座科研的高山。那么,如何才能成功地征服一座座高山,而不至于被其阻碍前方的科研道路?对此,......
针对人工切割石英管效率低,且容易破碎断裂的问题,基于环形切割均匀方法,设计出一种石英管环切机。该机通过高速旋转的环切砂轮,绕......
PMN-PT单晶材料是一种新型复合钙钛矿型晶体材料，具有高的压电与机电耦合系数(d33～2000pC/N，k33～9％)和大的应变量，已远远超出目前使用的......
过去三十年中,氮化物半导体器件都是采用异质外延的方式生长在蓝宝石、碳化硅或者硅衬底上面,已经取得了巨大的成功.材料中的缺陷......
定向凝固的镍基合金和硅、锗单晶以及取向硅钢等强织构材料的精确定向和宏应力计算一直是材料领域十分关注的问题，本文采用了一......
本文介绍了掺InBiCaVIG单晶的制备,结果表明该材料具有小的|K_1/M_s|和△H,低的4πM_(?),高的θ_c,较之GaYIG更适用于低频器件。对......
Ni基高温合金SRR 99是一种用v′相粒子强化的单晶材料。SRR 99合金的成分(wt％)是:Al 5.5、Ti 2.2、Cr 8.5、Co 5.0、Ta 2.8,W 9.5......
本文的目的在于研究n型和p型硅单晶材料在外荷载作用下的变形性质。将云纹干涉和散斑干涉技术用于硅单晶材料变形性质的测定。试验......
晶须是一种特殊形态,即十分纤细的单晶材料。一般晶须是一维形态,直径为零点几微米至几十微米,长度则有几十微米甚至几十毫米,少......
本文研究了用助熔剂法和浮区法两种方法生长Nd2-x Cex CuO4(NCCO)单晶的生长条件和NCCO单晶的热传导性质.用助熔剂法方法可以生长......
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条......
单晶材料表面缺陷测量解决方案:使用X射线定向仪对晶体表面进行测量,通过半峰宽对晶体表面生长的完整性进行品质评价;该设备具有检......
介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)......
对谐振腔微扰法测试单晶电介质微波复介电常数进行了分析。采用研制的ＴＥ＿（１０ｎ）。模矩形谐振腔，利用标量网络分析系统与微机联网，在液氮温度和......
中国科学院半导体材料科学实验室研究方向薄层、超薄层半导体异质结构材料、特种薄膜材料以及空间微重力等特殊条件下化合物半导体......
扼要介绍了用比较法测量声光介质声光优值的基本原理、实验装置和试样制备等，并用这种方法测量了声光介质分别为声光玻璃和ＬｉＮｂＯ３、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、ＰｂＭｏＯ４、ＴｅＯ２单......
连续波激光和脉冲激光对光学材料不同的破坏机理决定了解决其光学稳定性的不同途径。为了确定红外光学材料破坏机理变更的边界，作者......
利用国际上近几年发展起来的扫描电子声显微镜技术，对ＢａＴｉＯ３铁电陶瓷材料及其单晶进行电子声成像实验。结果表明：利用扫描电子声显微镜技术......
以高技术电子材料——铁电单晶体为研究对象，在对铁电体中电畴内的细观力电耦合场分析的基础上，采用Ｍｏｒｉ－Ｔａｎａｋａ方法以自洽的方式导出了材料构元......
用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一．不同质量的材料在二维衍射......
以高纯度的Ｂｉ２Ｏ３和ＭｏＯ３为原料，采用电化学方法制备了高质量紫红色Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶，并研究了其输运性质．发现Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶为半导体材料，其电阻随温度的变化可用公式Ｒ＝Ｒ０ｅｘｐ［Ｅａ／（２ｋＢＴ）］来......
本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明......
报道了在钙钛矿型结构的 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的 Ｇａ Ａｓ半导体单晶薄膜．应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了 ......
Ｃｅ掺杂单晶石榴石ＣｅＶ（Ｇｄ，Ｙ）３Ａｌ５Ｏ１２是一种实现高亮度、高分辨率红色显示的理想荧光新材料。它具有宽带发光谱，主峰位于５８０ｎｍ，采用这种材料作荧光屏的５４ｍｍ阴极射......
本文用助溶剂熔盐法生长了具有高法拉第旋转角、低温度灵敏性的磁光石榴石单晶：（ＹＢｉＧｄ）３Ｆｅ５Ｏ１２（ＢｉＧｄ∶ＹＩＧ）和（ＹＧｄ）３Ｆｅ５Ｏ１２（Ｇｄ∶ＹＩＧ）。对所生长的单晶，经Ｘ射线和扫描电镜能谱测试，分......
人类社会正处在世纪之交的转变年代．２０世纪是科学技术突飞猛进的１００年，原子能、半导体、激光和电子计算机成为２０世纪的四大发明创造．可以看出......
分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优......
基于镍基单晶合金蠕变过程中的细、微观组织结构变化及损伤特点，本文建立了考虑材质劣化和空洞损伤的双参数蠕变损伤本构方程及寿命......
根据单晶连铸技术原理,分析了单晶连铸过程的主要影响因素,并根据流体力学模型以及传热模型计算了液体金属压力和牵引速度。结果......
制备CdTe和CdZuTe单晶材料首先要解决合成问题。作为高纯度的半导体原材料,它们的合成过程一般都是在超高纯和超高真空的石英管内......
我国首家化合物半导体材料企业—中科镓英半导体有限公司,日前在北京奠基,这标志着我国半导体材料产业迈上了新台阶。一两年后,从......
本文利用惰性气体膨胀加载的方式对两种溶质原子Nb含量为3wt%、6wt%的Mo-Nb合金单晶材料的高温内压蠕变性能进行了研究。蠕变实验......
HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的......
石英晶体也称为石英晶体谐振器,它是利用石英单晶材料的压电效应按特殊切割方式制成的一种电谐振(频率控制)元件,主要是用来稳定......
在我们以前的有关电气石NaR_3Al_6[Si_6O_(18)](BO_3)_3(OH_(?)F)_4(其中R-Li,Al及Fe)晶体的合成和生长的文章中以及C.Frondel等......
钽、铌及其合金,由于它们优良的特性,被广泛应用于电子、原子能、宇航、化工等许多工业部门。尤其是单晶材料的研制,对钽、铌的分......
